Ζητήστε ένα απόσπασμα |
Αρχική Σελίδα Προϊόνταsic epitaxial wafer c face διαδικτυακός κατασκευαστής
Όλα τα Προϊόντα

Κρυσταλλική γκοφρέτα GaN

(65)

Κρυσταλλική γκοφρέτα SIC

(39)

GaAs Epi Wafer

(15)

Υποστρώματα διαμαντιών CVD

(15)

_γρήγορος θερμικός ανοπτώ σύστημα

(2)

Δοκιμαστής αισθητήρα εφέ Hall

(3)

Γκοφρέτα νιτριδίων αργιλίου

(21)

Τσιπ διόδων λέιζερ

(10)

Κρύσταλλο καρβιδίου του πυριτίου

(12)

Ga2O3 γκοφρέτα

(13)

γκοφρέτα πυριτίου

(26)

Γκοφρέτα σαπφείρου

(19)

Διαμορφωμένα υποστρώματα σαπφείρου

(10)

Τεφλόν κάτοχος γκοφρετών

(1)

Γκοφρέτα σε κύβους

(5)
Πιστοποίηση
ΚΙΝΑ Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. Πιστοποιήσεις
Είμαι Online Chat Now

sic epitaxial wafer c face διαδικτυακή κατασκευή

(33)
Αγορά Οπτικό πολωνικό Si-πρόσωπο CMP γ-προσώπου γκοφρετών ενιαίου κρυστάλλου SIC κρυσταλλικό σε απευθείας σύνδεση κατασκευαστής

Οπτικό πολωνικό Si-πρόσωπο CMP γ-προσώπου γκοφρετών ενιαίου κρυστάλλου SIC κρυσταλλικό
Επικοινωνία

JDCD03-001-004 SiC Epitaxial Wafer C-Face:Optical Polish,Si-Face:CMP Overview It involves the growth of crystals of one material on the crystal face of another (heteroepitaxy) or the same (homoepitaxy) material... Διαβάστε περισσότερα
2022-10-24 10:26:24
Αγορά 0.015Ω•εκατ.-0.025Ω•SIC κρυσταλλικού γκοφρετών εκατ. Si-προσώπου CMP γ-προσώπου οπτικού πολωνικού σε απευθείας σύνδεση κατασκευαστής

0.015Ω•εκατ.-0.025Ω•SIC κρυσταλλικού γκοφρετών εκατ. Si-προσώπου CMP γ-προσώπου οπτικού πολωνικού
Επικοινωνία

0.015Ω•cm—0.025Ω•cm SiC Epitaxial Wafer C-Face:Optical Polish,Si-Face CMP Overview A SiC wafer is a semiconductor material made of silicon. A silicon carbide wafer is a crystalline material that is made by ... Διαβάστε περισσότερα
2024-10-29 11:49:58
Αγορά 4H SiC Epitaxial Wafer SiC Wafer Υπόστρωμα για φωτονικές συσκευές ISO9001 σε απευθείας σύνδεση κατασκευαστής

4H SiC Epitaxial Wafer SiC Wafer Υπόστρωμα για φωτονικές συσκευές ISO9001
Επικοινωνία

4H SiC Epitaxial Wafer ≤0.2 /Cm2 150.0 Mm +0mm/-0.2mm 47.5 Mm ± 1.5 Mm JDCD03-001-004 Overview An epitaixal wafer is a wafer of semiconducting material made by epitaxial growth (called epitaxy) for use in ... Διαβάστε περισσότερα
2022-10-25 14:35:48
Αγορά 47,5 χιλ. ± 1,5 κρυσταλλική γκοφρέτα 150,0 χιλ. +0mm/-0.2mm παράλληλο to<11-20>±1° χιλ. SIC σε απευθείας σύνδεση κατασκευαστής

47,5 χιλ. ± 1,5 κρυσταλλική γκοφρέτα 150,0 χιλ. +0mm/-0.2mm παράλληλο to<11-20>±1° χιλ. SIC
Επικοινωνία

47.5 mm ± 1.5 mm SiC Epitaxial Wafer 150.0 mm +0mm/-0.2mm Parallel to±1° JDCD03-001-003 Overview Currently, there are two main types of SiC wafers. The first type is the polished wafer, which is a single ... Διαβάστε περισσότερα
2024-10-29 11:49:58
Αγορά 150,0 mm + 0 mm / -0,2 mm SiC Επιταξιακή Γκοφρέτα 4H Κρυσταλλική Μορφή σε απευθείας σύνδεση κατασκευαστής

150,0 mm + 0 mm / -0,2 mm SiC Επιταξιακή Γκοφρέτα 4H Κρυσταλλική Μορφή
Επικοινωνία

150.0 mm +0mm/-0.2mm Sic Epitaxial Wafer Off-Axis:4°Toward ±0.5 ° JDCD03-001-004 Overview A SiC wafer is a semiconductor made of silicon. Its flatness, thermal conductivity, and electrical conductivity make it ... Διαβάστε περισσότερα
2022-10-24 10:20:57
Αγορά Beveling SiC Epitaxial Wafer 150,0 mm +0mm/-0,2mm 350,0um± 25,0 um σε απευθείας σύνδεση κατασκευαστής

Beveling SiC Epitaxial Wafer 150,0 mm +0mm/-0,2mm 350,0um± 25,0 um
Επικοινωνία

Beveling SiC Epitaxial Wafer 150.0 mm +0mm/-0.2mm 350.0μm± 25.0 μm JDCD03-001-004 Overview The 200-mm wafers can be used for a variety of applications. These wafers are 50% thinner than the standard silicon ... Διαβάστε περισσότερα
2022-10-24 10:21:01
Αγορά 4H Crystal Form SiC Epitaxial Wafer Wafer Edge Beveling 350,0um ± 25,0um σε απευθείας σύνδεση κατασκευαστής

4H Crystal Form SiC Epitaxial Wafer Wafer Edge Beveling 350,0um ± 25,0um
Επικοινωνία

JDCD03-001-004 SiC Epitaxial Wafer Wafer Edge Beveling 350.0μm± 25.0 μm JDCD03-001-004 Overview Several methods of growing the epitaxial layer on existing silicon or other wafers are currently used: metal ... Διαβάστε περισσότερα
2022-10-24 10:21:37
Αγορά 150,0mm +0mm/-0,2mm SiC Epitaxial Wafer 47,5mm ± 1,5mm σε απευθείας σύνδεση κατασκευαστής

150,0mm +0mm/-0,2mm SiC Epitaxial Wafer 47,5mm ± 1,5mm
Επικοινωνία

150.0mm +0mm/-0.2mm JDCD03-001-004 SiC Epitaxial Wafer 47.5 mm ± 1.5 mm Overview Because SiC has a high thermal conductivity, SiC dissipates heat more rapidly than other semiconductor materials. This enables ... Διαβάστε περισσότερα
2022-10-24 10:23:40
Αγορά 4H κρυσταλλική γκοφρέτα ≤0.2 το /cm2 0.015Ω SIC•εκατ.-0.025Ω•εκατ. 150,0 χιλ. +0mm/-0.2mm σε απευθείας σύνδεση κατασκευαστής

4H κρυσταλλική γκοφρέτα ≤0.2 το /cm2 0.015Ω SIC•εκατ.-0.025Ω•εκατ. 150,0 χιλ. +0mm/-0.2mm
Επικοινωνία

4H SiC Epitaxial Wafer ≤0.2 /Cm2 0.015Ω•Cm—0.025Ω•Cm 150.0 mm +0mm/-0.2mm JDCD03-001-004 Overview The 200-mm wafers can be used for a variety of applications. These wafers are 50% thinner than the standard ... Διαβάστε περισσότερα
2024-10-29 11:49:58
Αγορά 4H κρυσταλλική γκοφρέτα 0.015Ω SIC•εκατ.-0.025Ω•Εκατ. ≤4000/cm ² 150,0 χιλ. +0mm/-0.2mm σε απευθείας σύνδεση κατασκευαστής

4H κρυσταλλική γκοφρέτα 0.015Ω SIC•εκατ.-0.025Ω•Εκατ. ≤4000/cm ² 150,0 χιλ. +0mm/-0.2mm
Επικοινωνία

4H SiC Epitaxial Wafer 0.015Ω•cm—0.025Ω•cm ≤4000/cm2 150.0 mm +0mm/-0.2mm JDCD03-001-003 Overview The next type is beta silicon carbide. Beta SiC is produced at temperatures higher than 1700 degrees Celsius. ... Διαβάστε περισσότερα
2024-10-29 11:49:58
Page 1 of 4|< 1 2 3 4 >|
περίπου

Κρυσταλλική γκοφρέτα GaN

2inch GaN κρυσταλλική γκοφρετών Γ ελεύθερη στάση τύπων Si προσώπου ναρκωμένη Φε

Ναρκωμένη Φε ειδική αντίσταση υποστρωμάτων GaN > 10 ⁶ Ω·Συσκευές εκατ. RF

Ελεύθερα υποστρώματα SI-GaN 2 ιντσών

Κρυσταλλική γκοφρέτα SIC

Beveling SiC Epitaxial Wafer 150,0 mm +0mm/-0,2mm 350,0um± 25,0 um

4H Crystal Form SiC Epitaxial Wafer Wafer Edge Beveling 350,0um ± 25,0um

Οπτικό πολωνικό Si-πρόσωπο CMP γ-προσώπου γκοφρετών ενιαίου κρυστάλλου SIC κρυσταλλικό

Αφήστε μήνυμα

Πολιτική Απορρήτου | ΚΙΝΑ καλός Ποιότητα Κρυσταλλική γκοφρέτα GaN προμηθευτής. © 2023 - 2026 Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.. All Rights Reserved.