|
|
JDZJ01-001-004 SiC Ingot Crystal 6" βαθμού P2025-04-04 22:42:33 |
|
|
Γκοφρέτα τύπου N 6 ιντσών P MOS Grade 4H SiC Υπόστρωμα 350,0 ± 25,0um2022-10-24 10:21:10 |
|
|
150,0mm +0mm/-0,2mm SiC Epitaxial Wafer 47,5mm ± 1,5mm2022-10-24 10:23:40 |
|
|
350um 4H SiC υπόστρωμα2022-10-09 16:57:57 |