ΚΙΝΑ GaAs Epi Wafer

• 

  JDCD10-001-005 2 ιντσών GaAs(111) υποστρώματα με πρόσμιξη Zn

  Όνομα προϊόντων:GaAs-Si Wafer

  Μέθοδος αύξησης:VGF

  Τύπος συμπεριφοράς:S-C-N

  Επικοινωνήστε
• 

  JDCD10-001-003 Υποστρώματα 2 ιντσών GaAs (100) Zn-Doped

  Όνομα προϊόντων:GaAs-Si Wafer

  Προσανατολισμός:(100) 15°±0.5° από Toward<111>A

  Προσανατολισμού:EJ[0-1-1]±0,5°

  Επικοινωνήστε
• 

  GaAs JDCD10-001-004 2inch (111) Si-ναρκωμένα υποστρώματα

  Όνομα προϊόντων:GaAs-Si Wafer

  Γωνία Προσανατολισμού:0°

  Προσανατολισμού:EJ[0-1-1]±0,5°

  Επικοινωνήστε