Υποστρώματα U-GaN SI-GaN 375 um GaN Επιταξιακή Γκοφρέτα

Επικεφαλίδα GaN

November 18, 2024

Category Connection: Κρυσταλλική γκοφρέτα GaN

Μας ελάτε σε επαφή με

Υψηλής ποιότητας επιταξιακή βάφρα από την Κίνα.
Το υλικό που χρησιμοποιείται για την παραγωγή των υλών αυτών είναι το υλικό που χρησιμοποιείται για την παραγωγή των υλών που χρησιμοποιούνται για την παραγωγή των υλών αυτών.
Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. κατασκευαστής ποιότητας από την Κίνα.
Μπορούμε να παρέχουμε:
Επικεφαλίδιο: https://www.epi-wafers.com/supplier-gan_epitaxial_wafer-3081161.html
Το SiC Epitaxial Wafer: https://www.epi-wafers.com/supplier-sic_epitaxial_wafer-3081162.html
Το βενζίνη-βενζίνη-βενζίνη-βενζίνη-βενζίνη-βενζίνη-βενζίνη-βενζίνη-βενζίνη-βενζίνη-βενζίνη-βενζίνη-βενζίνη-βενζίνη-βενζίνη-βενζίνη-βενζίνη-βενζίνη-βενζίνη-βενζίνη-βενζίνη-βενζίνη-βενζίνη-βενζίνη-βενζίνη-βενζίνη-βενζίνη-βενζίνη-βενζίνη-βενζίνη-βενζίνη-βενζίνη-βενζίνη,
Καλωσορίσατε στην επίσημη ιστοσελίδα μας: http://www.epi-wafers.com

Tags:

#Γκοφρέτα ημιαγωγών νιτριδίων γαλλίου #Ελεύθερα μόνιμα υποστρώματα GaN #Κρυσταλλική γκοφρέτα GaN των μπλε οδηγήσεων

Υποστρώματα U-GaN SI-GaN 375 um GaN Επιταξιακή Γκοφρέτα

Υποστρώματα U-GaN SI-GaN 375 um GaN Επιταξιακή Γκοφρέτα

Επίπεδο ζαφείρι 4 ιντσών μπλε LED GaN Epitaxial Wafer C Plane

5 X 10 mm2 M Face GaN Πάχος Επταξιακής Γκοφρέτας 325um 375um

4 ιντσών N-Type UID-Doped GaN On Sapphire Wafer SSP Resistivity＞0,5 Ω cm LED, Laser, Επιταξιακή γκοφρέτα PIN

5*10mm2 SP-Face Un-Doped N-Type Free-Standing GaN Single Crystal Substrate 20-21 / 20-2-1 10mm2 Αντίσταση 0,05 Ω·cm

Ξέρετε πώς να διακρίνετε το μπροστινό και το πίσω μέρος των γκάν ουάφερ;

Σύστημα ταχείας θερμικής αναψίξεως που παρουσιάστηκε στον χώρο της έκθεσης

625um έως 675um 4 ίντσες Μπλε LED νιτρίδιο γαλλίου GaN Επιταξιακή πλάκα σε ζαφείρι SSP επίπεδο ζαφείρι

Δείκτης συσκευασίας για την αποστολή του υποστρώματος GaN του νιτρικού γαλλίου

Ελεύθερα υποστρώματα SI-GaN 2 ιντσών