Αρχική Σελίδα Προϊόνταn type sic epitaxial wafer διαδικτυακός κατασκευαστής

Όλα τα Προϊόντα

Κρυσταλλική γκοφρέτα GaN
(62)

Κρυσταλλική γκοφρέτα SIC
(28)

GaAs Epi Wafer
(15)

Υποστρώματα διαμαντιών CVD
(15)

_γρήγορος θερμικός ανοπτώ σύστημα
(2)

Δοκιμαστής αισθητήρα εφέ Hall
(3)

Γκοφρέτα νιτριδίων αργιλίου
(21)

Τσιπ διόδων λέιζερ
(10)

Κρύσταλλο καρβιδίου του πυριτίου
(12)

Ga2O3 γκοφρέτα
(13)

γκοφρέτα πυριτίου
(26)

Γκοφρέτα σαπφείρου
(19)

Διαμορφωμένα υποστρώματα σαπφείρου
(10)

Τεφλόν κάτοχος γκοφρετών
(1)

Γκοφρέτα σε κύβους
(5)

Πιστοποίηση

ΚΙΝΑ Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. Πιστοποιήσεις

Είμαι Online Chat Now

n type sic epitaxial wafer διαδικτυακή κατασκευή

(14)

350um 4H SiC υπόστρωμα
Επικοινωνία

Διαβάστε περισσότερα

2022-10-09 16:57:57

Μπροστινή τραχύτητα GaN επιφάνειας στο υπόστρωμα GaN γκοφρετών πυριτίου
Επικοινωνία

Διαβάστε περισσότερα

2022-10-08 17:19:48

2 ιντσών C-Face Fe-Doped SI-Type Free-Standing GaN Αντίσταση υποστρώματος μονού κρυστάλλου > 106 Ω·cm Συσκευές RF
Επικοινωνία

Διαβάστε περισσότερα

2024-07-31 15:01:27

SP Face 5 X 10mm2 Υπόστρωμα Νιτριδίου Γαλλίου 350um
Επικοινωνία

Διαβάστε περισσότερα

2022-10-08 16:41:01

Page 2 of 2|< << 1 2 >> >|

Κρυσταλλική γκοφρέτα GaN

Κρυσταλλική γκοφρέτα SIC

GaAs Epi Wafer

Υποστρώματα διαμαντιών CVD

_γρήγορος θερμικός ανοπτώ σύστημα

Δοκιμαστής αισθητήρα εφέ Hall

Γκοφρέτα νιτριδίων αργιλίου

Τσιπ διόδων λέιζερ

Κρύσταλλο καρβιδίου του πυριτίου

Ga2O3 γκοφρέτα

γκοφρέτα πυριτίου

Γκοφρέτα σαπφείρου

Διαμορφωμένα υποστρώματα σαπφείρου

Τεφλόν κάτοχος γκοφρετών

Γκοφρέτα σε κύβους

n type sic epitaxial wafer διαδικτυακή κατασκευή

350um 4H SiC υπόστρωμα
Επικοινωνία

Μπροστινή τραχύτητα GaN επιφάνειας στο υπόστρωμα GaN γκοφρετών πυριτίου
Επικοινωνία

2 ιντσών C-Face Fe-Doped SI-Type Free-Standing GaN Αντίσταση υποστρώματος μονού κρυστάλλου > 106 Ω·cm Συσκευές RF
Επικοινωνία

SP Face 5 X 10mm2 Υπόστρωμα Νιτριδίου Γαλλίου 350um
Επικοινωνία

Κρυσταλλική γκοφρέτα GaN

2inch GaN κρυσταλλική γκοφρετών Γ ελεύθερη στάση τύπων Si προσώπου ναρκωμένη Φε

Ναρκωμένη Φε ειδική αντίσταση υποστρωμάτων GaN > 10 ⁶ Ω·Συσκευές εκατ. RF

Ελεύθερα υποστρώματα SI-GaN 2 ιντσών

Κρυσταλλική γκοφρέτα SIC

Beveling SiC Epitaxial Wafer 150,0 mm +0mm/-0,2mm 350,0um± 25,0 um

4H Crystal Form SiC Epitaxial Wafer Wafer Edge Beveling 350,0um ± 25,0um

Οπτικό πολωνικό Si-πρόσωπο CMP γ-προσώπου γκοφρετών ενιαίου κρυστάλλου SIC κρυσταλλικό