Κρυσταλλική γκοφρέτα SIC

Καλύτερα προϊόντα

350um 4H SiC υπόστρωμα

Υπόστρωμα τύπων SIC Ν

6inch κρυσταλλική γκοφρέτα SIC

ΚΙΝΑ Κρυσταλλική γκοφρέτα SIC

Οπτικό πολωνικό Si-πρόσωπο CMP γ-προσώπου γκοφρετών ενιαίου κρυστάλλου SIC κρυσταλλικό

Όνομα προϊόντων:Κρυσταλλική γκοφρέτα SIC

Μορφή κρυστάλλου:4h

Η επιφάνεια τελειώνει:Γ-πρόσωπο: Οπτική στίλβωση, Si-πρόσωπο: CMP
4 ιντσών 4H-SiC Υπόστρωμα P-Level N-Type 350,0±25,0μM MPD≤0,5/Cm2 Αντίσταση 0,015Ω•Cm—0,025Ω•Cm

Όνομα προϊόντων:Κρυσταλλική γκοφρέτα SIC

Μορφή κρυστάλλου:4h

Διάμετρος:100,0mm+0,0/-0,5mm
2 ιντσών συσκευή ισχύος υψηλής κινητικότητας ηλεκτρονίων τρανζίστορ επιταξιακή πλάκα

Μέγεθος:2 ίντσες

Αντίσταση ((300K):< 350 Ω/□

Συγκέντρωση ηλεκτρονίων:> 1800 cm2/v·S
2 ίντσες GaN σε Silicon HEMT Epi σφαιρίδιο για συσκευή ισχύος

Μέγεθος:2 ίντσες

Αντίσταση ((300K):< 350 Ω/□

Συγκέντρωση ηλεκτρονίων:> 1800 cm2/v·S
6 ίντσες GaN σε πυρίτιο HEMT Epi Wafer Power Device Νιτρικό Γαλλίου GaN σε Si

Μέγεθος:6 ίντσες

Αντίσταση ((300K):< 350 Ω/□

Συγκέντρωση ηλεκτρονίων:> 9,0E12 cm-2
Μπλε LED GaN σε κυψέλη πυριτίου Μπλε λέιζερ GaN επιταξιακή κυψέλη

Διάσταση:2 -4 ίντσες

Ποσότητα παραγγελίας min:5

Συσκευασία λεπτομέρειες:Συσκευασμένος σε μια κατηγορία 100 καθαρό περιβάλλον δωματίων, στο εμπορευματοκιβώτιο 25PCS, κάτω απ
2 ιντσών GaN στο Silicon Green LED Epi Wafer Νιτρικό Γαλλίου στο Silicon

Διάσταση:2 ίντσες

Ποσότητα παραγγελίας min:5

Συσκευασία λεπτομέρειες:Συσκευασμένος σε μια κατηγορία 100 καθαρό περιβάλλον δωματίων, στο εμπορευματοκιβώτιο 25PCS, κάτω απ
2 ίντσες GaN στο Σιλικόνιο Μπλε LD Epi Wafer GaN μπλε λέιζερ στο Σιλικόνιο

Διάσταση:2 ίντσες

Ποσότητα παραγγελίας min:5

Συσκευασία λεπτομέρειες:Συσκευασμένος σε μια κατηγορία 100 καθαρό περιβάλλον δωματίων, στο εμπορευματοκιβώτιο 25PCS, κάτω απ
GaN βιόλετ λέιζερ σε πυρίτιο 2 ίντσες GaN σε πυρίτιο HEMT Epi wafer UV LD Epi wafer

Μέγεθος:2 ίντσες

ΔΕΠ:άγνωστο

εσωτερική απώλεια:άγνωστος
Αντικατάστατο AlGaN 4 ίντσες GaN στο Silicon HEMT Epi wafer νιτρίδιο γαλλίου GaN-on-Si

Μέγεθος:2 ίντσες

Αντίσταση ((300K):< 350 Ω/□

Συγκέντρωση ηλεκτρονίων:> 9,0E12 cm-2
4 ιντσών UGaN σε νιτρίδιο γαλλίου χωρίς ντόπινγκ σε κυψέλη πυριτίου

Διάσταση:4inch

Δυκρυσταλλικό002:< 550arcsec

Δυκρυσταλλικό102:< 550arcsec
4 ιντσών GaN σε Silicon Green LED Epi Wafer SiC επιταξιακές πλακέτες

Ποσότητα παραγγελίας min:5

Τιμή:1000

Συσκευασία λεπτομέρειες:Συσκευασμένος σε μια κατηγορία 100 καθαρό περιβάλλον δωματίων, στο εμπορευματοκιβώτιο 25PCS, κάτω απ

Page 3 of 4|< << 1 2 3 4 >> >|

Περιήγηση στις κατηγορίες：

Κρυσταλλική γκοφρέτα SIC

350um 4H SiC υπόστρωμα

Υπόστρωμα τύπων SIC Ν

6inch κρυσταλλική γκοφρέτα SIC

ΚΙΝΑ Κρυσταλλική γκοφρέτα SIC

Οπτικό πολωνικό Si-πρόσωπο CMP γ-προσώπου γκοφρετών ενιαίου κρυστάλλου SIC κρυσταλλικό

4 ιντσών 4H-SiC Υπόστρωμα P-Level N-Type 350,0±25,0μM MPD≤0,5/Cm2 Αντίσταση 0,015Ω•Cm—0,025Ω•Cm

2 ιντσών συσκευή ισχύος υψηλής κινητικότητας ηλεκτρονίων τρανζίστορ επιταξιακή πλάκα

2 ίντσες GaN σε Silicon HEMT Epi σφαιρίδιο για συσκευή ισχύος

6 ίντσες GaN σε πυρίτιο HEMT Epi Wafer Power Device Νιτρικό Γαλλίου GaN σε Si

Μπλε LED GaN σε κυψέλη πυριτίου Μπλε λέιζερ GaN επιταξιακή κυψέλη

2 ιντσών GaN στο Silicon Green LED Epi Wafer Νιτρικό Γαλλίου στο Silicon

2 ίντσες GaN στο Σιλικόνιο Μπλε LD Epi Wafer GaN μπλε λέιζερ στο Σιλικόνιο

GaN βιόλετ λέιζερ σε πυρίτιο 2 ίντσες GaN σε πυρίτιο HEMT Epi wafer UV LD Epi wafer

Αντικατάστατο AlGaN 4 ίντσες GaN στο Silicon HEMT Epi wafer νιτρίδιο γαλλίου GaN-on-Si

4 ιντσών UGaN σε νιτρίδιο γαλλίου χωρίς ντόπινγκ σε κυψέλη πυριτίου

4 ιντσών GaN σε Silicon Green LED Epi Wafer SiC επιταξιακές πλακέτες

Κρυσταλλική γκοφρέτα GaN

2inch GaN κρυσταλλική γκοφρετών Γ ελεύθερη στάση τύπων Si προσώπου ναρκωμένη Φε

Ναρκωμένη Φε ειδική αντίσταση υποστρωμάτων GaN > 10 ⁶ Ω·Συσκευές εκατ. RF

Ελεύθερα υποστρώματα SI-GaN 2 ιντσών

Κρυσταλλική γκοφρέτα SIC

Beveling SiC Epitaxial Wafer 150,0 mm +0mm/-0,2mm 350,0um± 25,0 um

4H Crystal Form SiC Epitaxial Wafer Wafer Edge Beveling 350,0um ± 25,0um

Οπτικό πολωνικό Si-πρόσωπο CMP γ-προσώπου γκοφρετών ενιαίου κρυστάλλου SIC κρυσταλλικό