|
Λεπτομέρειες:
|
| Όνομα προϊόντων: | Υπόστρωμα ενιαίου κρυστάλλου GaN | Διαστάσεις: | 50.8 ± 1 χιλ. |
|---|---|---|---|
| Πάχος: | 350 ±25µm | Προσανατολισμός: | Αεροπλάνο Γ (0001) από τη γωνία προς τον μ-άξονα |
| TTV: | ≤ 10µm | Τόξο: | ≤ 20 μm |
| Μακρο πυκνότητα ατέλειας: | 0cm⁻ ² | Χρησιμοποιήσιμη περιοχή: | > 90% (αποκλεισμός ακρών) |
| Επισημαίνω: | Γκοφρέτα ημιαγωγών νιτριδίων γαλλίου,Γκοφρέτα αεροπλάνων gan EPI Γ,Γκοφρέτα 325um ημιαγωγών |
||
2-ίντσα??????????? υποστρώματα Si-GaN
Μια κρυσταλλική γκοφρέτα (επίσης αποκαλούμενη γκοφρέτα EPI, EPI-γκοφρέτα, ή epiwafer) είναι μια γκοφρέτα του ημιαγωγικού υλικού που γίνεται από την κρυσταλλική αύξηση (επιταξία) για τη χρήση στο photonics, τη μικροηλεκτρονική, το spintronics, ή το photovoltaics.
Οι λεπτές γκοφρέτες EPI χρησιμοποιούνται συνήθως για τις συσκευές αιχμής MOS. Το παχύ EPI ή οι πολυστρωματικές κρυσταλλικές γκοφρέτες χρησιμοποιείται για τις συσκευές για να ελέγξει κυρίως τη ηλεκτρική δύναμη, και συμβάλλουν στη βελτίωση της αποδοτικότητας της κατανάλωσης ενέργειας.
| 2-ίντσα??????????? υποστρώματα Si-GaN | ||||||||
| Άριστο επίπεδο (σ) | Επίπεδο παραγωγής (α) | Ερευνητικό επίπεδο (β) | Πλαστό επίπεδο (γ) |
Σημείωση: (1) χρησιμοποιήσιμη περιοχή: άκρη και μακρο αποκλεισμός ατελειών (2) 3 σημεία: οι γωνίες miscut των θέσεων (2, 4, 5) είναι 0,35 ± 0,15ο |
||||
| S-1 | S-2 | Α-1 | Α-2 | |||||
| Διάσταση | 50.8 ± 1 χιλ. | |||||||
| Πάχος | 350 ± 25 μm | |||||||
| Προσανατολισμός επίπεδος | (1-100) ± 0,5ο, 16 ± 1 χιλ. | |||||||
| Δευτεροβάθμιος προσανατολισμός επίπεδος | (11-20) ± 3ο, 8 ± 1 χιλ. | |||||||
| Ειδική αντίσταση (300K) | > 1 X 106 Ω·εκατ. για ημιμονωτικό (Φε-ναρκωμένος GaN-FS-γ-Si-C50) | |||||||
| TTV | ≤ 15 μm | |||||||
| ΤΟΞΟ | ≤ 20 μm | ≤ 40 μm | ||||||
| Τραχύτητα επιφάνειας προσώπου GA |
< 0=""> ή < 0=""> |
|||||||
| Τραχύτητα επιφάνειας προσώπου Ν |
0,5 ~1,5 μm επιλογή: 1~3 NM (λεπτό έδαφος) < 0=""> |
|||||||
| Συσκευασία | Συσκευασμένος σε ένα αποστειρωμένο δωμάτιο στο ενιαίο εμπορευματοκιβώτιο γκοφρετών | |||||||
| Χρησιμοποιήσιμη περιοχή | > 90% | >80% | >70% | |||||
| Πυκνότητα εξάρθρωσης | <9>x105 τ.εκ. | <3x10>6 τ.εκ. | <9>5 τ.εκ. | <3>x106 τ.εκ. | <3x10>6 τ.εκ. | |||
| Προσανατολισμός: Αεροπλάνο Γ (0001) από τη γωνία προς τον μ-άξονα |
0,35 ± 0,15ο (3 σημεία) |
0,35 ± 0,15ο (3 σημεία) |
0,35 ± 0,15ο (3 σημεία) |
|||||
| Μακρο πυκνότητα ατέλειας (τρύπα) | 0 τ.εκ. | < 0="">-2 | < 1="" cm="">-2 | |||||
| Ανώτατο μέγεθος των μακρο ατελειών | < 700=""> | < 2000=""> | < 4000=""> | |||||
* Εθνικά πρότυπα της Κίνας (GB/T32282-2015)
Περίπου εμείς
Ειδικευόμαστε στην επεξεργασία ποικίλων υλικών στις γκοφρέτες, των υποστρωμάτων και του προσαρμοσμένου οπτικού γυαλιού parts.components που χρησιμοποιούνται ευρέως στην ηλεκτρονική, την οπτική, τη opto ηλεκτρονική και πολλούς άλλους τομείς. Επίσης έχουμε εργαστεί στενά με πολλούς εσωτερικό και oversea πανεπιστήμια, ερευνητικά όργανα και οι επιχειρήσεις, παρέχουν τα προσαρμοσμένες προϊόντα και τις υπηρεσίες για τα προγράμματα Ε&Α τους. Είναι το όραμά μας στη διατήρηση μιας καλής σχέσης της συνεργασίας με όλους τους πελάτες μας από τις καλές φήμες μας.
FAQ
Q: Ανταλλάσσετε την επιχείρηση ή τον κατασκευαστή;
Είμαστε εργοστάσιο.
Q: Πόσο καιρό είναι η παράδοσή σας χρόνος;
Γενικά είναι 3-5 ημέρες εάν τα αγαθά είναι στο απόθεμα.
ή είναι 7-10 ημέρες εάν τα αγαθά δεν είναι στο απόθεμα, είναι σύμφωνα με την ποσότητα.
Q: Παρέχετε τα δείγματα; είναι ελεύθερο ή πρόσθετο;
Ναι, θα μπορούσαμε να προσφέρουμε το δείγμα χρεώνουμε δωρεάν αλλά δεν πληρώνουμε το κόστος του φορτίου.
Q: Ποια είναι η διαδικασία καταβολής σας;
Πληρωμή <>
>=5000USD, 80% T/T πληρωμής εκ των προτέρων, ισορροπία πριν από την αποστολή.
Υπεύθυνος Επικοινωνίας: Xiwen Bai (Ciel)
Τηλ.:: +8613372109561
