|
Λεπτομέρειες:
|
| Εμφάνιση: | Κυκλική άκρη τοποθέτησης ζώνης | Όνομα προϊόντων: | Γκοφρέτα νιτριδίων αργιλίου |
|---|---|---|---|
| Διάμετρος (mm): | 25.4±0.5 | Πάχος (μm): | 400±50 |
| Μορφή κρυστάλλου: | 2H | Polytype: | {0001}±0,5° |
| Επισημαίνω: | ενιαίο κρύσταλλο 25.4mm AlN,2H υπόστρωμα νιτριδίων αργιλίου,ενιαίο κρύσταλλο 1inch AlN |
||
ενιαίο κρύσταλλο 400±50μM βαθμός S/P/R {0001} ±0.5° 25.4±0.5mm 1inch AlN
Ενιαίο κρύσταλλο 400±50μm JDCD02-001-002 1inch AlN βαθμός S/P/R
Το νιτρίδιο αργιλίου είναι ένα ιδιαίτερα επιθυμητό υλικό στις συγκεκριμένες εφαρμογές όπου η υψηλή θερμική αγωγιμότητα, η ηλεκτρική μόνωση, ή/και η μηχανική δύναμη απαιτούνται.
Το υλικό είναι ένας καλός ηλεκτρικός μονωτής με την άριστη θερμική αγωγιμότητα. Οι υψηλές μονώνοντας ιδιότητές της το κάνουν μια άριστη επιλογή για ποικίλες εφαρμογές. Μια ευρεία ποικιλία των προϊόντων μπορεί να γίνει από το νιτρίδιο αργιλίου.
Αυτό είναι το πιό κοινής χρήσης για το νιτρίδιο αργιλίου. Είναι ένα σημαντικό υλικό στην αεροδιαστημική βιομηχανία. Εντούτοις, υπάρχουν μερικοί περιορισμοί που συνδέονται με το. Είναι ασταθές στις υψηλές θερμοκρασίες και σε μερικά περιβάλλοντα.
| 1inch υπόστρωμα ενιαίου κρυστάλλου νιτριδίων αργιλίου | |||
| Προδιαγραφές κρυστάλλου | Αξία παραμέτρου | ||
| Διάμετρος (χιλ.) | 25.4±0.5 | ||
| Πάχος (μm) | 400±50 | ||
| Μορφή κρυστάλλου | 2H | ||
| Polytype | {0001} ±0.5° | ||
| Στίλβωση επιφάνειας | Επιφάνεια αργιλίου: χημική στίλβωση (η διπλή στίλβωση μπορεί να προσαρμοστεί) | ||
| Τραχύτητα |
Πρόσωπο Al: ≤0.5nm Πρόσωπο Ν (πίσω): ≤1.2μm |
||
| εμφάνιση | Κυκλική τοποθετώντας άκρη ζωνών | ||
| Ποιοτικός βαθμός | Βαθμός του S (έξοχος) | Βαθμός Π (Prouduction) | Βαθμός Ρ (έρευνα) |
| Μισό ύψος HRXRD width@ {0002} (arcsec) | ≤150 | ≤300 | ≤500 |
| Μισό ύψος HRXRD width@ {10-12} (arcsec) | ≤100 | ≤200 | ≤400 |
| απορρόφηση το coefficient@265nm (cm-1) | ≤50 | ≤70 | ≤100 |
| Αποκλεισμός ακρών (χιλ.) | 1 | 1 | 1 |
| Εισοχές | / | / | / |
| Τσιπ | / | / | ≤3 συσσωρευτικό ≤1.0mm |
| TUA | ≥90% | ||
| Κύριος προσανατολισμός ακρών προσδιορισμού θέσης | {10-10} ±5.0° | ||
| Προσανατολισμός της δευτεροβάθμιας επιφάνειας εντόπισης |
Πρόσωπο Al: Περιστραφείτε δεξιόστροφα στην κατεύθυνση του κύριου προσδιορισμού θέσης edge90°±5° Πρόσωπο Ν: Περιστραφείτε αντίθετα προς τη φορά των δεικτων του ρολογιού στην κατεύθυνση του κύριου προσδιορισμού θέσης edge90°±5° |
||
| TTV (μm) | ≤30 | ||
| Στρέβλωση (μm) | ≤30 | ||
| Τόξο (μm) | ≤30 | ||
| Ρωγμές | Όχι, γυμνό μάτι, ισχυρό φως | ||
| Μόλυνση | Όχι, γυμνό μάτι, ακτινοβολία | ||
| Κωδικοποίηση λέιζερ | Πρόσωπο Ν, παράλληλο στην κύρια άκρη εντόπισης | ||
| Συσκευασία | Μονολιθικό κιβώτιο γκοφρετών | ||
Περίπου εμείς
Ειδικευόμαστε στην επεξεργασία ποικίλων υλικών στις γκοφρέτες, των υποστρωμάτων και του προσαρμοσμένου οπτικού γυαλιού parts.components που χρησιμοποιούνται ευρέως στην ηλεκτρονική, την οπτική, τη opto ηλεκτρονική και πολλούς άλλους τομείς. Επίσης έχουμε εργαστεί στενά με πολλούς εσωτερικό και oversea πανεπιστήμια, ερευνητικά όργανα και οι επιχειρήσεις, παρέχουν τα προσαρμοσμένες προϊόντα και τις υπηρεσίες για τα προγράμματα Ε&Α τους. Είναι το όραμά μας στη διατήρηση μιας καλής σχέσης της συνεργασίας με όλους τους πελάτες μας από τις καλές φήμες μας.
FAQ
Q: Ανταλλάσσετε την επιχείρηση ή τον κατασκευαστή;
Είμαστε εργοστάσιο.
Q: Πόσο καιρό είναι η παράδοσή σας χρόνος;
Γενικά είναι 3-5 ημέρες εάν τα αγαθά είναι στο απόθεμα.
ή είναι 7-10 ημέρες εάν τα αγαθά δεν είναι στο απόθεμα, είναι σύμφωνα με την ποσότητα.
Q: Παρέχετε τα δείγματα; είναι ελεύθερο ή πρόσθετο;
Ναι, θα μπορούσαμε να προσφέρουμε το δείγμα χρεώνουμε δωρεάν αλλά δεν πληρώνουμε το κόστος του φορτίου.
Q: Ποια είναι η διαδικασία καταβολής σας;
Πληρωμή <>
>=5000USD, 80% T/T πληρωμής εκ των προτέρων, ισορροπία πριν από την αποστολή.
Υπεύθυνος Επικοινωνίας: Xiwen Bai (Ciel)
Τηλ.:: +8613372109561
