Ζητήστε ένα απόσπασμα |
Αρχική Σελίδα Προϊόνταsilicon carbide crystal p grade διαδικτυακός κατασκευαστής
Όλα τα Προϊόντα

Κρυσταλλική γκοφρέτα GaN

(65)

Κρυσταλλική γκοφρέτα SIC

(39)

GaAs Epi Wafer

(15)

Υποστρώματα διαμαντιών CVD

(15)

_γρήγορος θερμικός ανοπτώ σύστημα

(2)

Δοκιμαστής αισθητήρα εφέ Hall

(3)

Γκοφρέτα νιτριδίων αργιλίου

(21)

Τσιπ διόδων λέιζερ

(10)

Κρύσταλλο καρβιδίου του πυριτίου

(12)

Ga2O3 γκοφρέτα

(13)

γκοφρέτα πυριτίου

(26)

Γκοφρέτα σαπφείρου

(19)

Διαμορφωμένα υποστρώματα σαπφείρου

(10)

Τεφλόν κάτοχος γκοφρετών

(1)

Γκοφρέτα σε κύβους

(5)
Πιστοποίηση
ΚΙΝΑ Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. Πιστοποιήσεις
Είμαι Online Chat Now

silicon carbide crystal p grade διαδικτυακή κατασκευή

(27)
Αγορά κρύσταλλο 4» βαθμός Politype 4H καρβιδίου του πυριτίου 100.0mm Π σε απευθείας σύνδεση κατασκευαστής

κρύσταλλο 4» βαθμός Politype 4H καρβιδίου του πυριτίου 100.0mm Π
Επικοινωνία

100.0mm±0.5mm SiC Seed Crystal 4" P Grade 4.0°±0.2° Politype 4H SiC Seed Crystal 4" PGrade SiC can withstand a voltage gradient (or electric field) over eight times greater than than Si or GaAs without ... Διαβάστε περισσότερα
2022-10-09 10:12:00
Αγορά 0,015ohm.cm έως 0,028ohm.cm κρύσταλλο καρβιδίου πυριτίου Τύπος N σε απευθείας σύνδεση κατασκευαστής

0,015ohm.cm έως 0,028ohm.cm κρύσταλλο καρβιδίου πυριτίου Τύπος N
Επικοινωνία

0.015~0.028ohm.Cm SiC Seed Crystal 4" P Grade N-Type Orientation 4.0°±0.2° SiC Seed Crystal 4" PGrade SiC CRYSTAL is an ultra-high purity silicon carbide grain or powder, specially manufactured to achieve ... Διαβάστε περισσότερα
2022-09-27 17:01:16
Αγορά Αντίσταση κρυστάλλου καρβιδίου του πυριτίου 4" βαθμού P 0,015ohm.cm έως 0,028ohm.cm σε απευθείας σύνδεση κατασκευαστής

Αντίσταση κρυστάλλου καρβιδίου του πυριτίου 4" βαθμού P 0,015ohm.cm έως 0,028ohm.cm
Επικοινωνία

4" P Grade SiC Seed Crystal Resistivity 0.015~0.028ohm.Cm 32.5mm±2.0mm SiC Seed Crystal 4" PGrade SiC is an excellent thermal conductor. Heat will flow more readily through SiC than other semiconductor ... Διαβάστε περισσότερα
2022-09-27 17:35:24
Αγορά κρύσταλλο 4» βαθμός 18.0mm καρβιδίου του πυριτίου 100.0mm Π σε απευθείας σύνδεση κατασκευαστής

κρύσταλλο 4» βαθμός 18.0mm καρβιδίου του πυριτίου 100.0mm Π
Επικοινωνία

100.0mm±0.5mm SiC Seed Crystal 4" P Grade 0.015~0.028ohm.cm 18.0mm±2.0mm SiC Seed Crystal 4" PGrade Electronic devices formed in SiC can operate at extremely high temperatures without suffering from intrinsic ... Διαβάστε περισσότερα
2022-09-27 17:01:26
Αγορά Αρχικό επίπεδο μήκος 32.5mm κρύσταλλο 4» βαθμός 100.0mm καρβιδίου του πυριτίου Π σε απευθείας σύνδεση κατασκευαστής

Αρχικό επίπεδο μήκος 32.5mm κρύσταλλο 4» βαθμός 100.0mm καρβιδίου του πυριτίου Π
Επικοινωνία

Primary Flat Lengh 32.5mm±2.0mm SiC Seed Crystal 4" P Grade 100.0mm±0.5mm 0.015~0.028ohm.cm SiC Seed Crystal 4" PGrade SiC can withstand a voltage gradient (or electric field) over eight times greater than than ... Διαβάστε περισσότερα
2022-09-27 17:01:05
Αγορά καρβίδιο 4 του πυριτίου ενιαίου κρυστάλλου 4H Politype» πρόσωπο Si βαθμού Π σε απευθείας σύνδεση κατασκευαστής

καρβίδιο 4 του πυριτίου ενιαίου κρυστάλλου 4H Politype» πρόσωπο Si βαθμού Π
Επικοινωνία

JDZJ01-001-001 SiC Seed Crystal 4" P Grade Si-Face 90°Cw.From Primary Flat±5° SiC Seed Crystal 4" PGrade The physical and electronic properties of SiC make it the foremost semiconductor material for short ... Διαβάστε περισσότερα
2022-09-27 17:01:35
Αγορά JDZJ01-001-007 κρύσταλλο σπόρου καρβιδίου του πυριτίου σε απευθείας σύνδεση κατασκευαστής

JDZJ01-001-007 κρύσταλλο σπόρου καρβιδίου του πυριτίου
Επικοινωνία

JDZJ01-001-007 Silicon Carbide Seed Crystal Electronic devices formed in SiC can operate at extremely high temperatures without suffering from intrinsic conduction effects becauseof the wide energy bandgap. ... Διαβάστε περισσότερα
2025-04-04 22:42:43
Αγορά Τύπος N 6 ιντσών 4H Υπόστρωμα από καρβίδιο πυριτίου Πρωτεύον επίπεδο μήκος 47,5 mm σε απευθείας σύνδεση κατασκευαστής

Τύπος N 6 ιντσών 4H Υπόστρωμα από καρβίδιο πυριτίου Πρωτεύον επίπεδο μήκος 47,5 mm
Επικοινωνία

6inch 4H-SiC substrate N-Type D Grade 350.0±25.0μm MPD≤5/cm2 Resistivity 0.014Ω•cm—0.028Ω•cm for power and microwave devices Overview Silicon Carbide (SiC) is a covalent network solid. If we look at its ... Διαβάστε περισσότερα
2022-10-24 10:22:34
Αγορά Επίπεδο P υποστρώματος καρβιδίου πυριτίου 260μm για ηλεκτρικές συσκευές και συσκευές μικροκυμάτων σε απευθείας σύνδεση κατασκευαστής

Επίπεδο P υποστρώματος καρβιδίου πυριτίου 260μm για ηλεκτρικές συσκευές και συσκευές μικροκυμάτων
Επικοινωνία

4H-N/SI260μm±25μm 2-Inch SiC Substrate P-Level For Power Devices And Microwave Devices JDCD03-001-001 2-inch SiC substrate P-level 4H-N/SI260μm±25μm for power devices and microwave devices Overview We ... Διαβάστε περισσότερα
2024-10-29 11:49:58
Αγορά Υπόστρωμα 6 ιντσών 4H SiC N Τύπος P SBD Βαθμού 350μm σε απευθείας σύνδεση κατασκευαστής

Υπόστρωμα 6 ιντσών 4H SiC N Τύπος P SBD Βαθμού 350μm
Επικοινωνία

6inch 4H-SiC substrate N-Type P-SBD Grade 350.0±25.0μm MPD≤0.5/cm2 Resistivity 0.015Ω•cm—0.025Ω•cm for power and microwave devices Overview SiC boules (crystals) are grown, machined into ingots, and then sliced ... Διαβάστε περισσότερα
2022-10-24 10:23:04
Page 1 of 3|< 1 2 3 >|
περίπου

Κρυσταλλική γκοφρέτα GaN

2inch GaN κρυσταλλική γκοφρετών Γ ελεύθερη στάση τύπων Si προσώπου ναρκωμένη Φε

Ναρκωμένη Φε ειδική αντίσταση υποστρωμάτων GaN > 10 ⁶ Ω·Συσκευές εκατ. RF

Ελεύθερα υποστρώματα SI-GaN 2 ιντσών

Κρυσταλλική γκοφρέτα SIC

Beveling SiC Epitaxial Wafer 150,0 mm +0mm/-0,2mm 350,0um± 25,0 um

4H Crystal Form SiC Epitaxial Wafer Wafer Edge Beveling 350,0um ± 25,0um

Οπτικό πολωνικό Si-πρόσωπο CMP γ-προσώπου γκοφρετών ενιαίου κρυστάλλου SIC κρυσταλλικό

Αφήστε μήνυμα

Πολιτική Απορρήτου | ΚΙΝΑ καλός Ποιότητα Κρυσταλλική γκοφρέτα GaN προμηθευτής. © 2023 - 2026 Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.. All Rights Reserved.