ΚΙΝΑ Τσιπ διόδων λέιζερ

Κατώφλι ρεύματος 0,5A τσιπ λέιζερ διόδων λέιζερ απόδοσης κλίσης εκτύπωσης 1,0 W/A

Τύπος συσκευασίας:Επιφανειακή βάση, Standard πακέτο

Τύπος:Δίοδος λέιζερ

Εφαρμογή:Εκτύπωση λέιζερ
Σχεδιασμός τσιπ λέιζερ διόδου 915nm 10W COS σε υπομονές

Τύπος:Δίοδος λέιζερ

Εφαρμογή:Εκτύπωση λέιζερ

Τύπος συσκευασίας:Επιφανειακή βάση, Standard πακέτο
915nm η επιφάνεια εκτύπωσης τσιπ διόδων λέιζερ τοποθετεί την τυποποιημένη συσκευασία

Τύπος συσκευασίας:Επιφανειακή βάση, Standard πακέτο

Λειτουργούσα θερμοκρασία:15-55℃

Μήκος κύματος:915 nm
Μέγεθος πομπού 94um Diode Chip Laser On Submount Σχεδιασμός κατώφλι ρεύματος 0,5A

Τύπος:Δίοδος λέιζερ

Εφαρμογή:Εκτύπωση λέιζερ

Τύπος συσκευασίας:Επιφανειακή βάση, Standard πακέτο
Τυπικό πακέτο επιφανειακής βάσης τσιπ διόδου λέιζερ 1.0W/A

Τύπος:Δίοδος λέιζερ

Εφαρμογή:Εκτύπωση λέιζερ

Λειτουργούσα θερμοκρασία:15-55℃
Εκτύπωση λέιζερ Τσιπ διόδου λέιζερ ημιαγωγών 1.0W/A Μέγεθος πομπού 94μm Μήκος κύματος 915nm

Τύπος:Δίοδος λέιζερ

Εφαρμογή:Εκτύπωση λέιζερ

Τύπος συσκευασίας:Επιφανειακή βάση, Standard πακέτο
Κατώφλι ρεύματος 0,5A Αποδοτικότητα μετατροπής ισχύος τσιπ διόδου λέιζερ 58%

Τύπος:Δίοδος λέιζερ

Εφαρμογή:Εκτύπωση λέιζερ

Τύπος συσκευασίας:Επιφανειακή βάση, Standard πακέτο
Λειτουργούσα θερμοκρασία τσιπ διόδων εκτύπωσης λέιζερ δύναμη 10W παραγωγής 15 έως 55 βαθμού

Τύπος:Δίοδος λέιζερ

Εφαρμογή:Εκτύπωση λέιζερ

Τύπος συσκευασίας:Επιφανειακή βάση, Standard πακέτο
94um μήκος κύματος 915nm αποδοτικότητας 1.0W/A κλίσεων τσιπ διόδων λέιζερ

Τύπος:Δίοδος λέιζερ

Τύπος συσκευασίας:Επιφανειακή βάση, Standard πακέτο

Μήκος κύματος:915 nm
0.5A η επιφάνεια μήκους κύματος 915nm εκτύπωσης λέιζερ τσιπ διόδων λέιζερ τοποθετεί

Τύπος:Δίοδος λέιζερ

Εφαρμογή:Εκτύπωση λέιζερ

Τύπος συσκευασίας:Επιφανειακή βάση, Standard πακέτο

Page 1 of 1

Τσιπ διόδων λέιζερ

ΚΙΝΑ Τσιπ διόδων λέιζερ

Κατώφλι ρεύματος 0,5A τσιπ λέιζερ διόδων λέιζερ απόδοσης κλίσης εκτύπωσης 1,0 W/A

Σχεδιασμός τσιπ λέιζερ διόδου 915nm 10W COS σε υπομονές

915nm η επιφάνεια εκτύπωσης τσιπ διόδων λέιζερ τοποθετεί την τυποποιημένη συσκευασία

Μέγεθος πομπού 94um Diode Chip Laser On Submount Σχεδιασμός κατώφλι ρεύματος 0,5A

Τυπικό πακέτο επιφανειακής βάσης τσιπ διόδου λέιζερ 1.0W/A

Εκτύπωση λέιζερ Τσιπ διόδου λέιζερ ημιαγωγών 1.0W/A Μέγεθος πομπού 94μm Μήκος κύματος 915nm

Κατώφλι ρεύματος 0,5A Αποδοτικότητα μετατροπής ισχύος τσιπ διόδου λέιζερ 58%

Λειτουργούσα θερμοκρασία τσιπ διόδων εκτύπωσης λέιζερ δύναμη 10W παραγωγής 15 έως 55 βαθμού

94um μήκος κύματος 915nm αποδοτικότητας 1.0W/A κλίσεων τσιπ διόδων λέιζερ

0.5A η επιφάνεια μήκους κύματος 915nm εκτύπωσης λέιζερ τσιπ διόδων λέιζερ τοποθετεί

Κρυσταλλική γκοφρέτα GaN

2inch GaN κρυσταλλική γκοφρετών Γ ελεύθερη στάση τύπων Si προσώπου ναρκωμένη Φε

Ναρκωμένη Φε ειδική αντίσταση υποστρωμάτων GaN > 10 ⁶ Ω·Συσκευές εκατ. RF

Ελεύθερα υποστρώματα SI-GaN 2 ιντσών

Κρυσταλλική γκοφρέτα SIC

Beveling SiC Epitaxial Wafer 150,0 mm +0mm/-0,2mm 350,0um± 25,0 um

4H Crystal Form SiC Epitaxial Wafer Wafer Edge Beveling 350,0um ± 25,0um

Οπτικό πολωνικό Si-πρόσωπο CMP γ-προσώπου γκοφρετών ενιαίου κρυστάλλου SIC κρυσταλλικό