Κρυσταλλική γκοφρέτα SIC

Καλύτερα προϊόντα

350um 4H SiC υπόστρωμα

Υπόστρωμα τύπων SIC Ν

6inch κρυσταλλική γκοφρέτα SIC

ΚΙΝΑ Κρυσταλλική γκοφρέτα SIC

Beveling SiC Epitaxial Wafer 150,0 mm +0mm/-0,2mm 350,0um± 25,0 um

Όνομα προϊόντων:Κρυσταλλική γκοφρέτα SIC

Προσανατολισμός επιφάνειας:Εκτός άξονα: 4°toward <11-20>±0.5 °

Polytype:Κανένας επιτρεπόμενος
Γκοφρέτα τύπου N 6 ιντσών P MOS Grade 4H SiC Υπόστρωμα 350,0 ± 25,0um

Όνομα προϊόντων:Υπόστρωμα SiC

Μορφή κρυστάλλου:4h

Διάμετρος:150.0mm+0mm/0.2mm
4H Crystal Form SiC Epitaxial Wafer Wafer Edge Beveling 350,0um ± 25,0um

Όνομα προϊόντων:Κρυσταλλική γκοφρέτα SIC

Μορφή κρυστάλλου:4h

Άκρη γκοφρετών:λοξότμητη
Ημι μονώνοντας υπόστρωμα 150mm τύπων 6inch 4H SIC Si επιπέδων Π

Όνομα προϊόντων:Κρυσταλλική γκοφρέτα SIC

Μορφή κρυστάλλου:4h

Διάμετρος:150,0mm+0,0/-0,2mm
4H P-MOS γκοφρετών SIC κρυσταλλικός βαθμός 150,0 χιλ. +0mm/-0.2mm 47,5 χιλ. ± 1,5 χιλ.

Όνομα προϊόντων:Κρυσταλλική γκοφρέτα SIC

Διάμετρος:150.0mm +0mm/-0.2mm

Προσανατολισμός επιφάνειας:Εκτός άξονα: 4°toward <11-20>±0.5 °
150mm 4H SiC Wafer Ημιμονωτικό Υπόστρωμα 6 ιντσών 350μm

Όνομα προϊόντων:Κρυσταλλική γκοφρέτα SIC

Μορφή κρυστάλλου:4h

Διάμετρος:150,0mm+0,0/-0,2mm
κρυσταλλική γκοφρέτα 150.0mm +0mm/-0.2mm SIC κανένα δευτεροβάθμιο επίπεδο 3mm

Όνομα προϊόντων:Κρυσταλλική γκοφρέτα SIC

Διάμετρος:150.0mm +0mm/-0.2mm

Προσανατολισμός επιφάνειας:Εκτός άξονα: 4°toward <11-20>±0.5 °
Τύπος N 6 ιντσών 4H Υπόστρωμα από καρβίδιο πυριτίου Πρωτεύον επίπεδο μήκος 47,5 mm

Όνομα προϊόντων:Κρυσταλλική γκοφρέτα SIC

Μορφή κρυστάλλου:4h

Διάμετρος:150,0mm+0,0/-0,2mm
47,5 χιλ. ± 1,5 κρυσταλλική γκοφρέτα 150,0 χιλ. +0mm/-0.2mm παράλληλο to<11-20>±1° χιλ. SIC

Όνομα προϊόντων:Κρυσταλλική γκοφρέτα SIC

Διάμετρος:150.0mm +0mm/-0.2mm

Προσανατολισμός επιφάνειας:Εκτός άξονα: 4°toward <11-20>±0.5 °
Υπόστρωμα 6 ιντσών 4H SiC N Τύπος P SBD Βαθμού 350μm

Όνομα προϊόντων:Κρυσταλλική γκοφρέτα SIC

Μορφή κρυστάλλου:4h

Διάμετρος:150.0mm +0mm/-0.2mm
4H κρυσταλλική γκοφρέτα 0.015Ω SIC•εκατ.-0.025Ω•Εκατ. ≤4000/cm ² 150,0 χιλ. +0mm/-0.2mm

Όνομα προϊόντων:Κρυσταλλική γκοφρέτα SIC

Διάμετρος:150.0mm +0mm/-0.2mm

Προσανατολισμός επιφάνειας:Εκτός άξονα: 4°toward <11-20>±0.5 °
Υπόστρωμα SiC επιπέδου 2 ιντσών για ηλεκτρικές συσκευές και συσκευές μικροκυμάτων

Μορφή κρυστάλλου:4H-N/S

Όνομα προϊόντων:προδιαγραφή υποστρωμάτων καρβιδίου 2inch diameterSilicon (SIC)

Διάμετρος:50.8mm±0.38mm

Page 1 of 4|< << 1 2 3 4 >> >|

Περιήγηση στις κατηγορίες：

Κρυσταλλική γκοφρέτα SIC

350um 4H SiC υπόστρωμα

Υπόστρωμα τύπων SIC Ν

6inch κρυσταλλική γκοφρέτα SIC

ΚΙΝΑ Κρυσταλλική γκοφρέτα SIC

Beveling SiC Epitaxial Wafer 150,0 mm +0mm/-0,2mm 350,0um± 25,0 um

Γκοφρέτα τύπου N 6 ιντσών P MOS Grade 4H SiC Υπόστρωμα 350,0 ± 25,0um

4H Crystal Form SiC Epitaxial Wafer Wafer Edge Beveling 350,0um ± 25,0um

Ημι μονώνοντας υπόστρωμα 150mm τύπων 6inch 4H SIC Si επιπέδων Π

4H P-MOS γκοφρετών SIC κρυσταλλικός βαθμός 150,0 χιλ. +0mm/-0.2mm 47,5 χιλ. ± 1,5 χιλ.

150mm 4H SiC Wafer Ημιμονωτικό Υπόστρωμα 6 ιντσών 350μm

κρυσταλλική γκοφρέτα 150.0mm +0mm/-0.2mm SIC κανένα δευτεροβάθμιο επίπεδο 3mm

Τύπος N 6 ιντσών 4H Υπόστρωμα από καρβίδιο πυριτίου Πρωτεύον επίπεδο μήκος 47,5 mm

47,5 χιλ. ± 1,5 κρυσταλλική γκοφρέτα 150,0 χιλ. +0mm/-0.2mm παράλληλο to<11-20>±1° χιλ. SIC

Υπόστρωμα 6 ιντσών 4H SiC N Τύπος P SBD Βαθμού 350μm

4H κρυσταλλική γκοφρέτα 0.015Ω SIC•εκατ.-0.025Ω•Εκατ. ≤4000/cm ² 150,0 χιλ. +0mm/-0.2mm

Υπόστρωμα SiC επιπέδου 2 ιντσών για ηλεκτρικές συσκευές και συσκευές μικροκυμάτων

Κρυσταλλική γκοφρέτα GaN

2inch GaN κρυσταλλική γκοφρετών Γ ελεύθερη στάση τύπων Si προσώπου ναρκωμένη Φε

Ναρκωμένη Φε ειδική αντίσταση υποστρωμάτων GaN > 10 ⁶ Ω·Συσκευές εκατ. RF

Ελεύθερα υποστρώματα SI-GaN 2 ιντσών

Κρυσταλλική γκοφρέτα SIC

Beveling SiC Epitaxial Wafer 150,0 mm +0mm/-0,2mm 350,0um± 25,0 um

4H Crystal Form SiC Epitaxial Wafer Wafer Edge Beveling 350,0um ± 25,0um

Οπτικό πολωνικό Si-πρόσωπο CMP γ-προσώπου γκοφρετών ενιαίου κρυστάλλου SIC κρυσταλλικό