Να στείλετε μήνυμα
Αρχική Σελίδα ΠροϊόνταΚρυσταλλική γκοφρέτα GaN

10*10.5mm2 Φε-ναρκωμένη γ-πρόσωπο ειδική αντίσταση υποστρωμάτων ενιαίου κρυστάλλου GaN Si-τύπων??????????? > 10 ⁶ Ω·Γκοφρέτα συσκευών εκατ. RF

10*10.5mm2 Φε-ναρκωμένη γ-πρόσωπο ειδική αντίσταση υποστρωμάτων ενιαίου κρυστάλλου GaN Si-τύπων??????????? > 10 ⁶ Ω·Γκοφρέτα συσκευών εκατ. RF

10*10.5mm2 Φε-ναρκωμένη γ-πρόσωπο ειδική αντίσταση υποστρωμάτων ενιαίου κρυστάλλου GaN Si-τύπων??????????? > 10 ⁶ Ω·Γκοφρέτα συσκευών εκατ. RF
10*10.5mm2 Φε-ναρκωμένη γ-πρόσωπο ειδική αντίσταση υποστρωμάτων ενιαίου κρυστάλλου GaN Si-τύπων??????????? > 10 ⁶ Ω·Γκοφρέτα συσκευών εκατ. RF 10*10.5mm2 Φε-ναρκωμένη γ-πρόσωπο ειδική αντίσταση υποστρωμάτων ενιαίου κρυστάλλου GaN Si-τύπων??????????? > 10 ⁶ Ω·Γκοφρέτα συσκευών εκατ. RF 10*10.5mm2 Φε-ναρκωμένη γ-πρόσωπο ειδική αντίσταση υποστρωμάτων ενιαίου κρυστάλλου GaN Si-τύπων??????????? > 10 ⁶ Ω·Γκοφρέτα συσκευών εκατ. RF 10*10.5mm2 Φε-ναρκωμένη γ-πρόσωπο ειδική αντίσταση υποστρωμάτων ενιαίου κρυστάλλου GaN Si-τύπων??????????? > 10 ⁶ Ω·Γκοφρέτα συσκευών εκατ. RF

Μεγάλες Εικόνας :  10*10.5mm2 Φε-ναρκωμένη γ-πρόσωπο ειδική αντίσταση υποστρωμάτων ενιαίου κρυστάλλου GaN Si-τύπων??????????? > 10 ⁶ Ω·Γκοφρέτα συσκευών εκατ. RF

Λεπτομέρειες:
Τόπος καταγωγής: Suzhou Κίνα
Μάρκα: GaNova
Πιστοποίηση: UKAS/ISO9001:2015
Αριθμό μοντέλου: JDCD01-001-003
Πληρωμής & Αποστολής Όροι:
Συσκευασία λεπτομέρειες: Συσκευασία κενού σε περιβάλλον καθαρού δωματίου κατηγορίας 10000, σε κασέτες των 6 τμχ ή σε δοχεία μ
Χρόνος παράδοσης: 3-4 εβδομαδιαίες μέρες
Όροι πληρωμής: T/T
Δυνατότητα προσφοράς: 10000pcs/Month

10*10.5mm2 Φε-ναρκωμένη γ-πρόσωπο ειδική αντίσταση υποστρωμάτων ενιαίου κρυστάλλου GaN Si-τύπων??????????? > 10 ⁶ Ω·Γκοφρέτα συσκευών εκατ. RF

περιγραφή
Διαστάσεις: 10 x 10,5 mm² Πάχος: 350 ±25µm
TTV: ≤ 10 µm Τόξο: - 10 µm ≤ BOW ≤ 10 µm
Μακρο πυκνότητα ατέλειας: 0cm⁻ ² Χρησιμοποιήσιμη περιοχή: > 90% (αποκλεισμός ακρών)
Όνομα προϊόντων: Κρυσταλλική γκοφρέτα GaN Εθνικά πρότυπα της Κίνας: GB/T32282-2015

10*10.5mm2 Φε-ναρκωμένη γ-πρόσωπο ειδική αντίσταση υποστρωμάτων ενιαίου κρυστάλλου GaN Si-τύπων??????????? > 106 Ω·γκοφρέτα συσκευών εκατ. RF


Επισκόπηση

Πωλούμε άμεσα από το εργοστάσιο, και επομένως μπορούμε να προσφέρουμε τις καλύτερες τιμές στην αγορά για υψηλό - υποστρώματα κρυστάλλου ποιοτικού GaN. Οι πελάτες από σε όλο τον κόσμο έχουν εμπιστευθεί τις προμήθειές μας ως προτιμημένο προμηθευτή τους υποστρωμάτων κρυστάλλου GaN.

Το νιτρίδιο γαλλίου, ή GaN, είναι ένα υλικό που αρχίζει να χρησιμοποιείται για τους ημιαγωγούς στους φορτιστές. Χρησιμοποιήθηκε για να κάνει LEDs αρχικό στη δεκαετία του '90, και είναι επίσης ένα δημοφιλές υλικό για τις σειρές ηλιακών κυττάρων στους δορυφόρους. Το κυριώτερο πράγμα για GaN όταν τους φορτιστές είναι ότι παράγει τη λιγότερη θερμότητα.

10 X 10,5??????????? GaN υποστρώματα mm2
Στοιχείο GaN-FS-γ-u-S10 GaN-FS-γ-ν-S10 GaN-FS-γ-Si-S10

10*10.5mm2 Φε-ναρκωμένη γ-πρόσωπο ειδική αντίσταση υποστρωμάτων ενιαίου κρυστάλλου GaN Si-τύπων??????????? > 10 ⁶ Ω·Γκοφρέτα συσκευών εκατ. RF 0

Παρατηρήσεις:
Μια κυκλική γωνία τόξων (Ρ < 2="" mm="">

Διαστάσεις 10 X 10,5 χιλ.2
Πάχος 350 ±25 µm
Προσανατολισμός Αεροπλάνο Γ (0001) από τη γωνία προς τον μ-άξονα 0,35 ±0.15°
Τύπος διεξαγωγής Ν-τύπος Ν-τύπος Ημιμονωτικός
Ειδική αντίσταση (300K) < 0=""> < 0=""> > 106 Ω·εκατ.
TTV ≤ 10 µm
Τόξο - 10 µm ≤ ΤΌΞΟ ≤ 10 µm
Τραχύτητα επιφάνειας προσώπου GA < 0=""> ή < 0="">
Τραχύτητα επιφάνειας προσώπου Ν 0,5 ~1,5 μm
επιλογή: 1~3 NM (λεπτό έδαφος) < 0="">
Πυκνότητα εξάρθρωσης Από 1 X 105 έως 3 X 106 τ.εκ. (που υπολογίζεται από το CL) *
Μακρο πυκνότητα ατέλειας 0 τ.εκ.
Χρησιμοποιήσιμη περιοχή > 90% (αποκλεισμός ακρών)
Συσκευασία Συσκευασμένος σε μια κατηγορία 100 καθαρό περιβάλλον δωματίων, στο εμπορευματοκιβώτιο 6 PC, κάτω από μια ατμόσφαιρα αζώτου

πρότυπα *National της Κίνας (GB/T32282-2015)

Περίπου εμείς

Ειδικευόμαστε στην επεξεργασία ποικίλων υλικών στις γκοφρέτες, των υποστρωμάτων και του προσαρμοσμένου οπτικού γυαλιού parts.components που χρησιμοποιούνται ευρέως στην ηλεκτρονική, την οπτική, τη opto ηλεκτρονική και πολλούς άλλους τομείς. Επίσης έχουμε εργαστεί στενά με πολλούς εσωτερικό και oversea πανεπιστήμια, ερευνητικά όργανα και οι επιχειρήσεις, παρέχουν τα προσαρμοσμένες προϊόντα και τις υπηρεσίες για τα προγράμματα Ε&Α τους. Είναι το όραμά μας στη διατήρηση μιας καλής σχέσης της συνεργασίας με όλους τους πελάτες μας από τις καλές φήμες μας.

FAQ

Q: Ανταλλάσσετε την επιχείρηση ή τον κατασκευαστή;
Είμαστε εργοστάσιο.
Q: Πόσο καιρό είναι η παράδοσή σας χρόνος;
Γενικά είναι 3-5 ημέρες εάν τα αγαθά είναι στο απόθεμα.
ή είναι 7-10 ημέρες εάν τα αγαθά δεν είναι στο απόθεμα, είναι σύμφωνα με την ποσότητα.
Q: Παρέχετε τα δείγματα; είναι ελεύθερο ή πρόσθετο;
Ναι, θα μπορούσαμε να προσφέρουμε το δείγμα χρεώνουμε δωρεάν αλλά δεν πληρώνουμε το κόστος του φορτίου.
Q: Ποια είναι η διαδικασία καταβολής σας;
Πληρωμή <> >=5000USD, 80% T/T πληρωμής εκ των προτέρων, ισορροπία πριν από την αποστολή.

Στοιχεία επικοινωνίας
Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

Υπεύθυνος Επικοινωνίας: Xiwen Bai (Ciel)

Τηλ.:: +8613372109561

Στείλετε το ερώτημά σας απευθείας σε εμάς (0 / 3000)

Άλλα προϊόντα