• Greek
    English
    French
    German
    Italian
    Russian
    Spanish
    Portuguese
    Dutch
    Greek
    Japanese
    Korean
    Arabic
    Turkish
    Polish
Ζητήστε ένα απόσπασμα |
Αρχική Σελίδα ΠροϊόνταΤσιπ διόδων λέιζερ

94um μήκος κύματος 915nm αποδοτικότητας 1.0W/A κλίσεων τσιπ διόδων λέιζερ

Όλα τα Προϊόντα

Κρυσταλλική γκοφρέτα GaN

(65)

Κρυσταλλική γκοφρέτα SIC

(39)

GaAs Epi Wafer

(15)

Υποστρώματα διαμαντιών CVD

(15)

_γρήγορος θερμικός ανοπτώ σύστημα

(2)

Δοκιμαστής αισθητήρα εφέ Hall

(3)

Γκοφρέτα νιτριδίων αργιλίου

(21)

Τσιπ διόδων λέιζερ

(10)

Κρύσταλλο καρβιδίου του πυριτίου

(12)

Ga2O3 γκοφρέτα

(13)

γκοφρέτα πυριτίου

(26)

Γκοφρέτα σαπφείρου

(19)

Διαμορφωμένα υποστρώματα σαπφείρου

(10)

Τεφλόν κάτοχος γκοφρετών

(1)

Γκοφρέτα σε κύβους

(5)
Πιστοποίηση
ΚΙΝΑ Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. Πιστοποιήσεις
Είμαι Online Chat Now

94um μήκος κύματος 915nm αποδοτικότητας 1.0W/A κλίσεων τσιπ διόδων λέιζερ

94um μήκος κύματος 915nm αποδοτικότητας 1.0W/A κλίσεων τσιπ διόδων λέιζερ
94um μήκος κύματος 915nm αποδοτικότητας 1.0W/A κλίσεων τσιπ διόδων λέιζερ

Μεγάλες Εικόνας :  94um μήκος κύματος 915nm αποδοτικότητας 1.0W/A κλίσεων τσιπ διόδων λέιζερ

Λεπτομέρειες:
Τόπος καταγωγής: Suzhou Κίνα
Μάρκα: GaNova
Πληρωμής & Αποστολής Όροι:
Συσκευασία λεπτομέρειες: Συσκευασία κενού σε περιβάλλον καθαρού δωματίου κατηγορίας 10000, σε κασέτες των 25 τμχ ή σε δοχεία
Όροι πληρωμής: T/T
Επικοινωνία

94um μήκος κύματος 915nm αποδοτικότητας 1.0W/A κλίσεων τσιπ διόδων λέιζερ

περιγραφή
Τύπος: Δίοδος λέιζερ Τύπος συσκευασίας: Επιφανειακή βάση, Standard πακέτο
Μήκος κύματος: 915 nm Δύναμη παραγωγής: 10
Αποδοτικότητα κλίσης: 1,0 W/A Μέγεθος εκπομπού: 94μm
Ρεύμα κατωφλίου: 0.5A Αποδοτικότητα Μετατροπής Ισχύος: 58%
Επισημαίνω:

94um τσιπ διόδων λέιζερ

,

Τσιπ διόδων λέιζερ υψηλής δύναμης

,

1.0W/A τσιπ διόδων λέιζερ

μήκος κύματος 915nm αποδοτικότητας 1.0W/A κλίσεων τσιπ διόδων λέιζερ 94 μm

τσιπ λέιζερ διόδων ΜΑΡΟΥΛΙΏΝ 915nm 10W στο σχέδιο Submount

Για τη χαμηλής ισχύος κατανάλωση είναι ουσιαστικό ότι η παραγωγή από τη δίοδο λέιζερ (LD) συνδέεται αποτελεσματικά με τον οπτικό κυματοδηγό, και υπάρχουν διάφορες προσεγγίσεις που αναφέρονται στη λογοτεχνία, όπως μια παροδική σύζευξη και η σύζευξη άκρη-ενώσεων, με και χωρίς μετατροπείς σημείο-μεγέθους (SSC).

Εντούτοις, η σταθερή lasing λειτουργία στις υψηλές λειτουργούσες θερμοκρασίες είναι προβληματική δεδομένου ότι οι πηγές φωτός είναι χαρακτηριστικά ενσωματωμένες στα διηλεκτρικά υλικά, τα οποία έχουν το φτωχούς διασκεδασμό θερμότητας και το προβάδισμα σε μια υποβάθμιση στην απόδοση λέιζερ. Οι φωτοανιχνευτές (PDS) είναι επίσης συστατικά κλειδιά για τις τεχνολογίες ολοκλήρωσης -τσιπ, και τα σύνθετα υλικά συστήματα και το γερμάνιο (Γερμανία) έχουν χρησιμοποιηθεί επιτυχώς ως υλικά ανιχνευτών.

Οπτικός
Κεντρικό μήκος κύματος
915nm
Δύναμη παραγωγής
10W
Φασματικό πλάτος FWHM
≤6nm
Αποδοτικότητα κλίσεων
1.0W/A
Γρήγορη απόκλιση άξονα
60Deg
Αργή απόκλιση άξονα
11Deg
Τρόπος πόλωσης
TE
Μέγεθος εκπομπών
94um
Ηλεκτρικός
Ρεύμα κατώτατων ορίων
0.5A
Λειτουργούν ρεύμα
12A
Λειτουργούσα τάση
1.65V
Αποδοτικότητα μετατροπής δύναμης
58%
Θερμικός
Λειτουργούσα θερμοκρασία
15-55℃
Θερμοκρασία αποθήκευσης
-30-70℃
Temp μήκους κύματος. Συντελεστής
0.3nm/℃
Σχέδιο

94um μήκος κύματος 915nm αποδοτικότητας 1.0W/A κλίσεων τσιπ διόδων λέιζερ 0

FAQ

Q1: Ποιες μεθόδους πληρωμής υποστηρίζετε;
T/T και Western Union, για την επιλογή σας

Q2: Πόσο καιρό μπορώ να λάβω τη συσκευασία;
Κανονικά 1-2 εβδομάδες Fedex, DHL σαφές, UPS, TNT

Q3: Ποια είναι η χρονική ανοχή;
Το τυποποιημένο προϊόν είναι όλα στο απόθεμα. Ναυτιλία μέσω σαφούς μέσα σε 3~4 εργάσιμες ημέρες. Προσαρμοσμένη ανάγκη 15 σωρών εργάσιμες ημέρες.

Q4: Ανταλλάσσετε την επιχείρηση ή τον κατασκευαστή;
Είμαστε κατασκευαστής με περισσότερο από 11 έτη εμπειρίας, και παρέχουμε επίσης την τεχνική λύση σε όλους τους πελάτες.

Q5: Μπορείτε να εξασφαλίσετε την ποιότητά σας;
Φυσικά, είμαστε ένας από τους τοπ φημισμένους κατασκευαστές στην Κίνα. Η ποιότητα για μας είναι το σημαντικότερο πράγμα, βάζουμε τη υψηλή αξία στη φήμη μας. Η καλύτερη ποιότητα είναι η αρχή μας όλη την ώρα.

ετικέτα:

Τσιπ διόδων λέιζερ υψηλής δύναμης,

Τσιπ λέιζερ διόδων ημιαγωγών,

Τσιπ λέιζερ διόδων σε Submount

Στοιχεία επικοινωνίας
Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

Υπεύθυνος Επικοινωνίας: Xiwen Bai (Ciel)

Τηλ.:: +8613372109561

Στείλετε το ερώτημά σας απευθείας σε εμάς (0 / 3000)

Άλλα προϊόντα
Κατώφλι ρεύματος 0,5A τσιπ λέιζερ διόδων λέιζερ απόδοσης κλίσης εκτύπωσης 1,0 W/A

Κατώφλι ρεύματος 0,5A τσιπ λέιζερ διόδων λέιζερ απόδοσης κλίσης εκτύπωσης 1,0 W/A

Τύπος συσκευασίας: Επιφανειακή βάση, Standard πακέτο

Τύπος: Δίοδος λέιζερ

Εφαρμογή: Εκτύπωση λέιζερ

Λειτουργούσα θερμοκρασία: 15-55℃
Σχεδιασμός τσιπ λέιζερ διόδου 915nm 10W COS σε υπομονές

Σχεδιασμός τσιπ λέιζερ διόδου 915nm 10W COS σε υπομονές

Τύπος: Δίοδος λέιζερ

Εφαρμογή: Εκτύπωση λέιζερ

Τύπος συσκευασίας: Επιφανειακή βάση, Standard πακέτο

Λειτουργούσα θερμοκρασία: 15-55℃
915nm η επιφάνεια εκτύπωσης τσιπ διόδων λέιζερ τοποθετεί την τυποποιημένη συσκευασία

915nm η επιφάνεια εκτύπωσης τσιπ διόδων λέιζερ τοποθετεί την τυποποιημένη συσκευασία

Τύπος συσκευασίας: Επιφανειακή βάση, Standard πακέτο

Λειτουργούσα θερμοκρασία: 15-55℃

Μήκος κύματος: 915 nm

Δύναμη παραγωγής: 10
Μέγεθος πομπού 94um Diode Chip Laser On Submount Σχεδιασμός κατώφλι ρεύματος 0,5A

Μέγεθος πομπού 94um Diode Chip Laser On Submount Σχεδιασμός κατώφλι ρεύματος 0,5A

Τύπος: Δίοδος λέιζερ

Εφαρμογή: Εκτύπωση λέιζερ

Τύπος συσκευασίας: Επιφανειακή βάση, Standard πακέτο

Λειτουργούσα θερμοκρασία: 15-55℃
Τυπικό πακέτο επιφανειακής βάσης τσιπ διόδου λέιζερ 1.0W/A

Τυπικό πακέτο επιφανειακής βάσης τσιπ διόδου λέιζερ 1.0W/A

Τύπος: Δίοδος λέιζερ

Εφαρμογή: Εκτύπωση λέιζερ

Λειτουργούσα θερμοκρασία: 15-55℃

Δύναμη παραγωγής: 10
περίπου

Κρυσταλλική γκοφρέτα GaN

2inch GaN κρυσταλλική γκοφρετών Γ ελεύθερη στάση τύπων Si προσώπου ναρκωμένη Φε

Ναρκωμένη Φε ειδική αντίσταση υποστρωμάτων GaN > 10 ⁶ Ω·Συσκευές εκατ. RF

Ελεύθερα υποστρώματα SI-GaN 2 ιντσών

Κρυσταλλική γκοφρέτα SIC

Beveling SiC Epitaxial Wafer 150,0 mm +0mm/-0,2mm 350,0um± 25,0 um

4H Crystal Form SiC Epitaxial Wafer Wafer Edge Beveling 350,0um ± 25,0um

Οπτικό πολωνικό Si-πρόσωπο CMP γ-προσώπου γκοφρετών ενιαίου κρυστάλλου SIC κρυσταλλικό

Αφήστε μήνυμα

Πολιτική Απορρήτου | ΚΙΝΑ καλός ποιότητας Κρυσταλλική γκοφρέτα GaN προμηθευτής. © 2023 - 2025 epi-wafers.com. All Rights Reserved.