Να στείλετε μήνυμα
Ζητήστε ένα απόσπασμα |
Αρχική Σελίδα Προϊόνταsilicon carbide crystal 4h διαδικτυακός κατασκευαστής
Όλα τα Προϊόντα

Κρυσταλλική γκοφρέτα GaN

(61)

Κρυσταλλική γκοφρέτα SIC

(28)

GaAs Epi Wafer

(15)

Υποστρώματα διαμαντιών CVD

(15)

_γρήγορος θερμικός ανοπτώ σύστημα

(2)

Δοκιμαστής αισθητήρα εφέ Hall

(3)

Γκοφρέτα νιτριδίων αργιλίου

(21)

Τσιπ διόδων λέιζερ

(10)

Κρύσταλλο καρβιδίου του πυριτίου

(12)

Ga2O3 γκοφρέτα

(13)

γκοφρέτα πυριτίου

(26)

Γκοφρέτα σαπφείρου

(19)

Διαμορφωμένα υποστρώματα σαπφείρου

(10)

Τεφλόν κάτοχος γκοφρετών

(1)

Γκοφρέτα σε κύβους

(5)
Πιστοποίηση
ΚΙΝΑ Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. Πιστοποιήσεις
Είμαι Online Chat Now

silicon carbide crystal 4h διαδικτυακή κατασκευή

(28)
Αγορά κρύσταλλο 4» βαθμός Politype 4H καρβιδίου του πυριτίου 100.0mm Π σε απευθείας σύνδεση κατασκευαστής

κρύσταλλο 4» βαθμός Politype 4H καρβιδίου του πυριτίου 100.0mm Π
Επικοινωνία

Διαβάστε περισσότερα
2022-10-09 10:12:00
Αγορά 0,015ohm.cm έως 0,028ohm.cm κρύσταλλο καρβιδίου πυριτίου Τύπος N σε απευθείας σύνδεση κατασκευαστής

0,015ohm.cm έως 0,028ohm.cm κρύσταλλο καρβιδίου πυριτίου Τύπος N
Επικοινωνία

Διαβάστε περισσότερα
2022-09-27 17:01:16
Αγορά Αντίσταση κρυστάλλου καρβιδίου του πυριτίου 4" βαθμού P 0,015ohm.cm έως 0,028ohm.cm σε απευθείας σύνδεση κατασκευαστής

Αντίσταση κρυστάλλου καρβιδίου του πυριτίου 4" βαθμού P 0,015ohm.cm έως 0,028ohm.cm
Επικοινωνία

Διαβάστε περισσότερα
2022-09-27 17:35:24
Αγορά κρύσταλλο 4» βαθμός 18.0mm καρβιδίου του πυριτίου 100.0mm Π σε απευθείας σύνδεση κατασκευαστής

κρύσταλλο 4» βαθμός 18.0mm καρβιδίου του πυριτίου 100.0mm Π
Επικοινωνία

Διαβάστε περισσότερα
2022-09-27 17:01:26
Αγορά Αρχικό επίπεδο μήκος 32.5mm κρύσταλλο 4» βαθμός 100.0mm καρβιδίου του πυριτίου Π σε απευθείας σύνδεση κατασκευαστής

Αρχικό επίπεδο μήκος 32.5mm κρύσταλλο 4» βαθμός 100.0mm καρβιδίου του πυριτίου Π
Επικοινωνία

Διαβάστε περισσότερα
2022-09-27 17:01:05
Αγορά Υπόστρωμα 6 ιντσών 4H SiC N Τύπος P SBD Βαθμού 350μm σε απευθείας σύνδεση κατασκευαστής

Υπόστρωμα 6 ιντσών 4H SiC N Τύπος P SBD Βαθμού 350μm
Επικοινωνία

Διαβάστε περισσότερα
2022-10-24 10:23:04
Αγορά Τύπος N 6 ιντσών 4H Υπόστρωμα από καρβίδιο πυριτίου Πρωτεύον επίπεδο μήκος 47,5 mm σε απευθείας σύνδεση κατασκευαστής

Τύπος N 6 ιντσών 4H Υπόστρωμα από καρβίδιο πυριτίου Πρωτεύον επίπεδο μήκος 47,5 mm
Επικοινωνία

Διαβάστε περισσότερα
2022-10-24 10:22:34
Αγορά καρβίδιο 4 του πυριτίου ενιαίου κρυστάλλου 4H Politype» πρόσωπο Si βαθμού Π σε απευθείας σύνδεση κατασκευαστής

καρβίδιο 4 του πυριτίου ενιαίου κρυστάλλου 4H Politype» πρόσωπο Si βαθμού Π
Επικοινωνία

Διαβάστε περισσότερα
2022-09-27 17:01:35
Αγορά Επίπεδο P υποστρώματος καρβιδίου πυριτίου 260μm για ηλεκτρικές συσκευές και συσκευές μικροκυμάτων σε απευθείας σύνδεση κατασκευαστής

Επίπεδο P υποστρώματος καρβιδίου πυριτίου 260μm για ηλεκτρικές συσκευές και συσκευές μικροκυμάτων
Επικοινωνία

Διαβάστε περισσότερα
2023-02-17 17:14:50
Αγορά Ημι μονώνοντας υπόστρωμα 150mm τύπων 6inch 4H SIC Si επιπέδων Π σε απευθείας σύνδεση κατασκευαστής

Ημι μονώνοντας υπόστρωμα 150mm τύπων 6inch 4H SIC Si επιπέδων Π
Επικοινωνία

Διαβάστε περισσότερα
2022-10-24 10:21:46
Page 1 of 3|< 1 2 3 >|
περίπου

Κρυσταλλική γκοφρέτα GaN

2inch GaN κρυσταλλική γκοφρετών Γ ελεύθερη στάση τύπων Si προσώπου ναρκωμένη Φε

Ναρκωμένη Φε ειδική αντίσταση υποστρωμάτων GaN > 10 ⁶ Ω·Συσκευές εκατ. RF

Ελεύθερα υποστρώματα SI-GaN 2 ιντσών

Κρυσταλλική γκοφρέτα SIC

Beveling SiC Epitaxial Wafer 150,0 mm +0mm/-0,2mm 350,0um± 25,0 um

4H Crystal Form SiC Epitaxial Wafer Wafer Edge Beveling 350,0um ± 25,0um

Οπτικό πολωνικό Si-πρόσωπο CMP γ-προσώπου γκοφρετών ενιαίου κρυστάλλου SIC κρυσταλλικό

Αφήστε μήνυμα

Πολιτική Απορρήτου | ΚΙΝΑ καλός ποιότητας Κρυσταλλική γκοφρέτα GaN προμηθευτής. © 2023 - 2024 epi-wafers.com. All Rights Reserved.