Αρχική Σελίδα

Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. Επικοινωνία

Όλα τα Προϊόντα

Κρυσταλλική γκοφρέτα GaN
(65)

Κρυσταλλική γκοφρέτα SIC
(39)

GaAs Epi Wafer
(15)

Υποστρώματα διαμαντιών CVD
(15)

_γρήγορος θερμικός ανοπτώ σύστημα
(2)

Δοκιμαστής αισθητήρα εφέ Hall
(3)

Γκοφρέτα νιτριδίων αργιλίου
(21)

Τσιπ διόδων λέιζερ
(10)

Κρύσταλλο καρβιδίου του πυριτίου
(12)

Ga2O3 γκοφρέτα
(13)

γκοφρέτα πυριτίου
(26)

Γκοφρέτα σαπφείρου
(19)

Διαμορφωμένα υποστρώματα σαπφείρου
(10)

Τεφλόν κάτοχος γκοφρετών
(1)

Γκοφρέτα σε κύβους
(5)

Πιστοποίηση

Είμαι Online Chat Now

Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

Διεύθυνση :	Κτίριο 11, Lane 1333, Jiangnan Avenue, Changxing Town, Chongming District, Σαγκάη
Διεύθυνση Εργοστασίου :	Κτίριο 11, Lane 1333, Jiangnan Avenue, Changxing Town, Chongming District, Σαγκάη
Χρόνο εργασίας :	9：10-18:00(ώρα Πεκίνου)
Τηλέφωνο εργασίας :	86-18962520616(Μη χρόνου εργασίας)
επαφή :	Στείλετε το ερώτημά σας απευθείας σε εμάς (0 / 3000)

Υπεύθυνος :	Xiwen Bai (Ciel)
Τηλέφωνο εργασίας :	+8613372109561
WHATSAPP :	+8613372109561
WeChat :	+8613372109561
E-mail :	baixiwen2022@ganova.com.cn

Υπεύθυνος :	Adela
Τηλέφωνο εργασίας :	+8615962257010
E-mail :	daidongyun2020@ganova.com.cn

Στοιχεία επικοινωνίας

Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

Υπεύθυνος Επικοινωνίας: Xiwen Bai (Ciel)

Τηλ.:: +8613372109561

Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. Επικοινωνία

Κρυσταλλική γκοφρέτα GaN

Κρυσταλλική γκοφρέτα SIC

GaAs Epi Wafer

Υποστρώματα διαμαντιών CVD

_γρήγορος θερμικός ανοπτώ σύστημα

Δοκιμαστής αισθητήρα εφέ Hall

Γκοφρέτα νιτριδίων αργιλίου

Τσιπ διόδων λέιζερ

Κρύσταλλο καρβιδίου του πυριτίου

Ga2O3 γκοφρέτα

γκοφρέτα πυριτίου

Γκοφρέτα σαπφείρου

Διαμορφωμένα υποστρώματα σαπφείρου

Τεφλόν κάτοχος γκοφρετών

Γκοφρέτα σε κύβους

Κρυσταλλική γκοφρέτα GaN

2inch GaN κρυσταλλική γκοφρετών Γ ελεύθερη στάση τύπων Si προσώπου ναρκωμένη Φε

Ναρκωμένη Φε ειδική αντίσταση υποστρωμάτων GaN > 10 ⁶ Ω·Συσκευές εκατ. RF

Ελεύθερα υποστρώματα SI-GaN 2 ιντσών

Κρυσταλλική γκοφρέτα SIC

Beveling SiC Epitaxial Wafer 150,0 mm +0mm/-0,2mm 350,0um± 25,0 um

4H Crystal Form SiC Epitaxial Wafer Wafer Edge Beveling 350,0um ± 25,0um

Οπτικό πολωνικό Si-πρόσωπο CMP γ-προσώπου γκοφρετών ενιαίου κρυστάλλου SIC κρυσταλλικό