Να στείλετε μήνυμα
Αρχική Σελίδα ΠροϊόνταΚρυσταλλική γκοφρέτα GaN

5*10mm2 μ-προσώπου Un-Doped ειδική αντίσταση υποστρωμάτων ενιαίου κρυστάλλου GaN Si-τύπων??????????? > 10 ⁶ Ω·Γκοφρέτα συσκευών εκατ. RF

5*10mm2 μ-προσώπου Un-Doped ειδική αντίσταση υποστρωμάτων ενιαίου κρυστάλλου GaN Si-τύπων??????????? > 10 ⁶ Ω·Γκοφρέτα συσκευών εκατ. RF

5*10mm2 μ-προσώπου Un-Doped ειδική αντίσταση υποστρωμάτων ενιαίου κρυστάλλου GaN Si-τύπων??????????? > 10 ⁶ Ω·Γκοφρέτα συσκευών εκατ. RF
5*10mm2 μ-προσώπου Un-Doped ειδική αντίσταση υποστρωμάτων ενιαίου κρυστάλλου GaN Si-τύπων??????????? > 10 ⁶ Ω·Γκοφρέτα συσκευών εκατ. RF 5*10mm2 μ-προσώπου Un-Doped ειδική αντίσταση υποστρωμάτων ενιαίου κρυστάλλου GaN Si-τύπων??????????? > 10 ⁶ Ω·Γκοφρέτα συσκευών εκατ. RF 5*10mm2 μ-προσώπου Un-Doped ειδική αντίσταση υποστρωμάτων ενιαίου κρυστάλλου GaN Si-τύπων??????????? > 10 ⁶ Ω·Γκοφρέτα συσκευών εκατ. RF 5*10mm2 μ-προσώπου Un-Doped ειδική αντίσταση υποστρωμάτων ενιαίου κρυστάλλου GaN Si-τύπων??????????? > 10 ⁶ Ω·Γκοφρέτα συσκευών εκατ. RF

Μεγάλες Εικόνας :  5*10mm2 μ-προσώπου Un-Doped ειδική αντίσταση υποστρωμάτων ενιαίου κρυστάλλου GaN Si-τύπων??????????? > 10 ⁶ Ω·Γκοφρέτα συσκευών εκατ. RF

Λεπτομέρειες:
Τόπος καταγωγής: Suzhou Κίνα
Μάρκα: GaNova
Πιστοποίηση: UKAS/ISO9001:2015
Αριθμό μοντέλου: JDCD01-001-009
Πληρωμής & Αποστολής Όροι:
Συσκευασία λεπτομέρειες: Συσκευασία κενού σε περιβάλλον καθαρού δωματίου κατηγορίας 10000, σε κασέτες των 6 τμχ ή σε δοχεία μ
Χρόνος παράδοσης: 3-4 εβδομαδιαίες μέρες
Όροι πληρωμής: T/T
Δυνατότητα προσφοράς: 10000pcs/Month

5*10mm2 μ-προσώπου Un-Doped ειδική αντίσταση υποστρωμάτων ενιαίου κρυστάλλου GaN Si-τύπων??????????? > 10 ⁶ Ω·Γκοφρέτα συσκευών εκατ. RF

περιγραφή
Διαστάσεις: 5 X 10mm ² Πάχος: 350 ±25µm
Τόξο: - ΤΌΞΟ ≤ ≤ 10µm 10µm Μακρο πυκνότητα ατέλειας: 0cm⁻ ²
Χρησιμοποιήσιμη περιοχή: > 90% (αποκλεισμός ακρών) Πυκνότητα εξάρθρωσης: Από 1 x105 έως 3 x106 cm-²

5*10mm2 μ-προσώπου Un-doped ειδική αντίσταση υποστρωμάτων ενιαίου κρυστάλλου GaN Si-τύπων??????????? > 106 Ω·γκοφρέτα συσκευών εκατ. RF


Επισκόπηση
Οι λεπτές γκοφρέτες EPI χρησιμοποιούνται συνήθως για τις συσκευές αιχμής MOS. Το παχύ EPI ή οι πολυστρωματικές κρυσταλλικές γκοφρέτες χρησιμοποιείται για τις συσκευές για να ελέγξει κυρίως τη ηλεκτρική δύναμη, και συμβάλλουν στη βελτίωση της αποδοτικότητας της κατανάλωσης ενέργειας.

Το υπόστρωμα νιτριδίων γαλλίου (GaN) είναι ένα υψηλής ποιότητας μονοκρυσταλλικό υπόστρωμα. Γίνεται με την αρχικές μέθοδο HVPE και την τεχνολογία επεξεργασίας γκοφρετών, η οποία έχει αναπτυχθεί αρχικά για πολλά χρόνια. Τα χαρακτηριστικά γνωρίσματα είναι υψηλή κρυστάλλινη, υψηλή ομοιομορφία, και ανώτερη ποιότητα επιφάνειας.

??????????? υποστρώματα GaN προσώπου Μ
Στοιχείο

GaN-FS-μ-u-s

GaN-FS-μ-ν-s

GaN-FS-μ-Si-s

5*10mm2 μ-προσώπου Un-Doped ειδική αντίσταση υποστρωμάτων ενιαίου κρυστάλλου GaN Si-τύπων??????????? > 10 ⁶ Ω·Γκοφρέτα συσκευών εκατ. RF 0

Παρατηρήσεις:

Μια κυκλική γωνία τόξων (Ρ < 2="" mm="">

Διαστάσεις 5 X 10 χιλ.2
Πάχος 350 ±25 µm
Προσανατολισμός

Αεροπλάνο Μ (1 - 100) από τη γωνία προς τον α-άξονα 0 ±0.5°

Αεροπλάνο Μ (1 - 100) από τη γωνία προς τον γ-άξονα - 1 ±0.2°

Τύπος διεξαγωγής Ν-τύπος Ν-τύπος Ημιμονωτικός
Ειδική αντίσταση (300K) < 0=""> < 0=""> > 106 Ω·εκατ.
TTV ≤ 10 µm
ΤΟΞΟ - 10 µm ≤ ΤΌΞΟ ≤ 10 µm
Μπροστινή τραχύτητα επιφάνειας

< 0="">

ή < 0="">

Πίσω τραχύτητα επιφάνειας

0,5 ~1,5 μm

επιλογή: 1~3 NM (λεπτό έδαφος) < 0="">

Πυκνότητα εξάρθρωσης Από 1 X 105 έως 3 X 106 τ.εκ.
Μακρο πυκνότητα ατέλειας 0 τ.εκ.
Χρησιμοποιήσιμη περιοχή > 90% (αποκλεισμός ακρών)
Συσκευασία Συσκευασμένος σε μια κατηγορία 100 καθαρό περιβάλλον δωματίων, στο εμπορευματοκιβώτιο 6 PC, κάτω από μια ατμόσφαιρα αζώτου

Παράρτημα: Το διάγραμμα της γωνίας miscut

5*10mm2 μ-προσώπου Un-Doped ειδική αντίσταση υποστρωμάτων ενιαίου κρυστάλλου GaN Si-τύπων??????????? > 10 ⁶ Ω·Γκοφρέτα συσκευών εκατ. RF 1

Εάν δ1 = 0 ±0.5 βαθμός, έπειτα αεροπλάνο Μ (1 - 100) από τη γωνία προς τον α-άξονα είναι βαθμός 0 ±0.5.

Εάν δ2 = - 1 ±0.2 βαθμός, έπειτα αεροπλάνο Μ (1 - 100) από τη γωνία προς τον γ-άξονα είναι - 1 βαθμός ±0.2.

Περίπου εμείς

Ειδικευόμαστε στην επεξεργασία ποικίλων υλικών στις γκοφρέτες, των υποστρωμάτων και του προσαρμοσμένου οπτικού γυαλιού parts.components που χρησιμοποιούνται ευρέως στην ηλεκτρονική, την οπτική, τη opto ηλεκτρονική και πολλούς άλλους τομείς. Επίσης έχουμε εργαστεί στενά με πολλούς εσωτερικό και oversea πανεπιστήμια, ερευνητικά όργανα και οι επιχειρήσεις, παρέχουν τα προσαρμοσμένες προϊόντα και τις υπηρεσίες για τα προγράμματα Ε&Α τους. Είναι το όραμά μας στη διατήρηση μιας καλής σχέσης της συνεργασίας με όλους τους πελάτες μας από τις καλές φήμες μας.

FAQ

Q: Ανταλλάσσετε την επιχείρηση ή τον κατασκευαστή;
Είμαστε εργοστάσιο.
Q: Πόσο καιρό είναι η παράδοσή σας χρόνος;
Γενικά είναι 3-5 ημέρες εάν τα αγαθά είναι στο απόθεμα.
ή είναι 7-10 ημέρες εάν τα αγαθά δεν είναι στο απόθεμα, είναι σύμφωνα με την ποσότητα.
Q: Παρέχετε τα δείγματα; είναι ελεύθερο ή πρόσθετο;
Ναι, θα μπορούσαμε να προσφέρουμε το δείγμα χρεώνουμε δωρεάν αλλά δεν πληρώνουμε το κόστος του φορτίου.
Q: Ποια είναι η διαδικασία καταβολής σας;
Πληρωμή <> >=5000USD, 80% T/T πληρωμής εκ των προτέρων, ισορροπία πριν από την αποστολή.

Στοιχεία επικοινωνίας
Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

Υπεύθυνος Επικοινωνίας: Xiwen Bai (Ciel)

Τηλ.:: +8613372109561

Στείλετε το ερώτημά σας απευθείας σε εμάς (0 / 3000)

Άλλα προϊόντα