Να στείλετε μήνυμα
  • Greek
Αρχική Σελίδα ΠροϊόνταΚρυσταλλική γκοφρέτα GaN

5*10mm2 α-προσώπου Un-Doped ειδική αντίσταση <0.1 Ω υποστρωμάτων ενιαίου κρυστάλλου GaN ν-τύπων??????????? ·συσκευή δύναμης εκατ./λέιζερ W

5*10mm2 α-προσώπου Un-Doped ειδική αντίσταση <0.1 Ω υποστρωμάτων ενιαίου κρυστάλλου GaN ν-τύπων??????????? ·συσκευή δύναμης εκατ./λέιζερ W

5*10mm2 α-προσώπου Un-Doped ειδική αντίσταση &lt;0.1 Ω υποστρωμάτων ενιαίου κρυστάλλου GaN ν-τύπων??????????? ·συσκευή δύναμης εκατ./λέιζερ W
5*10mm2 α-προσώπου Un-Doped ειδική αντίσταση &lt;0.1 Ω υποστρωμάτων ενιαίου κρυστάλλου GaN ν-τύπων??????????? ·συσκευή δύναμης εκατ./λέιζερ W 5*10mm2 α-προσώπου Un-Doped ειδική αντίσταση &lt;0.1 Ω υποστρωμάτων ενιαίου κρυστάλλου GaN ν-τύπων??????????? ·συσκευή δύναμης εκατ./λέιζερ W 5*10mm2 α-προσώπου Un-Doped ειδική αντίσταση &lt;0.1 Ω υποστρωμάτων ενιαίου κρυστάλλου GaN ν-τύπων??????????? ·συσκευή δύναμης εκατ./λέιζερ W 5*10mm2 α-προσώπου Un-Doped ειδική αντίσταση &lt;0.1 Ω υποστρωμάτων ενιαίου κρυστάλλου GaN ν-τύπων??????????? ·συσκευή δύναμης εκατ./λέιζερ W

Μεγάλες Εικόνας :  5*10mm2 α-προσώπου Un-Doped ειδική αντίσταση <0.1 Ω υποστρωμάτων ενιαίου κρυστάλλου GaN ν-τύπων??????????? ·συσκευή δύναμης εκατ./λέιζερ W

Λεπτομέρειες:
Τόπος καταγωγής: Suzhou Κίνα
Μάρκα: GaNova
Πιστοποίηση: UKAS/ISO9001:2015
Αριθμό μοντέλου: JDCD01-001-004
Πληρωμής & Αποστολής Όροι:
Συσκευασία λεπτομέρειες: Συσκευασία κενού σε περιβάλλον καθαρού δωματίου κατηγορίας 10000, σε κασέτες των 6 τμχ ή σε δοχεία μ
Χρόνος παράδοσης: 3-4 εβδομαδιαίες μέρες
Όροι πληρωμής: T/T
Δυνατότητα προσφοράς: 10000pcs/Month

5*10mm2 α-προσώπου Un-Doped ειδική αντίσταση <0.1 Ω υποστρωμάτων ενιαίου κρυστάλλου GaN ν-τύπων??????????? ·συσκευή δύναμης εκατ./λέιζερ W

περιγραφή
Διαστάσεις: 5 X 10mm ² Πάχος: 350 ±25 µm
Προσανατολισμός: Ένα αεροπλάνο (11-20) από τη γωνία προς τον μ-άξονα 0 αεροπλάνο ±0.5° Α (11-20) από τη γωνία προς το TTV: ≤ 10µm
Τόξο: - ΤΌΞΟ ≤ ≤10µm 10µm Μακρο πυκνότητα ατέλειας: 0cm⁻ ²

5*10mm2 α-προσώπου Un-doped ειδική αντίσταση υποστρωμάτων ενιαίου κρυστάλλου GaN ν-τύπων??????????? < 0="">


Επισκόπηση
Το νιτρίδιο γαλλίου (GaN) είναι ένας πολύ σκληρός, μηχανικά σταθερός ευρύς ημιαγωγός bandgap. Με την υψηλότερη δύναμη διακοπής, τη γρηγορότερη ταχύτητα μετατροπής, την υψηλότερη θερμική αγωγιμότητα και την χαμηλότερη -αντίσταση, οι συσκευές δύναμης βασισμένες σε GaN ξεπερνούν σημαντικά τις πυρίτιο-βασισμένες στον συσκευές.
Οι ερευνητές από το κρατικό πανεπιστήμιο της βόρειας Καρολίνας και το πανεπιστήμιο Purdue έχουν δείξει ότι το υλικό νιτρίδιο γαλλίου ημιαγωγών (GaN) είναι μη τοξικό και είναι συμβατό με τα ανθρώπινα κύτταρα – ανοίγοντας την πόρτα στη χρήση του υλικού σε ποικίλες βιοϊατρικές τεχνολογίες μοσχευμάτων.

Υποστρώματα ενός??????????? GaN προσώπου
Στοιχείο GaN-FS-α-u-s GaN-FS-α-ν-s GaN-FS-α-Si-s

5*10mm2 α-προσώπου Un-Doped ειδική αντίσταση <0.1 Ω υποστρωμάτων ενιαίου κρυστάλλου GaN ν-τύπων??????????? ·συσκευή δύναμης εκατ./λέιζερ W 0Παρατηρήσεις:

Μια κυκλική γωνία τόξων (Ρ < 2="" mm="">

Διαστάσεις 5 X 10 χιλ.2
Πάχος 350 ±25 µm
Προσανατολισμός

Ένα αεροπλάνο (11-20) από τη γωνία προς τον μ-άξονα 0 ±0.5°

Ένα αεροπλάνο (11-20) από τη γωνία προς τον γ-άξονα - 1 ±0.2°

Τύπος διεξαγωγής Ν-τύπος Ν-τύπος Ημιμονωτικός
Ειδική αντίσταση (300K) < 0=""> < 0=""> > 106 Ω·εκατ.
TTV ≤ 10 µm
ΤΟΞΟ - 10 µm ≤ ΤΌΞΟ ≤ 10 µm
Μπροστινή τραχύτητα επιφάνειας

< 0="">

ή < 0="">

Πίσω τραχύτητα επιφάνειας

0,5 ~1,5 μm

επιλογή: 1~3 NM (λεπτό έδαφος) < 0="">

Πυκνότητα εξάρθρωσης Από 1 X 105 έως 3 X 106 τ.εκ.
Μακρο πυκνότητα ατέλειας 0 τ.εκ.
Χρησιμοποιήσιμη περιοχή > 90% (αποκλεισμός ακρών)
Συσκευασία Συσκευασμένος σε μια κατηγορία 100 καθαρό περιβάλλον δωματίων, στο εμπορευματοκιβώτιο 6 PC, κάτω από μια ατμόσφαιρα αζώτου

Παράρτημα: Το διάγραμμα της γωνίας miscut

5*10mm2 α-προσώπου Un-Doped ειδική αντίσταση <0.1 Ω υποστρωμάτων ενιαίου κρυστάλλου GaN ν-τύπων??????????? ·συσκευή δύναμης εκατ./λέιζερ W 1

Εάν δ1 = 0 ±0.5°, έπειτα αεροπλάνο Α (11-20) από τη γωνία προς τον μ-άξονα είναι 0 ±0.5°.

Εάν δ2 = -1 ±0.2°, έπειτα αεροπλάνο Α (11-20) από τη γωνία προς τον γ-άξονα είναι - 1 ±0.2°.

Περίπου εμείς

Ειδικευόμαστε στην επεξεργασία ποικίλων υλικών στις γκοφρέτες, των υποστρωμάτων και του προσαρμοσμένου οπτικού γυαλιού parts.components που χρησιμοποιούνται ευρέως στην ηλεκτρονική, την οπτική, τη opto ηλεκτρονική και πολλούς άλλους τομείς. Επίσης έχουμε εργαστεί στενά με πολλούς εσωτερικό και oversea πανεπιστήμια, ερευνητικά όργανα και οι επιχειρήσεις, παρέχουν τα προσαρμοσμένες προϊόντα και τις υπηρεσίες για τα προγράμματα Ε&Α τους. Είναι το όραμά μας στη διατήρηση μιας καλής σχέσης της συνεργασίας με όλους τους πελάτες μας από τις καλές φήμες μας.

FAQ

Q: Ανταλλάσσετε την επιχείρηση ή τον κατασκευαστή;
Είμαστε εργοστάσιο.
Q: Πόσο καιρό είναι η παράδοσή σας χρόνος;
Γενικά είναι 3-5 ημέρες εάν τα αγαθά είναι στο απόθεμα.
ή είναι 7-10 ημέρες εάν τα αγαθά δεν είναι στο απόθεμα, είναι σύμφωνα με την ποσότητα.
Q: Παρέχετε τα δείγματα; είναι ελεύθερο ή πρόσθετο;
Ναι, θα μπορούσαμε να προσφέρουμε το δείγμα χρεώνουμε δωρεάν αλλά δεν πληρώνουμε το κόστος του φορτίου.
Q: Ποια είναι η διαδικασία καταβολής σας;
Πληρωμή <> >=5000USD, 80% T/T πληρωμής εκ των προτέρων, ισορροπία πριν από την αποστολή.

Στοιχεία επικοινωνίας
Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

Υπεύθυνος Επικοινωνίας: Xiwen Bai (Ciel)

Τηλ.:: +8613372109561

Στείλετε το ερώτημά σας απευθείας σε εμάς (0 / 3000)

Άλλα προϊόντα