Κρυσταλλική γκοφρέτα SIC

Καλύτερα προϊόντα

350um 4H SiC υπόστρωμα

Υπόστρωμα τύπων SIC Ν

6inch κρυσταλλική γκοφρέτα SIC

ΚΙΝΑ Κρυσταλλική γκοφρέτα SIC

150,0mm +0mm/-0,2mm SiC Epitaxial Wafer 47,5mm ± 1,5mm

Όνομα προϊόντων:Κρυσταλλική γκοφρέτα SIC

Προσανατολισμός επιφάνειας:Εκτός άξονα: 4°toward <11-20>±0.5 °

Αρχικό επίπεδο μήκος:47.5mm ± 1.5mm
Υπόστρωμα SiC 2 ιντσών 350μm για απαιτητικά ηλεκτρονικά ισχύος

Μορφή κρυστάλλου:4h

Όνομα προϊόντων:προδιαγραφή υποστρωμάτων καρβιδίου 2inch diameterSilicon (SIC)

Διάμετρος:50.8mm±0.38mm
0.015Ω•εκατ.-0.025Ω•SIC κρυσταλλικού γκοφρετών εκατ. Si-προσώπου CMP γ-προσώπου οπτικού πολωνικού

Όνομα προϊόντων:προδιαγραφή υποστρωμάτων καρβιδίου του πυριτίου 6 ίντσας διαμέτρων (SIC)

Αρχικός επίπεδος προσανατολισμός:{10-10} ±5.0°

Μορφή κρυστάλλου:4h
Χωρίς δευτερεύον επίπεδο υπόστρωμα SiC 150,0mm 47,5mm

Μορφή κρυστάλλου:4h

Όνομα προϊόντων:Κρυσταλλική γκοφρέτα SIC

Διάμετρος:150.0mm +0mm/-0.2mm
Πολυτύπος Κανένα Επιτρεπτό SiC Επιταξιακή γκοφρέτα P-MOS P-SBD D Κατηγορία

Όνομα προϊόντων:Κρυσταλλική γκοφρέτα SIC

Αρχικό επίπεδο μήκος:47.5mm ± 1.5mm

Διάμετρος:150.0mm +0mm/-0.2mm
Επίπεδο P υποστρώματος καρβιδίου πυριτίου 260μm για ηλεκτρικές συσκευές και συσκευές μικροκυμάτων

Μορφή κρυστάλλου:4h

Όνομα προϊόντων:Κρυσταλλική γκοφρέτα SIC

Διάμετρος:150.0mm +0mm/-0.2mm
150,0 mm + 0 mm / -0,2 mm SiC Επιταξιακή Γκοφρέτα 4H Κρυσταλλική Μορφή

Διάμετρος:150.0mm +0mm/-0.2mm

Όνομα προϊόντων:Κρυσταλλική γκοφρέτα SIC

Προσανατολισμός επιφάνειας:Εκτός άξονα: 4°toward <11-20>±0.5 °
Βαθμός 2 βαθμός 150.0mm Π MOS Δ βαθμού SBD επιπέδων Π γκοφρετών Π ίντσας SIC EPI

Μορφή κρυστάλλου:4h

Όνομα προϊόντων:Κρυσταλλική γκοφρέτα SIC

Διάμετρος:150.0mm +0mm/-0.2mm
4H κρυσταλλική γκοφρέτα ≤0.2 το /cm2 0.015Ω SIC•εκατ.-0.025Ω•εκατ. 150,0 χιλ. +0mm/-0.2mm

Όνομα προϊόντων:Κρυσταλλική γκοφρέτα SIC

Μορφή κρυστάλλου:4h

Polytype:Κανένας επιτρεπόμενος
2 επίπεδο 260μm γκοφρετών Π ημιαγωγών ίντσας για τις συσκευές μικροκυμάτων συσκευών δύναμης

Μορφή κρυστάλλου:4h

Όνομα προϊόντων:Κρυσταλλική γκοφρέτα SIC

Διάμετρος:150.0mm +0mm/-0.2mm
4H SiC Epitaxial Wafer SiC Wafer Υπόστρωμα για φωτονικές συσκευές ISO9001

Όνομα προϊόντων:Κρυσταλλική γκοφρέτα SIC

Μορφή κρυστάλλου:4h

Διάμετρος:150,0 χιλ. +0mm/-0.2mm
Υπόστρωμα τύπου 6 ιντσών 4H SiC N 47,5 mm Χωρίς δευτερεύον επίπεδο

Μορφή κρυστάλλου:4h

Επιφανειακή μόλυνση μετάλλων:(Al, Cr, Fe, Ni, Cu, Zn, Pb, Na, K, Ti, Ca, V, Mn) ≤1E11cm⁻²

Όνομα προϊόντων:Κρυσταλλική γκοφρέτα SIC

Page 2 of 4|< << 1 2 3 4 >> >|

Περιήγηση στις κατηγορίες：

Κρυσταλλική γκοφρέτα SIC

350um 4H SiC υπόστρωμα

Υπόστρωμα τύπων SIC Ν

6inch κρυσταλλική γκοφρέτα SIC

ΚΙΝΑ Κρυσταλλική γκοφρέτα SIC

150,0mm +0mm/-0,2mm SiC Epitaxial Wafer 47,5mm ± 1,5mm

Υπόστρωμα SiC 2 ιντσών 350μm για απαιτητικά ηλεκτρονικά ισχύος

0.015Ω•εκατ.-0.025Ω•SIC κρυσταλλικού γκοφρετών εκατ. Si-προσώπου CMP γ-προσώπου οπτικού πολωνικού

Χωρίς δευτερεύον επίπεδο υπόστρωμα SiC 150,0mm 47,5mm

Πολυτύπος Κανένα Επιτρεπτό SiC Επιταξιακή γκοφρέτα P-MOS P-SBD D Κατηγορία

Επίπεδο P υποστρώματος καρβιδίου πυριτίου 260μm για ηλεκτρικές συσκευές και συσκευές μικροκυμάτων

150,0 mm + 0 mm / -0,2 mm SiC Επιταξιακή Γκοφρέτα 4H Κρυσταλλική Μορφή

Βαθμός 2 βαθμός 150.0mm Π MOS Δ βαθμού SBD επιπέδων Π γκοφρετών Π ίντσας SIC EPI

4H κρυσταλλική γκοφρέτα ≤0.2 το /cm2 0.015Ω SIC•εκατ.-0.025Ω•εκατ. 150,0 χιλ. +0mm/-0.2mm

2 επίπεδο 260μm γκοφρετών Π ημιαγωγών ίντσας για τις συσκευές μικροκυμάτων συσκευών δύναμης

4H SiC Epitaxial Wafer SiC Wafer Υπόστρωμα για φωτονικές συσκευές ISO9001

Υπόστρωμα τύπου 6 ιντσών 4H SiC N 47,5 mm Χωρίς δευτερεύον επίπεδο

Κρυσταλλική γκοφρέτα GaN

2inch GaN κρυσταλλική γκοφρετών Γ ελεύθερη στάση τύπων Si προσώπου ναρκωμένη Φε

Ναρκωμένη Φε ειδική αντίσταση υποστρωμάτων GaN > 10 ⁶ Ω·Συσκευές εκατ. RF

Ελεύθερα υποστρώματα SI-GaN 2 ιντσών

Κρυσταλλική γκοφρέτα SIC

Beveling SiC Epitaxial Wafer 150,0 mm +0mm/-0,2mm 350,0um± 25,0 um

4H Crystal Form SiC Epitaxial Wafer Wafer Edge Beveling 350,0um ± 25,0um

Οπτικό πολωνικό Si-πρόσωπο CMP γ-προσώπου γκοφρετών ενιαίου κρυστάλλου SIC κρυσταλλικό