Αρχική Σελίδα Προϊόνταfree standing gan substrates διαδικτυακός κατασκευαστής
Πιστοποίηση
ΚΙΝΑ Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. Πιστοποιήσεις
Είμαι Online Chat Now

free standing gan substrates διαδικτυακή κατασκευή

(57)
Αγορά Un Doped GaN Epitaxial Wafer M Face Free Standing GaN Υποστρώματα σε απευθείας σύνδεση κατασκευαστής

Un Doped GaN Epitaxial Wafer M Face Free Standing GaN Υποστρώματα

5 X 10 mm2 M Face Free-Standing GaN Substrates 350 ±25 µm TTV ≤ 10 µm 5*10.5mm2 M-face Un-doped n-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity < 0.1 Ω·cm Power device/laser wafer Overview GaN ... Διαβάστε περισσότερα
2023-02-17 10:52:50
Αγορά 10 X 10,5 mm2 Ελεύθερα στάσιμα υποστρώματα GaN - 10 μm ≤ BOW ≤ 10 μm σε απευθείας σύνδεση κατασκευαστής

10 X 10,5 mm2 Ελεύθερα στάσιμα υποστρώματα GaN - 10 μm ≤ BOW ≤ 10 μm

10*10.5mm² C-face Un-doped n-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity < 0.1 Ω·cm Power device/laser Applications Laser diodes: violet LD, blue LD, and green LD Power electronic devices, High ... Διαβάστε περισσότερα
2025-04-27 11:43:50
Αγορά Πάχος 350 ±25 µm 10 X 10,5 mm2 Ελεύθερα στάσιµα υποστρώµατα GaN σε απευθείας σύνδεση κατασκευαστής

Πάχος 350 ±25 µm 10 X 10,5 mm2 Ελεύθερα στάσιµα υποστρώµατα GaN

10*10.5mm² C-face Un-doped n-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity < 0.1 Ω·cm Power device/laser Overview GaN Substrates GaN (gallium nitride) substrates and wafers with high quality (low ... Διαβάστε περισσότερα
2025-04-04 22:43:28
Αγορά Υποστρώματα ενός προσώπου GaN κρυσταλλικά γκοφρετών ελεύθερα μόνιμα GaN σε απευθείας σύνδεση κατασκευαστής

Υποστρώματα ενός προσώπου GaN κρυσταλλικά γκοφρετών ελεύθερα μόνιμα GaN

5*10.5mm2 A Face Free-Standing GaN Substrates Thickness 350 ±25 µm 5*10.5mm2 A-face Un-doped SI-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity > 106 Ω·cm RF devices wafer Overview Gallium Nitride ... Διαβάστε περισσότερα
2023-02-17 10:57:06
Αγορά Ελεύθερα υποστρώματα SI-GaN 2 ιντσών σε απευθείας σύνδεση κατασκευαστής

Ελεύθερα υποστρώματα SI-GaN 2 ιντσών

2inch C-face Fe-doped SI-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity > 106 Ω·cm RF devices To reduce the Fe trapping carrier and the sheet resistances of the two-dimension electron gas generated ... Διαβάστε περισσότερα
2024-10-14 17:06:30
Αγορά Μ προσώπου GaN κρυσταλλικά υποστρώματα 325um TTV 10um GaN γκοφρετών ελεύθερα μόνιμα σε απευθείας σύνδεση κατασκευαστής

Μ προσώπου GaN κρυσταλλικά υποστρώματα 325um TTV 10um GaN γκοφρετών ελεύθερα μόνιμα

5*10.5mm2 M-face Un-doped n-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity < 0.1 Ω·cm Power device/laser wafer Overview Gallium Nitride (GaN) substrate is a high-quality single-crystal substrate. ... Διαβάστε περισσότερα
2022-10-08 17:04:46
Αγορά 10 X 10,5 mm2 C Πρόσωπο Μη ντοπιζόμενο N τύπου Ανεξάρτητο στάσιμο GaN μονοκρυσταλλικό υπόστρωμα σε απευθείας σύνδεση κατασκευαστής

10 X 10,5 mm2 C Πρόσωπο Μη ντοπιζόμενο N τύπου Ανεξάρτητο στάσιμο GaN μονοκρυσταλλικό υπόστρωμα

10*10.5mm² C-face Un-doped n-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity < 0.1 Ω·cm Power device/laser Overview Premium quality GaN crystal substrates with low dislocation density (on the order ... Διαβάστε περισσότερα
2025-04-27 11:43:50
Αγορά TTV ≤ 10μm Α-πρόσωπο χωρίς ντόπινγκ N-τύπου ελεύθερο στάσιμο GaN μονοκρυσταλλικό υπόστρωμα Αντίσταση 0,1 Ω·cm Συσκευή ισχύος/λέιζερ W σε απευθείας σύνδεση κατασκευαστής

TTV ≤ 10μm Α-πρόσωπο χωρίς ντόπινγκ N-τύπου ελεύθερο στάσιμο GaN μονοκρυσταλλικό υπόστρωμα Αντίσταση 0,1 Ω·cm Συσκευή ισχύος/λέιζερ W

5*10mm2 A-face Un-doped n-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity < 0.1 Ω·cm Power device/laser wafer Overview Gallium nitride (GaN) is a very hard, mechanically stable wide bandgap ... Διαβάστε περισσότερα
2025-04-27 11:43:51
Αγορά Μακροελαττωματική πυκνότητα 0cm−2 Μη ντοπαρισμένο τύπου SI ελεύθερο στάσιμο υπόστρωμα μονοκρυσταλλικού GaN για συσκευές ραδιοσυχνοτήτων 5*10mm2 M-Face σε απευθείας σύνδεση κατασκευαστής

Μακροελαττωματική πυκνότητα 0cm−2 Μη ντοπαρισμένο τύπου SI ελεύθερο στάσιμο υπόστρωμα μονοκρυσταλλικού GaN για συσκευές ραδιοσυχνοτήτων 5*10mm2 M-Face

5*10mm2 M-face Un-doped SI-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity > 106 Ω·cm RF devices wafer Overview Thin Epi wafers are commonly used for leading edge MOS devices. Thick Epi or Multi... Διαβάστε περισσότερα
2025-04-27 11:43:51
Αγορά 5x10mm2 SP-Face 10-11 Ανεξάρτητο ελεύθερο υπόστρωμα GaN μονοκρυσταλλικού τύπου N χωρίς ντόπιση με TTV ≤ 10μm Αντίσταση 0,05 Ω·cm σε απευθείας σύνδεση κατασκευαστής

5x10mm2 SP-Face 10-11 Ανεξάρτητο ελεύθερο υπόστρωμα GaN μονοκρυσταλλικού τύπου N χωρίς ντόπιση με TTV ≤ 10μm Αντίσταση 0,05 Ω·cm

5*10mm2 SP-face (10-11) Un-doped n-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity < 0.05 Ω·cm Power device/laser wafer Overview GaN has many serious advantages over silicon, being more power ... Διαβάστε περισσότερα
2025-04-27 11:43:51
Page 1 of 6|< 1 2 3 4 5 6 >|