Αρχική Σελίδα Προϊόνταn type sic crystal διαδικτυακός κατασκευαστής
Πιστοποίηση
ΚΙΝΑ Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. Πιστοποιήσεις
Είμαι Online Chat Now

n type sic crystal διαδικτυακή κατασκευή

(26)
Αγορά καρβίδιο 4 του πυριτίου ενιαίου κρυστάλλου 4H Politype» πρόσωπο Si βαθμού Π σε απευθείας σύνδεση κατασκευαστής

καρβίδιο 4 του πυριτίου ενιαίου κρυστάλλου 4H Politype» πρόσωπο Si βαθμού Π

JDZJ01-001-001 SiC Seed Crystal 4" P Grade Si-Face 90°Cw.From Primary Flat±5° SiC Seed Crystal 4" PGrade The physical and electronic properties of SiC make it the foremost semiconductor material for short ... Διαβάστε περισσότερα
2022-09-27 17:01:35
Αγορά 2 ιντσών C-Face Fe-Doped SI-Type Free-Standing GaN Αντίσταση υποστρώματος μονού κρυστάλλου > 106 Ω·cm Συσκευές RF σε απευθείας σύνδεση κατασκευαστής

2 ιντσών C-Face Fe-Doped SI-Type Free-Standing GaN Αντίσταση υποστρώματος μονού κρυστάλλου > 106 Ω·cm Συσκευές RF

2inch C-face Fe-doped SI-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity > 106 Ω·cm RF devices Overview Gallium Nitride (GaN) epitaxial wafers (epi-wafers). GaN high-electron-mobility transistors ... Διαβάστε περισσότερα
2025-04-04 22:43:44
Αγορά 2inch GaN κρυσταλλική γκοφρετών Γ ελεύθερη στάση τύπων Si προσώπου ναρκωμένη Φε σε απευθείας σύνδεση κατασκευαστής

2inch GaN κρυσταλλική γκοφρετών Γ ελεύθερη στάση τύπων Si προσώπου ναρκωμένη Φε

2inch C-face Fe-doped SI-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity > 106 Ω·cm RF devices The growth characteristics of Fe-doped GaN epitaxial layers on semi-insulating SiC (001) substrates ... Διαβάστε περισσότερα
2024-10-14 17:06:30
Αγορά Ημι μονώνοντας υπόστρωμα 150mm τύπων 6inch 4H SIC Si επιπέδων Π σε απευθείας σύνδεση κατασκευαστής

Ημι μονώνοντας υπόστρωμα 150mm τύπων 6inch 4H SIC Si επιπέδων Π

P-Level SI-Type 6inch 4H-SiC Semi insulating substrate 350.0±25.0μm MPD≤0.5/cm2 Resistivity≥1E9Ω·cm 6inch 4H-SiC substrate P-level SI-Type 350.0±25.0μm MPD≤0.5/cm2 Resistivity≥1E9Ω·cm for power and microwave ... Διαβάστε περισσότερα
2022-10-24 10:21:46
Αγορά Μπροστινή τραχύτητα GaN επιφάνειας στο υπόστρωμα GaN γκοφρετών πυριτίου σε απευθείας σύνδεση κατασκευαστής

Μπροστινή τραχύτητα GaN επιφάνειας στο υπόστρωμα GaN γκοφρετών πυριτίου

M Face Free-Standing GaN Substrates Front Surface Roughness < 0.2 Nm (Polished) Or < 0.3 nm 5*10.5mm2 M-face Un-doped n-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity < 0.1 Ω·cm Power device/laser ... Διαβάστε περισσότερα
2022-10-08 17:19:48
Αγορά SP Face 5 X 10mm2 Υπόστρωμα Νιτριδίου Γαλλίου 350um σε απευθείας σύνδεση κατασκευαστής

SP Face 5 X 10mm2 Υπόστρωμα Νιτριδίου Γαλλίου 350um

5 x 10mm2 Free-standing GaN Substrates 350 ±25 µm From 1 x 105 to 3 x 106 cm-2 5*10mm2 SP-face (20-21)/(20-2-1) Un-doped SI-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity > 106 Ω·cm RF devices ... Διαβάστε περισσότερα
2022-10-08 16:41:01
Page 3 of 3|< 1 2 3 >|