ΚΙΝΑ γκοφρέτα πυριτίου

0,001-100 ohm-cm Silicon Wafer P Τύπος Boron Dopant

Διάμετρος:2»

Βαθμός:Πρωταρχικός

Μέθοδος αύξησης:CZ
Ιδιαίτερα υποστρώματα P/E P/P Ε Si συσκευών/Π.Χ. επιφάνεια /G που τελειώνουν

Μέθοδος αύξησης:CZ

Διάμετρος:2»

Βαθμός:Πρωταρχικός
» Γκοφρέτα πυριτίου πρωταρχικά 2 τυποποιημένο <10 μm μέγιστο Capabilities<5um

Διάμετρος:2»

Βαθμός:Πρωταρχικός

Μέθοδος αύξησης:CZ
Πρωτεύον Υπόστρωμα Επιταξιακής Γκοφρέτας Microelectronic 279um Silicon

Βαθμός:Πρωταρχικός

Μέθοδος αύξησης:CZ

Τύπος/υλικό πρόσμιξης:Τύπος Π/βόριο, τύπος Ν/Phos, Ν Type/As, Ν Type/Sb
Γκοφρέτα πυριτίου Phos τύπων Ν 3» πάχος 279um 380um 525um 625um

Τύπος/υλικό πρόσμιξης:Τύπος Π/βόριο, τύπος Ν/Phos, Ν Type/As, Ν Type/Sb

Πάχος (μm):279

Ανοχή πάχους:Τυποποιημένο ± 25μm, μέγιστες ικανότητες ± 5μm
4» 5» 6» τύπος γκοφρετών Π Si/τύπος βορίου Ν/ως τύπο Ν/Sb

Διάμετρος:2»

Βαθμός:Πρωταρχικός

Μέθοδος αύξησης:CZ
Γκοφρέτα πυριτίου του CZ μεθόδου αύξησης 5» προσανατολισμός <1-0-0>, <1-1-1>, <1-1-0>

Διάμετρος:2»

Βαθμός:Πρωταρχικός

Μέθοδος αύξησης:CZ
Συσκευές ημιαγωγών 2 ιντσών υπόστρωμα πυριτίου 8'' 12''

Διάμετρος:2»

Βαθμός:Πρωταρχικός

Μέθοδος αύξησης:CZ
Τύπος Sb Ν τύπων Ν ως γκοφρέτα πυριτίου 6 ίντσα 8 ίντσα

Μέθοδος αύξησης:CZ

Προσανατολισμός:<1-0-0><1-1-1>,<1-1-0>

Τύπος/υλικό πρόσμιξης:Τύπος Π/βόριο, τύπος Ν/Phos, Ν Type/As, Ν Type/Sb
Γκοφρέτα 380um 525um 625um ημιαγωγών πυριτίου του CZ

Προσανατολισμός:<1-0-0><1-1-1>,<1-1-0>

Πάχος (μm):279

Ανοχή πάχους:Τυποποιημένο ± 25μm, μέγιστες ικανότητες ± 5μm
12 τύπος Phos βορίου Ν τύπων γκοφρετών πυριτίου ίντσας Π

Διάμετρος:12»

Βαθμός:Πρωταρχικός

Μέθοδος αύξησης:CZ
Πυρίτιο γκοφρέτα τελειωμένο επιφάνεια P/E P/P Ε 8 ίντσας/Π.Χ. /G

Διάμετρος:8»

Βαθμός:Πρωταρχικός

Μέθοδος αύξησης:CZ

Page 1 of 3|< << 1 2 3 >> >|

γκοφρέτα πυριτίου

ΚΙΝΑ γκοφρέτα πυριτίου

0,001-100 ohm-cm Silicon Wafer P Τύπος Boron Dopant

Ιδιαίτερα υποστρώματα P/E P/P Ε Si συσκευών/Π.Χ. επιφάνεια /G που τελειώνουν

» Γκοφρέτα πυριτίου πρωταρχικά 2 τυποποιημένο <10 μm μέγιστο Capabilities<5um

Πρωτεύον Υπόστρωμα Επιταξιακής Γκοφρέτας Microelectronic 279um Silicon

Γκοφρέτα πυριτίου Phos τύπων Ν 3» πάχος 279um 380um 525um 625um

4» 5» 6» τύπος γκοφρετών Π Si/τύπος βορίου Ν/ως τύπο Ν/Sb

Γκοφρέτα πυριτίου του CZ μεθόδου αύξησης 5» προσανατολισμός <1-0-0>, <1-1-1>, <1-1-0>

Συσκευές ημιαγωγών 2 ιντσών υπόστρωμα πυριτίου 8'' 12''

Τύπος Sb Ν τύπων Ν ως γκοφρέτα πυριτίου 6 ίντσα 8 ίντσα

Γκοφρέτα 380um 525um 625um ημιαγωγών πυριτίου του CZ

12 τύπος Phos βορίου Ν τύπων γκοφρετών πυριτίου ίντσας Π

Πυρίτιο γκοφρέτα τελειωμένο επιφάνεια P/E P/P Ε 8 ίντσας/Π.Χ. /G

Κρυσταλλική γκοφρέτα GaN

2inch GaN κρυσταλλική γκοφρετών Γ ελεύθερη στάση τύπων Si προσώπου ναρκωμένη Φε

Ναρκωμένη Φε ειδική αντίσταση υποστρωμάτων GaN > 10 ⁶ Ω·Συσκευές εκατ. RF

Ελεύθερα υποστρώματα SI-GaN 2 ιντσών

Κρυσταλλική γκοφρέτα SIC

Beveling SiC Epitaxial Wafer 150,0 mm +0mm/-0,2mm 350,0um± 25,0 um

4H Crystal Form SiC Epitaxial Wafer Wafer Edge Beveling 350,0um ± 25,0um

Οπτικό πολωνικό Si-πρόσωπο CMP γ-προσώπου γκοφρετών ενιαίου κρυστάλλου SIC κρυσταλλικό