• Greek
    English
    French
    German
    Italian
    Russian
    Spanish
    Portuguese
    Dutch
    Greek
    Japanese
    Korean
    Arabic
    Turkish
    Polish
Ζητήστε ένα απόσπασμα |
Αρχική Σελίδα ΠροϊόνταΤσιπ διόδων λέιζερ

Κατώφλι ρεύματος 0,5A τσιπ λέιζερ διόδων λέιζερ απόδοσης κλίσης εκτύπωσης 1,0 W/A

Όλα τα Προϊόντα

Κρυσταλλική γκοφρέτα GaN

(65)

Κρυσταλλική γκοφρέτα SIC

(39)

GaAs Epi Wafer

(15)

Υποστρώματα διαμαντιών CVD

(15)

_γρήγορος θερμικός ανοπτώ σύστημα

(2)

Δοκιμαστής αισθητήρα εφέ Hall

(3)

Γκοφρέτα νιτριδίων αργιλίου

(21)

Τσιπ διόδων λέιζερ

(10)

Κρύσταλλο καρβιδίου του πυριτίου

(12)

Ga2O3 γκοφρέτα

(13)

γκοφρέτα πυριτίου

(26)

Γκοφρέτα σαπφείρου

(19)

Διαμορφωμένα υποστρώματα σαπφείρου

(10)

Τεφλόν κάτοχος γκοφρετών

(1)

Γκοφρέτα σε κύβους

(5)
Πιστοποίηση
ΚΙΝΑ Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. Πιστοποιήσεις
Είμαι Online Chat Now

Κατώφλι ρεύματος 0,5A τσιπ λέιζερ διόδων λέιζερ απόδοσης κλίσης εκτύπωσης 1,0 W/A

Κατώφλι ρεύματος 0,5A τσιπ λέιζερ διόδων λέιζερ απόδοσης κλίσης εκτύπωσης 1,0 W/A
Κατώφλι ρεύματος 0,5A τσιπ λέιζερ διόδων λέιζερ απόδοσης κλίσης εκτύπωσης 1,0 W/A

Μεγάλες Εικόνας :  Κατώφλι ρεύματος 0,5A τσιπ λέιζερ διόδων λέιζερ απόδοσης κλίσης εκτύπωσης 1,0 W/A

Λεπτομέρειες:
Τόπος καταγωγής: Suzhou Κίνα
Μάρκα: GaNova
Πληρωμής & Αποστολής Όροι:
Συσκευασία λεπτομέρειες: Συσκευασία κενού σε περιβάλλον καθαρού δωματίου κατηγορίας 10000, σε κασέτες των 25 τμχ ή σε δοχεία
Όροι πληρωμής: T/T
Επικοινωνία

Κατώφλι ρεύματος 0,5A τσιπ λέιζερ διόδων λέιζερ απόδοσης κλίσης εκτύπωσης 1,0 W/A

περιγραφή
Τύπος συσκευασίας: Επιφανειακή βάση, Standard πακέτο Τύπος: Δίοδος λέιζερ
Εφαρμογή: Εκτύπωση λέιζερ Λειτουργούσα θερμοκρασία: 15-55℃
Μήκος κύματος: 915 nm Δύναμη παραγωγής: 10
Αποδοτικότητα κλίσης: 1,0 W/A Μέγεθος εκπομπού: 94μm
Επισημαίνω:

Τσιπ διόδων λέιζερ 0

,

5 Α

,

τσιπ 915 nm σε υποστήριγμα

Κατώφλι ρεύματος 0,5A τσιπ λέιζερ διόδων λέιζερ απόδοσης κλίσης εκτύπωσης 1,0 W/A

Σχεδιασμός τσιπ λέιζερ διόδου 915nm 10W COS σε υπομονές

 

Η πηγή φωτός ενσωματώνεται με συγκόλληση flip-chip απευθείας στο υπόστρωμα Si επιτρέποντας τη λειτουργία σε υψηλές θερμοκρασίες και χρησιμοποιούνται μετατροπείς μεγέθους spot για αποτελεσματική σύζευξη με τον κυματοδηγό Si.Μια δομή InGaAs/InP μετάλλου-ημιαγωγού-μετάλλου (MSM) ενσωματώνεται με τη χρήση τεχνικών συγκόλλησης γκοφρέτας και χρησιμοποιείται για φωτοανίχνευση και αποδεικνύεται υψηλή απόκριση.

 

Οπτικός
Κεντρικό μήκος κύματος
915 nm
Ισχύς εξόδου
10 W
Φασματικό πλάτος FWHM
≤6nm
Αποδοτικότητα κλίσης
1,0 W/A
Γρήγορη Απόκλιση Άξονα
60 μοίρες
Αργή Απόκλιση Άξονα
11 βαθμοί
Λειτουργία πόλωσης
ΤΕ
Μέγεθος εκπομπού
94 μμ
Ηλεκτρικός
Ρεύμα κατωφλίου
0,5Α
Λειτουργικό Ρεύμα
12Α
Τάση λειτουργίας
1,65 V
Αποδοτικότητα Μετατροπής Ισχύος
58%
Θερμικός
Θερμοκρασία λειτουργίας
15-55℃
Θερμοκρασία αποθήκευσης
-30-70℃
Μήκος κύματος Θερμ.Συντελεστής
0,3 nm/℃
Σχέδιο

Κατώφλι ρεύματος 0,5A τσιπ λέιζερ διόδων λέιζερ απόδοσης κλίσης εκτύπωσης 1,0 W/A 0

 

FAQ

Ε1: Ποιους τρόπους πληρωμής υποστηρίζετε;
T/T και Western Union, για την επιλογή σας

Ε2: Πόσο καιρό μπορώ να λάβω το πακέτο;
Κανονικά 1-2 εβδομάδες FedEx, DHL Express, UPS, TNT

 

Ε3: Ποιος είναι ο χρόνος παράδοσης;
Το τυπικό προϊόν είναι όλα σε απόθεμα.Αποστολή μέσω Express εντός 3~4 εργάσιμων ημερών.Η προσαρμοσμένη στοίβα χρειάζεται 15 εργάσιμες ημέρες.

Ε4: Είστε εμπορική εταιρεία ή κατασκευαστής;
Είμαστε κατασκευαστής με περισσότερα από 11 χρόνια εμπειρίας και παρέχουμε επίσης την τεχνική λύση σε όλους τους πελάτες.

Ε5: Μπορείτε να εγγυηθείτε την ποιότητά σας;
Φυσικά, είμαστε ένας από τους κορυφαίους φημισμένους κατασκευαστές στην Κίνα.Η ποιότητα για εμάς είναι το πιο σημαντικό πράγμα, δίνουμε μεγάλη αξία στη φήμη μας.Η καλύτερη ποιότητα είναι η αρχή μας όλη την ώρα.
 

ετικέτα:

Τσιπ διόδων λέιζερ υψηλής δύναμης,

Τσιπ λέιζερ διόδων ημιαγωγών,

Τσιπ λέιζερ διόδων σε Submount

Στοιχεία επικοινωνίας
Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

Υπεύθυνος Επικοινωνίας: Xiwen Bai (Ciel)

Τηλ.:: +8613372109561

Στείλετε το ερώτημά σας απευθείας σε εμάς (0 / 3000)

Άλλα προϊόντα
Σχεδιασμός τσιπ λέιζερ διόδου 915nm 10W COS σε υπομονές

Σχεδιασμός τσιπ λέιζερ διόδου 915nm 10W COS σε υπομονές

Τύπος: Δίοδος λέιζερ

Εφαρμογή: Εκτύπωση λέιζερ

Τύπος συσκευασίας: Επιφανειακή βάση, Standard πακέτο

Λειτουργούσα θερμοκρασία: 15-55℃
915nm η επιφάνεια εκτύπωσης τσιπ διόδων λέιζερ τοποθετεί την τυποποιημένη συσκευασία

915nm η επιφάνεια εκτύπωσης τσιπ διόδων λέιζερ τοποθετεί την τυποποιημένη συσκευασία

Τύπος συσκευασίας: Επιφανειακή βάση, Standard πακέτο

Λειτουργούσα θερμοκρασία: 15-55℃

Μήκος κύματος: 915 nm

Δύναμη παραγωγής: 10
Μέγεθος πομπού 94um Diode Chip Laser On Submount Σχεδιασμός κατώφλι ρεύματος 0,5A

Μέγεθος πομπού 94um Diode Chip Laser On Submount Σχεδιασμός κατώφλι ρεύματος 0,5A

Τύπος: Δίοδος λέιζερ

Εφαρμογή: Εκτύπωση λέιζερ

Τύπος συσκευασίας: Επιφανειακή βάση, Standard πακέτο

Λειτουργούσα θερμοκρασία: 15-55℃
Τυπικό πακέτο επιφανειακής βάσης τσιπ διόδου λέιζερ 1.0W/A

Τυπικό πακέτο επιφανειακής βάσης τσιπ διόδου λέιζερ 1.0W/A

Τύπος: Δίοδος λέιζερ

Εφαρμογή: Εκτύπωση λέιζερ

Λειτουργούσα θερμοκρασία: 15-55℃

Δύναμη παραγωγής: 10
Εκτύπωση λέιζερ Τσιπ διόδου λέιζερ ημιαγωγών 1.0W/A Μέγεθος πομπού 94μm Μήκος κύματος 915nm

Εκτύπωση λέιζερ Τσιπ διόδου λέιζερ ημιαγωγών 1.0W/A Μέγεθος πομπού 94μm Μήκος κύματος 915nm

Τύπος: Δίοδος λέιζερ

Εφαρμογή: Εκτύπωση λέιζερ

Τύπος συσκευασίας: Επιφανειακή βάση, Standard πακέτο

Λειτουργούσα θερμοκρασία: 15-55℃
περίπου

Κρυσταλλική γκοφρέτα GaN

2inch GaN κρυσταλλική γκοφρετών Γ ελεύθερη στάση τύπων Si προσώπου ναρκωμένη Φε

Ναρκωμένη Φε ειδική αντίσταση υποστρωμάτων GaN > 10 ⁶ Ω·Συσκευές εκατ. RF

Ελεύθερα υποστρώματα SI-GaN 2 ιντσών

Κρυσταλλική γκοφρέτα SIC

Beveling SiC Epitaxial Wafer 150,0 mm +0mm/-0,2mm 350,0um± 25,0 um

4H Crystal Form SiC Epitaxial Wafer Wafer Edge Beveling 350,0um ± 25,0um

Οπτικό πολωνικό Si-πρόσωπο CMP γ-προσώπου γκοφρετών ενιαίου κρυστάλλου SIC κρυσταλλικό

Αφήστε μήνυμα

Πολιτική Απορρήτου | ΚΙΝΑ καλός ποιότητας Κρυσταλλική γκοφρέτα GaN προμηθευτής. © 2023 - 2025 epi-wafers.com. All Rights Reserved.