|
Λεπτομέρειες:
|
| Όνομα προϊόντων: | 2-ίντσα??????????? υποστρώματα u-GaN/SI-GaN | Διαστάσεις: | 50.8 ± 1mm |
|---|---|---|---|
| Πάχος: | 350 ± 25μm | Προσανατολισμός επίπεδος: | (1-100) ± 0.5˚, 16 ± 1mm |
| Δευτεροβάθμιος προσανατολισμός επίπεδος: | (11-20) ± 3˚, 8 ± 1mm | Τραχύτητα επιφάνειας προσώπου GA: | < 0=""> |
| Επισημαίνω: | Υποστρώματα του U GaN,GaN γκοφρέτα 2 ίντσας,Υποστρώματα 50.8mm Si GaN |
||
2-ίντσα??????????? u-GaN/SI-GaN υποστρώματα 350 ± 25 μm 50,8 ± 1 χιλ.
2inch γ-προσώπου Un-doped ειδική αντίσταση υποστρωμάτων ενιαίου κρυστάλλου GaN ν-τύπων??????????? < 0="">
Επισκόπηση
Το πρότυπο GaN στο πυρίτιο γίνεται από μια επιταξία φάσης ατμού υδρίδιων (HVPE) - βασισμένη μέθοδος. Κατά τη διάρκεια της διαδικασίας HVPE, το HCL αντιδρά με το λειωμένο GA στη μορφή GaCl, η οποία αντιδρά με τη σειρά με NH3 στη μορφή GaN. Το πρότυπο GaN στο πυρίτιο είναι ένας οικονομικώς αποδοτικός τρόπος να αντικατασταθεί το υπόστρωμα ενιαίου κρυστάλλου GaN.
| 2-ίντσα??????????? υποστρώματα u-GaN/SI-GaN | |||||||
|
Άριστο επίπεδο (σ) |
Επίπεδο παραγωγής (Α) |
Έρευνα επίπεδο (β) |
Πλαστός επίπεδο (γ) |
Σημείωση: (1) χρησιμοποιήσιμη περιοχή: άκρη και μακρο αποκλεισμός ατελειών (2) 3 σημεία: οι γωνίες miscut των θέσεων (2, 4, 5) είναι 0,35 ± 0,15ο |
|||
| S-1 | S-2 | Α-1 | Α-2 | ||||
| Διαστάσεις | 50.8 ± 1 χιλ. | ||||||
| Πάχος | 350 ± 25 μm | ||||||
| Προσανατολισμός επίπεδος | (1-100) ± 0,5ο, 16 ± 1 χιλ. | ||||||
| Δευτεροβάθμιος προσανατολισμός επίπεδος | (11-20) ± 3ο, 8 ± 1 χιλ. | ||||||
| Ειδική αντίσταση (300K) |
< 0=""> ή > 1 X 106 Ω·εκατ. για ημιμονωτικό (Φε-ναρκωμένος GaN-FS-γ-Si-C50) |
||||||
| TTV | ≤ 15 μm | ||||||
| ΤΟΞΟ | ≤ 20 μm ≤ 40 μm | ||||||
| Τραχύτητα επιφάνειας προσώπου GA |
< 0=""> ή < 0=""> |
||||||
| Τραχύτητα επιφάνειας προσώπου Ν |
0,5 ~1,5 μm επιλογή: 1~3 NM (λεπτό έδαφος) < 0=""> |
||||||
| Συσκευασία | Συσκευασμένος σε ένα αποστειρωμένο δωμάτιο στο ενιαίο εμπορευματοκιβώτιο γκοφρετών | ||||||
| Χρησιμοποιήσιμη περιοχή | > 90% | >80% | >70% | ||||
| Πυκνότητα εξάρθρωσης | <9>5 τ.εκ. | <3x10>6 τ.εκ. | <9>5 τ.εκ. | <3x10>6 τ.εκ. | <3x10>6 τ.εκ. | ||
| Προσανατολισμός: Αεροπλάνο Γ (0001) από τη γωνία προς τον μ-άξονα |
0,35 ± 0,15ο (3 σημεία) |
0,35 ± 0,15ο (3 σημεία) |
0,35 ± 0,15ο (3 σημεία) |
||||
| Μακρο πυκνότητα ατέλειας (τρύπα) | 0 τ.εκ. | < 0="">-2 | < 1="" cm="">-2 | ||||
| Ανώτατο μέγεθος των μακρο ατελειών | < 700=""> | < 2000=""> | < 4000=""> | ||||
Περίπου εμείς
Ειδικευόμαστε στην επεξεργασία ποικίλων υλικών στις γκοφρέτες, των υποστρωμάτων και του προσαρμοσμένου οπτικού γυαλιού parts.components που χρησιμοποιούνται ευρέως στην ηλεκτρονική, την οπτική, τη opto ηλεκτρονική και πολλούς άλλους τομείς. Επίσης έχουμε εργαστεί στενά με πολλούς εσωτερικό και oversea πανεπιστήμια, ερευνητικά όργανα και οι επιχειρήσεις, παρέχουν τα προσαρμοσμένες προϊόντα και τις υπηρεσίες για τα προγράμματα Ε&Α τους. Είναι το όραμά μας στη διατήρηση μιας καλής σχέσης της συνεργασίας με όλους τους πελάτες μας από τις καλές φήμες μας.
FAQ
Q: Ανταλλάσσετε την επιχείρηση ή τον κατασκευαστή;
Είμαστε εργοστάσιο.
Q: Πόσο καιρό είναι η παράδοσή σας χρόνος;
Γενικά είναι 3-5 ημέρες εάν τα αγαθά είναι στο απόθεμα.
ή είναι 7-10 ημέρες εάν τα αγαθά δεν είναι στο απόθεμα, είναι σύμφωνα με την ποσότητα.
Q: Παρέχετε τα δείγματα; είναι ελεύθερο ή πρόσθετο;
Ναι, θα μπορούσαμε να προσφέρουμε το δείγμα χρεώνουμε δωρεάν αλλά δεν πληρώνουμε το κόστος του φορτίου.
Q: Ποια είναι η διαδικασία καταβολής σας;
Πληρωμή <>
>=5000USD, 80% T/T πληρωμής εκ των προτέρων, ισορροπία πριν από την αποστολή.
Υπεύθυνος Επικοινωνίας: Xiwen Bai (Ciel)
Τηλ.:: +8613372109561
