|
Λεπτομέρειες:
|
| Όνομα προϊόντων: | Κρυσταλλική γκοφρέτα SIC | Διάμετρος: | 150.0mm +0mm/-0.2mm |
|---|---|---|---|
| Προσανατολισμός επιφάνειας: | Εκτός άξονα: 4°toward <11-20>±0.5 ° | Αρχικό επίπεδο μήκος: | 47.5mm ± 1.5mm |
| Δευτεροβάθμιο επίπεδο μήκος: | Κανένα δευτεροβάθμιο επίπεδο | Αρχικός επίπεδος προσανατολισμός: | Παράλληλο to<11-20>±1° |
| Ορθογώνιο Misorientation: | ±5.0° | Αποκλεισμός ακρών: | 3mm |
| Επισημαίνω: | κρυσταλλική γκοφρέτα 446mm SIC,4 κρυσταλλική γκοφρέτα πυριτίου Χ,Κρυσταλλική γκοφρέτα UKAS SIC |
||
47,5 χιλ. ± 1,5 κρυσταλλική γκοφρέτα 150,0 χιλ. +0mm/-0.2mm παράλληλο to±1° χιλ. SIC<11-20>
JDCD03-001-003
Επισκόπηση
Αυτήν την περίοδο, υπάρχουν δύο κύριοι τύποι γκοφρετών SIC. Ο πρώτος τύπος είναι η γυαλισμένη γκοφρέτα, η οποία είναι ένας ενιαίος δίσκος καρβιδίου του πυριτίου. Αποτελείται από τα high-purity κρύσταλλα SIC, και μπορεί να είναι 100mm ή 150mm στη διάμετρο. Χρησιμοποιείται στην υψηλής ισχύος ηλεκτρονική. Ο δεύτερος τύπος είναι η κρυσταλλική κρυστάλλινη γκοφρέτα καρβιδίου του πυριτίου. Αυτός ο τύπος γκοφρέτας δημιουργείται με την προσθήκη των στρωμάτων των ενιαίων κρυστάλλων καρβιδίου του πυριτίου σε μια επιφάνεια. Αυτή η μέθοδος απαιτεί τον ακριβή έλεγχο του πάχους του υλικού, και αναφέρεται ως επιταξία ν-τύπων.
|
Ιδιοκτησία |
P-MOS βαθμός | Π-SBD βαθμός | Βαθμός Δ |
| Μορφή κρυστάλλου | 4H | ||
| Polytype | Κανένας επιτρεπόμενος | Area≤5% | |
| (MPD) α | ≤0.2 το /cm2 | ≤0.5 το /cm2 | ≤5 το /cm2 |
| Πιάτα δεκαεξαδικού | Κανένας επιτρεπόμενος | Area≤5% | |
| Εξαγωνικό Polycrystal | Κανένας επιτρεπόμενος | ||
| Συνυπολογισμοί α | Area≤0.05% | Area≤0.05% | ΑΠΡΟΣΔΙΟΡΙΣΤΟΣ |
| Ειδική αντίσταση | 0.015Ω•εκατ.-0.025Ω•εκατ. | 0.015Ω•εκατ.-0.025Ω•εκατ. | 0.014Ω•εκατ.-0.028Ω•εκατ. |
| (EPD) α | ≤4000/cm2 | ≤8000/cm2 | ΑΠΡΟΣΔΙΟΡΙΣΤΟΣ |
| (TED) α | ≤3000/cm2 | ≤6000/cm2 | ΑΠΡΟΣΔΙΟΡΙΣΤΟΣ |
| (BPD) α | ≤1000/cm2 | ≤2000/cm2 | ΑΠΡΟΣΔΙΟΡΙΣΤΟΣ |
| (TSD) α | ≤600/cm2 | ≤1000/cm2 | ΑΠΡΟΣΔΙΟΡΙΣΤΟΣ |
| Συσσώρευση του ελαττώματος | Περιοχή ≤0.5% | Περιοχή ≤1% | ΑΠΡΟΣΔΙΟΡΙΣΤΟΣ |
|
Μόλυνση μετάλλων επιφάνειας |
(Al, χρώμιο, Φε, Νι, $cu, ZN, PB, NA, Κ, Tj, ασβέστιο, Β, ΜΝ) ≤1E11 εκατ.-2 |
||
| Διάμετρος | 150,0 χιλ. +0mm/-0.2mm | ||
| Προσανατολισμός επιφάνειας | Εκτός άξονα: 4°toward <11-20>±0.5 ° | ||
| Αρχικό επίπεδο μήκος | 47,5 χιλ. ± 1,5 χιλ. | ||
| Δευτεροβάθμιο επίπεδο μήκος | Κανένα δευτεροβάθμιο επίπεδο | ||
| Αρχικός επίπεδος προσανατολισμός | Παράλληλο to±1°<11-20> | ||
| Δευτεροβάθμιος επίπεδος προσανατολισμός | ΑΠΡΟΣΔΙΟΡΙΣΤΟΣ | ||
| Ορθογώνιο Misorientation | ±5.0° | ||
| Η επιφάνεια τελειώνει | Γ-πρόσωπο: Οπτική στίλβωση, Si-πρόσωπο: CMP | ||
| Άκρη γκοφρετών | Beveling | ||
|
Τραχύτητα επιφάνειας (10μm×10μm) |
Πρόσωπο Ra≤0.20 NM Si Πρόσωπο Ra≤0.50 NM Γ | ||
| Πάχος α | 350.0μm± 25,0 μm | ||
| LTV (10mm×10mm) α | ≤2μm | ≤3μm | |
| (TTV) α | ≤6μm | ≤10μm | |
| (ΤΟΞΟ) α | ≤15μm | ≤25μm | ≤40μm |
| (Στρέβλωση) α | ≤25μm | ≤40μm | ≤60μm |
| Τσιπ/εισοχές | Κανένας επιτρεπόμενα πλάτος ≥0.5mm και βάθος | Πλάτος και βάθος Qty.2 ≤1.0 χιλ. | |
|
Γρατσουνίζει το α (Πρόσωπο Si, CS8520) |
≤5 και συσσωρευτική διάμετρος Length≤0.5×Wafer |
≤5 και συσσωρευτικό Length≤1.5×Wafer Διάμετρος |
|
| TUA (2mm*2mm) | ≥98% | ≥95% | ΑΠΡΟΣΔΙΟΡΙΣΤΟΣ |
| Ρωγμές | Κανένας επιτρεπόμενος | ||
| Μόλυνση | Κανένας επιτρεπόμενος | ||
| Ιδιοκτησία | P-MOS βαθμός | Π-SBD βαθμός | Βαθμός Δ |
| Αποκλεισμός ακρών | 3mm | ||
Παρατήρηση: ο αποκλεισμός ακρών 3mm χρησιμοποιείται για τα στοιχεία που μαρκάρονται με το α.
Περίπου εμείς
Ειδικευόμαστε στην επεξεργασία ποικίλων υλικών στις γκοφρέτες, των υποστρωμάτων και του προσαρμοσμένου οπτικού γυαλιού parts.components που χρησιμοποιούνται ευρέως στην ηλεκτρονική, την οπτική, τη opto ηλεκτρονική και πολλούς άλλους τομείς. Επίσης έχουμε εργαστεί στενά με πολλούς εσωτερικό και oversea πανεπιστήμια, ερευνητικά όργανα και οι επιχειρήσεις, παρέχουν τα προσαρμοσμένες προϊόντα και τις υπηρεσίες για τα προγράμματα Ε&Α τους. Είναι το όραμά μας στη διατήρηση μιας καλής σχέσης της συνεργασίας με όλους τους πελάτες μας από τις καλές φήμες μας.
FAQ
Q: Ανταλλάσσετε την επιχείρηση ή τον κατασκευαστή;
Είμαστε εργοστάσιο.
Q: Πόσο καιρό είναι η παράδοσή σας χρόνος;
Γενικά είναι 3-5 ημέρες εάν τα αγαθά είναι στο απόθεμα.
ή είναι 7-10 ημέρες εάν τα αγαθά δεν είναι στο απόθεμα, είναι σύμφωνα με την ποσότητα.
Q: Παρέχετε τα δείγματα; είναι ελεύθερο ή πρόσθετο;
Ναι, θα μπορούσαμε να προσφέρουμε το δείγμα χρεώνουμε δωρεάν αλλά δεν πληρώνουμε το κόστος του φορτίου.
Q: Ποια είναι η διαδικασία καταβολής σας;
Πληρωμή <>
>=5000USD, 80% T/T πληρωμής εκ των προτέρων, ισορροπία πριν από την αποστολή.
Υπεύθυνος Επικοινωνίας: Xiwen Bai (Ciel)
Τηλ.:: +8613372109561
