Δείκτης συσκευασίας για την αποστολή του υποστρώματος GaN του νιτρικού γαλλίου
Υψηλής ποιότητας SiC Επιταξιακή Ουφή από την Κίνα.
Το υλικό που χρησιμοποιείται για την κατασκευή του υλικού είναι το υλικό που χρησιμοποιείται για την κατασκευή του υλικού και για την κατασκευή του υλικού.
Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. κατασκευαστής ποιότητας από την Κίνα.
Μπορούμε να παρέχουμε:
Επικεφαλίδιο: https://www.epi-wafers.com/supplier-gan_epitaxial_wafer-3081161.html
Το SiC Epitaxial Wafer: https://www.epi-wafers.com/supplier-sic_epitaxial_wafer-3081162.html
Το βενζίνη-βενζίνη-βενζίνη-βενζίνη-βενζίνη-βενζίνη-βενζίνη-βενζίνη-βενζίνη-βενζίνη-βενζίνη-βενζίνη-βενζίνη-βενζίνη-βενζίνη-βενζίνη-βενζίνη-βενζίνη-βενζίνη-βενζίνη-βενζίνη-βενζίνη-βενζίνη-βενζίνη-βενζίνη-βενζίνη-βενζίνη-βενζίνη-βενζίνη-βενζίνη-βενζίνη-βενζίνη-βενζίνη,
Κα
Κρυσταλλική γκοφρέτα SIC
Κρυσταλλικές γκοφρέτες καρβιδίου του πυριτίου
Κρυσταλλική γκοφρέτα τύπων SIC Ν
Κρυσταλλικό πρόσωπο γκοφρετών Γ SIC
Υπόστρωμα GaN