Ζητήστε ένα απόσπασμα |
Αρχική Σελίδα Προϊόνταn type sic crystal διαδικτυακός κατασκευαστής
Όλα τα Προϊόντα

Κρυσταλλική γκοφρέτα GaN

(65)

Κρυσταλλική γκοφρέτα SIC

(39)

GaAs Epi Wafer

(15)

Υποστρώματα διαμαντιών CVD

(15)

_γρήγορος θερμικός ανοπτώ σύστημα

(2)

Δοκιμαστής αισθητήρα εφέ Hall

(3)

Γκοφρέτα νιτριδίων αργιλίου

(21)

Τσιπ διόδων λέιζερ

(10)

Κρύσταλλο καρβιδίου του πυριτίου

(12)

Ga2O3 γκοφρέτα

(13)

γκοφρέτα πυριτίου

(26)

Γκοφρέτα σαπφείρου

(19)

Διαμορφωμένα υποστρώματα σαπφείρου

(10)

Τεφλόν κάτοχος γκοφρετών

(1)

Γκοφρέτα σε κύβους

(5)
Πιστοποίηση
ΚΙΝΑ Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. Πιστοποιήσεις
Είμαι Online Chat Now

n type sic crystal διαδικτυακή κατασκευή

(26)
Αγορά 0,015ohm.cm έως 0,028ohm.cm κρύσταλλο καρβιδίου πυριτίου Τύπος N σε απευθείας σύνδεση κατασκευαστής

0,015ohm.cm έως 0,028ohm.cm κρύσταλλο καρβιδίου πυριτίου Τύπος N
Επικοινωνία

0.015~0.028ohm.Cm SiC Seed Crystal 4" P Grade N-Type Orientation 4.0°±0.2° SiC Seed Crystal 4" PGrade SiC CRYSTAL is an ultra-high purity silicon carbide grain or powder, specially manufactured to achieve ... Διαβάστε περισσότερα
2022-09-27 17:01:16
Αγορά 6inch κρυσταλλική γκοφρέτα SIC σε απευθείας σύνδεση κατασκευαστής

6inch κρυσταλλική γκοφρέτα SIC
Επικοινωνία

P-SBD Grade 6inch 4H-SiC substrate N-Type Off-Axis:4°toward ±0.5 ° 6inch 4H-SiC Substrate N-Type P-SBD Grade 350.0±25.0μM MPD≤0.5/Cm2 Resistivity 0.015Ω•Cm—0.025Ω•cm For Power And Microw 6inch 4H-SiC substrate ... Διαβάστε περισσότερα
2022-10-09 16:56:20
Αγορά 47,5 χιλ. ± 1,5 κρυσταλλική γκοφρέτα 150,0 χιλ. +0mm/-0.2mm παράλληλο to<11-20>±1° χιλ. SIC σε απευθείας σύνδεση κατασκευαστής

47,5 χιλ. ± 1,5 κρυσταλλική γκοφρέτα 150,0 χιλ. +0mm/-0.2mm παράλληλο to<11-20>±1° χιλ. SIC
Επικοινωνία

47.5 mm ± 1.5 mm SiC Epitaxial Wafer 150.0 mm +0mm/-0.2mm Parallel to±1° JDCD03-001-003 Overview Currently, there are two main types of SiC wafers. The first type is the polished wafer, which is a single ... Διαβάστε περισσότερα
2024-10-29 11:49:58
Αγορά JDZJ01-001-002 κρύσταλλο 4 πλινθωμάτων SIC» βαθμός Δ σε απευθείας σύνδεση κατασκευαστής

JDZJ01-001-002 κρύσταλλο 4 πλινθωμάτων SIC» βαθμός Δ
Επικοινωνία

SiC ingot crystal 4" P grade SiC devices can operate at high frequencies (RF and microwave) because of the high saturated electron drift velocity of SiC. SiC is an excellent thermal conductor. Heat will flow ... Διαβάστε περισσότερα
2025-04-04 22:43:20
Αγορά Αντίσταση κρυστάλλου καρβιδίου του πυριτίου 4&quot; βαθμού P 0,015ohm.cm έως 0,028ohm.cm σε απευθείας σύνδεση κατασκευαστής

Αντίσταση κρυστάλλου καρβιδίου του πυριτίου 4" βαθμού P 0,015ohm.cm έως 0,028ohm.cm
Επικοινωνία

4" P Grade SiC Seed Crystal Resistivity 0.015~0.028ohm.Cm 32.5mm±2.0mm SiC Seed Crystal 4" PGrade SiC is an excellent thermal conductor. Heat will flow more readily through SiC than other semiconductor ... Διαβάστε περισσότερα
2022-09-27 17:35:24
Αγορά 4 ιντσών 4H-SiC Υπόστρωμα P-Level N-Type 350,0±25,0μM MPD≤0,5/Cm2 Αντίσταση 0,015Ω•Cm—0,025Ω•Cm σε απευθείας σύνδεση κατασκευαστής

4 ιντσών 4H-SiC Υπόστρωμα P-Level N-Type 350,0±25,0μM MPD≤0,5/Cm2 Αντίσταση 0,015Ω•Cm—0,025Ω•Cm
Επικοινωνία

4inch 4H-SiC substrate D-level N-Type 350.0±25.0μm MPD≤5/cm2 Resistivity 0.015Ω•cm—0.025Ω•cm for power and microwave devices Overview High Temperature Devices Because SiC has a high thermal conductivity, SiC ... Διαβάστε περισσότερα
2025-04-04 22:43:25
Αγορά κρύσταλλο 4» βαθμός 18.0mm καρβιδίου του πυριτίου 100.0mm Π σε απευθείας σύνδεση κατασκευαστής

κρύσταλλο 4» βαθμός 18.0mm καρβιδίου του πυριτίου 100.0mm Π
Επικοινωνία

100.0mm±0.5mm SiC Seed Crystal 4" P Grade 0.015~0.028ohm.cm 18.0mm±2.0mm SiC Seed Crystal 4" PGrade Electronic devices formed in SiC can operate at extremely high temperatures without suffering from intrinsic ... Διαβάστε περισσότερα
2022-09-27 17:01:26
Αγορά JDZJ01-001-004 SiC Ingot Crystal 6&quot; βαθμού P σε απευθείας σύνδεση κατασκευαστής

JDZJ01-001-004 SiC Ingot Crystal 6" βαθμού P
Επικοινωνία

SiC ingot crystal 6" Pgrade Silicon carbide, exceedingly hard, synthetically produced crystalline compound of silicon and carbon. Its chemical formula is SiC. Since the late 19th century silicon carbide has ... Διαβάστε περισσότερα
2025-04-04 22:42:33
Αγορά Αρχικό επίπεδο μήκος 32.5mm κρύσταλλο 4» βαθμός 100.0mm καρβιδίου του πυριτίου Π σε απευθείας σύνδεση κατασκευαστής

Αρχικό επίπεδο μήκος 32.5mm κρύσταλλο 4» βαθμός 100.0mm καρβιδίου του πυριτίου Π
Επικοινωνία

Primary Flat Lengh 32.5mm±2.0mm SiC Seed Crystal 4" P Grade 100.0mm±0.5mm 0.015~0.028ohm.cm SiC Seed Crystal 4" PGrade SiC can withstand a voltage gradient (or electric field) over eight times greater than than ... Διαβάστε περισσότερα
2022-09-27 17:01:05
Αγορά κρύσταλλο 4» βαθμός Politype 4H καρβιδίου του πυριτίου 100.0mm Π σε απευθείας σύνδεση κατασκευαστής

κρύσταλλο 4» βαθμός Politype 4H καρβιδίου του πυριτίου 100.0mm Π
Επικοινωνία

100.0mm±0.5mm SiC Seed Crystal 4" P Grade 4.0°±0.2° Politype 4H SiC Seed Crystal 4" PGrade SiC can withstand a voltage gradient (or electric field) over eight times greater than than Si or GaAs without ... Διαβάστε περισσότερα
2022-10-09 10:12:00
Page 1 of 3|< 1 2 3 >|
περίπου

Κρυσταλλική γκοφρέτα GaN

2inch GaN κρυσταλλική γκοφρετών Γ ελεύθερη στάση τύπων Si προσώπου ναρκωμένη Φε

Ναρκωμένη Φε ειδική αντίσταση υποστρωμάτων GaN > 10 ⁶ Ω·Συσκευές εκατ. RF

Ελεύθερα υποστρώματα SI-GaN 2 ιντσών

Κρυσταλλική γκοφρέτα SIC

Beveling SiC Epitaxial Wafer 150,0 mm +0mm/-0,2mm 350,0um± 25,0 um

4H Crystal Form SiC Epitaxial Wafer Wafer Edge Beveling 350,0um ± 25,0um

Οπτικό πολωνικό Si-πρόσωπο CMP γ-προσώπου γκοφρετών ενιαίου κρυστάλλου SIC κρυσταλλικό

Αφήστε μήνυμα

Πολιτική Απορρήτου | ΚΙΝΑ καλός Ποιότητα Κρυσταλλική γκοφρέτα GaN προμηθευτής. © 2023 - 2026 Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.. All Rights Reserved.