Ζητήστε ένα απόσπασμα |
Αρχική Σελίδα Προϊόνταsic epitaxial wafer c face διαδικτυακός κατασκευαστής
Όλα τα Προϊόντα

Κρυσταλλική γκοφρέτα GaN

(65)

Κρυσταλλική γκοφρέτα SIC

(39)

GaAs Epi Wafer

(15)

Υποστρώματα διαμαντιών CVD

(15)

_γρήγορος θερμικός ανοπτώ σύστημα

(2)

Δοκιμαστής αισθητήρα εφέ Hall

(3)

Γκοφρέτα νιτριδίων αργιλίου

(21)

Τσιπ διόδων λέιζερ

(10)

Κρύσταλλο καρβιδίου του πυριτίου

(12)

Ga2O3 γκοφρέτα

(13)

γκοφρέτα πυριτίου

(26)

Γκοφρέτα σαπφείρου

(19)

Διαμορφωμένα υποστρώματα σαπφείρου

(10)

Τεφλόν κάτοχος γκοφρετών

(1)

Γκοφρέτα σε κύβους

(5)
Πιστοποίηση
ΚΙΝΑ Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. Πιστοποιήσεις
Είμαι Online Chat Now

sic epitaxial wafer c face διαδικτυακή κατασκευή

(33)
Αγορά Υπόστρωμα τύπου 6 ιντσών 4H SiC N 47,5 mm Χωρίς δευτερεύον επίπεδο σε απευθείας σύνδεση κατασκευαστής

Υπόστρωμα τύπου 6 ιντσών 4H SiC N 47,5 mm Χωρίς δευτερεύον επίπεδο
Επικοινωνία

Διαβάστε περισσότερα
2022-10-24 10:26:17
Αγορά Επίπεδο P υποστρώματος καρβιδίου πυριτίου 260μm για ηλεκτρικές συσκευές και συσκευές μικροκυμάτων σε απευθείας σύνδεση κατασκευαστής

Επίπεδο P υποστρώματος καρβιδίου πυριτίου 260μm για ηλεκτρικές συσκευές και συσκευές μικροκυμάτων
Επικοινωνία

Διαβάστε περισσότερα
2024-10-29 11:49:58
Αγορά 4 ίντσες 4H-SiC Υποστρώμα P-Level SI 500.0±25.0μM MPD≤0.3/Cm2 Αντίσταση≥1E9Ω·Cm Για ισχύ μικροκυμάτων σε απευθείας σύνδεση κατασκευαστής

4 ίντσες 4H-SiC Υποστρώμα P-Level SI 500.0±25.0μM MPD≤0.3/Cm2 Αντίσταση≥1E9Ω·Cm Για ισχύ μικροκυμάτων
Επικοινωνία

Διαβάστε περισσότερα
2025-04-27 11:43:50
Αγορά 150mm 4H SiC Wafer Ημιμονωτικό Υπόστρωμα 6 ιντσών 350μm σε απευθείας σύνδεση κατασκευαστής

150mm 4H SiC Wafer Ημιμονωτικό Υπόστρωμα 6 ιντσών 350μm
Επικοινωνία

Διαβάστε περισσότερα
2022-10-24 10:22:12
Αγορά Χωρίς δευτερεύον επίπεδο υπόστρωμα SiC 150,0mm 47,5mm σε απευθείας σύνδεση κατασκευαστής

Χωρίς δευτερεύον επίπεδο υπόστρωμα SiC 150,0mm 47,5mm
Επικοινωνία

Διαβάστε περισσότερα
2022-10-24 10:24:09
Αγορά 4 ίντσες 4H-SiC Υποστρώμα P-επίπεδο SI 500.0±25.0μm MPD≤5/cm2 Αντίσταση≥1E5Ω·cm Για ισχύ μικροκυμάτων σε απευθείας σύνδεση κατασκευαστής

4 ίντσες 4H-SiC Υποστρώμα P-επίπεδο SI 500.0±25.0μm MPD≤5/cm2 Αντίσταση≥1E5Ω·cm Για ισχύ μικροκυμάτων
Επικοινωνία

Διαβάστε περισσότερα
2025-04-27 11:43:50
Αγορά 4 ιντσών 4H-SiC Υπόστρωμα P-Level N-Type 350,0±25,0μM MPD≤0,5/Cm2 Αντίσταση 0,015Ω•Cm—0,025Ω•Cm σε απευθείας σύνδεση κατασκευαστής

4 ιντσών 4H-SiC Υπόστρωμα P-Level N-Type 350,0±25,0μM MPD≤0,5/Cm2 Αντίσταση 0,015Ω•Cm—0,025Ω•Cm
Επικοινωνία

Διαβάστε περισσότερα
2025-04-04 22:43:25
Αγορά 2 επίπεδο 260μm γκοφρετών Π ημιαγωγών ίντσας για τις συσκευές μικροκυμάτων συσκευών δύναμης σε απευθείας σύνδεση κατασκευαστής

2 επίπεδο 260μm γκοφρετών Π ημιαγωγών ίντσας για τις συσκευές μικροκυμάτων συσκευών δύναμης
Επικοινωνία

Διαβάστε περισσότερα
2022-10-24 10:25:55
Αγορά Γκοφρέτα τύπου N 6 ιντσών P MOS Grade 4H SiC Υπόστρωμα 350,0 ± 25,0um σε απευθείας σύνδεση κατασκευαστής

Γκοφρέτα τύπου N 6 ιντσών P MOS Grade 4H SiC Υπόστρωμα 350,0 ± 25,0um
Επικοινωνία

Διαβάστε περισσότερα
2022-10-24 10:21:10
Αγορά 2 ιντσών C-Face Fe-Doped SI-Type Free-Standing GaN Αντίσταση υποστρώματος μονού κρυστάλλου > 106 Ω·cm Συσκευές RF σε απευθείας σύνδεση κατασκευαστής

2 ιντσών C-Face Fe-Doped SI-Type Free-Standing GaN Αντίσταση υποστρώματος μονού κρυστάλλου > 106 Ω·cm Συσκευές RF
Επικοινωνία

Διαβάστε περισσότερα
2025-04-04 22:43:44
Page 3 of 4|< 1 2 3 4 >|
περίπου

Κρυσταλλική γκοφρέτα GaN

2inch GaN κρυσταλλική γκοφρετών Γ ελεύθερη στάση τύπων Si προσώπου ναρκωμένη Φε

Ναρκωμένη Φε ειδική αντίσταση υποστρωμάτων GaN > 10 ⁶ Ω·Συσκευές εκατ. RF

Ελεύθερα υποστρώματα SI-GaN 2 ιντσών

Κρυσταλλική γκοφρέτα SIC

Beveling SiC Epitaxial Wafer 150,0 mm +0mm/-0,2mm 350,0um± 25,0 um

4H Crystal Form SiC Epitaxial Wafer Wafer Edge Beveling 350,0um ± 25,0um

Οπτικό πολωνικό Si-πρόσωπο CMP γ-προσώπου γκοφρετών ενιαίου κρυστάλλου SIC κρυσταλλικό

Αφήστε μήνυμα

Πολιτική Απορρήτου | ΚΙΝΑ καλός ποιότητας Κρυσταλλική γκοφρέτα GaN προμηθευτής. © 2023 - 2025 Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.. All Rights Reserved.