Να στείλετε μήνυμα
Ζητήστε ένα απόσπασμα |
Αρχική Σελίδα Προϊόνταsic epitaxial wafer c face διαδικτυακός κατασκευαστής
Όλα τα Προϊόντα

Κρυσταλλική γκοφρέτα GaN

(61)

Κρυσταλλική γκοφρέτα SIC

(28)

GaAs Epi Wafer

(15)

Υποστρώματα διαμαντιών CVD

(15)

_γρήγορος θερμικός ανοπτώ σύστημα

(2)

Δοκιμαστής αισθητήρα εφέ Hall

(3)

Γκοφρέτα νιτριδίων αργιλίου

(21)

Τσιπ διόδων λέιζερ

(10)

Κρύσταλλο καρβιδίου του πυριτίου

(12)

Ga2O3 γκοφρέτα

(13)

γκοφρέτα πυριτίου

(26)

Γκοφρέτα σαπφείρου

(19)

Διαμορφωμένα υποστρώματα σαπφείρου

(10)

Τεφλόν κάτοχος γκοφρετών

(1)

Γκοφρέτα σε κύβους

(5)
Πιστοποίηση
ΚΙΝΑ Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. Πιστοποιήσεις
Είμαι Online Chat Now

sic epitaxial wafer c face διαδικτυακή κατασκευή

(26)
Αγορά Υπόστρωμα τύπου 6 ιντσών 4H SiC N 47,5 mm Χωρίς δευτερεύον επίπεδο σε απευθείας σύνδεση κατασκευαστής

Υπόστρωμα τύπου 6 ιντσών 4H SiC N 47,5 mm Χωρίς δευτερεύον επίπεδο
Επικοινωνία

Διαβάστε περισσότερα
2022-10-24 10:26:17
Αγορά Γκοφρέτα τύπου N 6 ιντσών P MOS Grade 4H SiC Υπόστρωμα 350,0 ± 25,0um σε απευθείας σύνδεση κατασκευαστής

Γκοφρέτα τύπου N 6 ιντσών P MOS Grade 4H SiC Υπόστρωμα 350,0 ± 25,0um
Επικοινωνία

Διαβάστε περισσότερα
2022-10-24 10:21:10
Αγορά Επίπεδο P υποστρώματος καρβιδίου πυριτίου 260μm για ηλεκτρικές συσκευές και συσκευές μικροκυμάτων σε απευθείας σύνδεση κατασκευαστής

Επίπεδο P υποστρώματος καρβιδίου πυριτίου 260μm για ηλεκτρικές συσκευές και συσκευές μικροκυμάτων
Επικοινωνία

Διαβάστε περισσότερα
2023-02-17 17:14:50
Αγορά SP Face 5 X 10mm2 Υπόστρωμα Νιτριδίου Γαλλίου 350um σε απευθείας σύνδεση κατασκευαστής

SP Face 5 X 10mm2 Υπόστρωμα Νιτριδίου Γαλλίου 350um
Επικοινωνία

Διαβάστε περισσότερα
2022-10-08 16:41:01
Αγορά Τύπος N 6 ιντσών 4H Υπόστρωμα από καρβίδιο πυριτίου Πρωτεύον επίπεδο μήκος 47,5 mm σε απευθείας σύνδεση κατασκευαστής

Τύπος N 6 ιντσών 4H Υπόστρωμα από καρβίδιο πυριτίου Πρωτεύον επίπεδο μήκος 47,5 mm
Επικοινωνία

Διαβάστε περισσότερα
2022-10-24 10:22:34
Αγορά Υπόστρωμα 4 ιντσών 4H-SiC P-Level SI 500,0±25,0μM MPD≤0,3/Cm2 Αντίσταση≥1E9Ω·Cm για ισχύ και φούρνο μικροκυμάτων σε απευθείας σύνδεση κατασκευαστής

Υπόστρωμα 4 ιντσών 4H-SiC P-Level SI 500,0±25,0μM MPD≤0,3/Cm2 Αντίσταση≥1E9Ω·Cm για ισχύ και φούρνο μικροκυμάτων
Επικοινωνία

Διαβάστε περισσότερα
2022-10-24 10:37:50
Page 3 of 3|< 1 2 3 >|
περίπου

Κρυσταλλική γκοφρέτα GaN

2inch GaN κρυσταλλική γκοφρετών Γ ελεύθερη στάση τύπων Si προσώπου ναρκωμένη Φε

Ναρκωμένη Φε ειδική αντίσταση υποστρωμάτων GaN > 10 ⁶ Ω·Συσκευές εκατ. RF

Ελεύθερα υποστρώματα SI-GaN 2 ιντσών

Κρυσταλλική γκοφρέτα SIC

Beveling SiC Epitaxial Wafer 150,0 mm +0mm/-0,2mm 350,0um± 25,0 um

4H Crystal Form SiC Epitaxial Wafer Wafer Edge Beveling 350,0um ± 25,0um

Οπτικό πολωνικό Si-πρόσωπο CMP γ-προσώπου γκοφρετών ενιαίου κρυστάλλου SIC κρυσταλλικό

Αφήστε μήνυμα

Πολιτική Απορρήτου | ΚΙΝΑ καλός ποιότητας Κρυσταλλική γκοφρέτα GaN προμηθευτής. © 2023 - 2024 epi-wafers.com. All Rights Reserved.