Ga2O3 γκοφρέτα

ΚΙΝΑ Ga2O3 γκοφρέτα

Πάχος υποστρωμάτων ενιαίου κρυστάλλου γκοφρετών FWHM<350arcsec Ga2O3 0.6mm 0.8mm

Πάχος:0.6~0.8mm

Όνομα προϊόντων:Υπόστρωμα ενιαίου κρυστάλλου

Προσανατολισμός:(010)
Μονόπλευρο στιλβωμένο υπόστρωμα Ga2O3 Πάχος μονού κρυστάλλου 0,6mm 0,8mm

RA:≤0.5nm

Πάχος:0.6~0.8mm

Όνομα προϊόντων:Υπόστρωμα ενιαίου κρυστάλλου
γκοφρέτα 10x15mm 10x10mm Ga2O3 υπόστρωμα ενιαίου κρυστάλλου

Προσανατολισμός:(010) (201)

Διαστάσεις:10*10mm 10*15mm

Όνομα προϊόντων:Υπόστρωμα ενιαίου κρυστάλλου
Νάρκωση υποστρωμάτων UID οξειδίων γαλλίου ενιαίου κρυστάλλου ημιαγωγών

Πάχος:0.6~0.8mm

Όνομα προϊόντων:Υπόστρωμα ενιαίου κρυστάλλου

Προσανατολισμός:(010) (201)
10x15mm2 UID Doped Free Standing Ga2O3 Wafer Single Polishing

Πάχος:0.6~0.8mm

Όνομα προϊόντων:Υπόστρωμα ενιαίου κρυστάλλου

Προσανατολισμός:(010) (201)
Ra 0,3 nm Ga2O3 Μονόκρυσταλλο Επιταξιακό Γκοφρέτα 2 ίντσες 4 ίντσες

Όνομα προϊόντων:Υπόστρωμα ενιαίου κρυστάλλου

Πάχος:0.6~0.8mm

Προσανατολισμός:(201)
Sn Doping Ga2O3 Wafer Μονόκρυσταλλο Υπόστρωμα 10x10mm2

Πάχος:0.6~0.8mm

Όνομα προϊόντων:Υπόστρωμα ενιαίου κρυστάλλου

Προσανατολισμός:(201)
Ga2O3 Fe Doped Wafer Μονόκρυσταλλο Υπόστρωμα 10x10mm2 Ελεύθερη Όρθια

FWHM:<350arcsec>

Γυαλισμένη επιφάνεια:Πλευρά που γυαλίζεται ενιαία

Πάχος:0.6~0.8mm
Ενιαίο γυαλισμένο πλευρά υπόστρωμα ενιαίου κρυστάλλου γκοφρετών Ga2O3

Όνομα προϊόντων:Υπόστρωμα ενιαίου κρυστάλλου

Πάχος:0.6~0.8mm

Γυαλισμένη επιφάνεια:Πλευρά που γυαλίζεται ενιαία
ενιαία στίλβωση υποστρωμάτων ενιαίου κρυστάλλου 0.6mm 0.8mm Ga2O3

Όνομα προϊόντων:Υπόστρωμα ενιαίου κρυστάλλου

Προσανατολισμός:(201)

Γυαλισμένη επιφάνεια:Πλευρά που γυαλίζεται ενιαία
JDCD04-001-007 10x10mm2(010)Sn-Doped Free-Standing Ga2O3 Single Crystal Substrate Grade Product Single Polishing

Πάχος:0.6~0.8mm

Όνομα προϊόντων:Υπόστρωμα ενιαίου κρυστάλλου

Προσανατολισμός:(101)
Ενιαία στίλβωση βαθμού προϊόντων υποστρωμάτων ενιαίου κρυστάλλου JDCD04-001-002 10x10mm2 (- 201) sn-ναρκωμένη??????????? Ga2O3

Πάχος:0.6~0.8mm

Όνομα προϊόντων:Υπόστρωμα ενιαίου κρυστάλλου

Προσανατολισμός:(201)

Page 1 of 2|< << 1 2 >> >|

Περιήγηση στις κατηγορίες：

Ga2O3 γκοφρέτα

ΚΙΝΑ Ga2O3 γκοφρέτα

Πάχος υποστρωμάτων ενιαίου κρυστάλλου γκοφρετών FWHM<350arcsec Ga2O3 0.6mm 0.8mm

Μονόπλευρο στιλβωμένο υπόστρωμα Ga2O3 Πάχος μονού κρυστάλλου 0,6mm 0,8mm

γκοφρέτα 10x15mm 10x10mm Ga2O3 υπόστρωμα ενιαίου κρυστάλλου

Νάρκωση υποστρωμάτων UID οξειδίων γαλλίου ενιαίου κρυστάλλου ημιαγωγών

10x15mm2 UID Doped Free Standing Ga2O3 Wafer Single Polishing

Ra 0,3 nm Ga2O3 Μονόκρυσταλλο Επιταξιακό Γκοφρέτα 2 ίντσες 4 ίντσες

Sn Doping Ga2O3 Wafer Μονόκρυσταλλο Υπόστρωμα 10x10mm2

Ga2O3 Fe Doped Wafer Μονόκρυσταλλο Υπόστρωμα 10x10mm2 Ελεύθερη Όρθια

Ενιαίο γυαλισμένο πλευρά υπόστρωμα ενιαίου κρυστάλλου γκοφρετών Ga2O3

ενιαία στίλβωση υποστρωμάτων ενιαίου κρυστάλλου 0.6mm 0.8mm Ga2O3

JDCD04-001-007 10x10mm2(010)Sn-Doped Free-Standing Ga2O3 Single Crystal Substrate Grade Product Single Polishing

Ενιαία στίλβωση βαθμού προϊόντων υποστρωμάτων ενιαίου κρυστάλλου JDCD04-001-002 10x10mm2 (- 201) sn-ναρκωμένη??????????? Ga2O3

Κρυσταλλική γκοφρέτα GaN

2inch GaN κρυσταλλική γκοφρετών Γ ελεύθερη στάση τύπων Si προσώπου ναρκωμένη Φε

Ναρκωμένη Φε ειδική αντίσταση υποστρωμάτων GaN > 10 ⁶ Ω·Συσκευές εκατ. RF

Ελεύθερα υποστρώματα SI-GaN 2 ιντσών

Κρυσταλλική γκοφρέτα SIC

Beveling SiC Epitaxial Wafer 150,0 mm +0mm/-0,2mm 350,0um± 25,0 um

4H Crystal Form SiC Epitaxial Wafer Wafer Edge Beveling 350,0um ± 25,0um

Οπτικό πολωνικό Si-πρόσωπο CMP γ-προσώπου γκοφρετών ενιαίου κρυστάλλου SIC κρυσταλλικό