Ζητήστε ένα απόσπασμα |
Αρχική Σελίδα Προϊόνταsemiconductor diode laser chip διαδικτυακός κατασκευαστής
Όλα τα Προϊόντα

Κρυσταλλική γκοφρέτα GaN

(65)

Κρυσταλλική γκοφρέτα SIC

(39)

GaAs Epi Wafer

(15)

Υποστρώματα διαμαντιών CVD

(15)

_γρήγορος θερμικός ανοπτώ σύστημα

(2)

Δοκιμαστής αισθητήρα εφέ Hall

(3)

Γκοφρέτα νιτριδίων αργιλίου

(21)

Τσιπ διόδων λέιζερ

(10)

Κρύσταλλο καρβιδίου του πυριτίου

(12)

Ga2O3 γκοφρέτα

(13)

γκοφρέτα πυριτίου

(26)

Γκοφρέτα σαπφείρου

(19)

Διαμορφωμένα υποστρώματα σαπφείρου

(10)

Τεφλόν κάτοχος γκοφρετών

(1)

Γκοφρέτα σε κύβους

(5)
Πιστοποίηση
ΚΙΝΑ Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. Πιστοποιήσεις
Είμαι Online Chat Now

semiconductor diode laser chip διαδικτυακή κατασκευή

(4)
Αγορά Εκτύπωση λέιζερ Τσιπ διόδου λέιζερ ημιαγωγών 1.0W/A Μέγεθος πομπού 94μm Μήκος κύματος 915nm σε απευθείας σύνδεση κατασκευαστής

Εκτύπωση λέιζερ Τσιπ διόδου λέιζερ ημιαγωγών 1.0W/A Μέγεθος πομπού 94μm Μήκος κύματος 915nm
Επικοινωνία

Laser Printing Laser Diode Chip 1.0W/A Emitter Size 94μm Wavelength 915nm 915nm 10W COS Diode Laser Chip On Submount Design Chip on Submount COS Laser Diode employing AuSn bonding and P Down package with ... Διαβάστε περισσότερα
2022-09-22 15:10:25
Αγορά Κατώφλι ρεύματος 0,5A Αποδοτικότητα μετατροπής ισχύος τσιπ διόδου λέιζερ 58% σε απευθείας σύνδεση κατασκευαστής

Κατώφλι ρεύματος 0,5A Αποδοτικότητα μετατροπής ισχύος τσιπ διόδου λέιζερ 58%
Επικοινωνία

Threshold Current 0.5A Laser Diode Chip Power Conversion Efficiency 58% 915nm 10W COS Diode Laser Chip On Submount Design On-chip integration of laser diodes and photodetectors with silicon nanowire waveguides ... Διαβάστε περισσότερα
2022-09-22 15:12:40
Αγορά Κατώφλι ρεύματος 0,5A τσιπ λέιζερ διόδων λέιζερ απόδοσης κλίσης εκτύπωσης 1,0 W/A σε απευθείας σύνδεση κατασκευαστής

Κατώφλι ρεύματος 0,5A τσιπ λέιζερ διόδων λέιζερ απόδοσης κλίσης εκτύπωσης 1,0 W/A
Επικοινωνία

Threshold Current 0.5A Laser Diode Chip Laser Printing Slope Efficiency 1.0W/A 915nm 10W COS Diode Laser Chip On Submount Design The light source is integrated by flip-chip bonding directly onto the Si ... Διαβάστε περισσότερα
2022-09-22 15:13:34
Αγορά Προσανατολισμός C/M0.2 κρυστάλλου υποστρωμάτων σαπφείρου Thk 430um σε απευθείας σύνδεση κατασκευαστής

Προσανατολισμός C/M0.2 κρυστάλλου υποστρωμάτων σαπφείρου Thk 430um
Επικοινωνία

Thk 430μm Sapphire Substrate Wafer Crystal Orientation C/M0.2, OF Length (Mm) 16 LED Chip JDCD08-001-001 Diameter 50mm Sapphire substrate wafer , Thk 430μm, crystal orientation C/M0.2, OF length (mm) 16 LED ... Διαβάστε περισσότερα
2023-02-17 10:18:05
Page 1 of 1
περίπου

Κρυσταλλική γκοφρέτα GaN

2inch GaN κρυσταλλική γκοφρετών Γ ελεύθερη στάση τύπων Si προσώπου ναρκωμένη Φε

Ναρκωμένη Φε ειδική αντίσταση υποστρωμάτων GaN > 10 ⁶ Ω·Συσκευές εκατ. RF

Ελεύθερα υποστρώματα SI-GaN 2 ιντσών

Κρυσταλλική γκοφρέτα SIC

Beveling SiC Epitaxial Wafer 150,0 mm +0mm/-0,2mm 350,0um± 25,0 um

4H Crystal Form SiC Epitaxial Wafer Wafer Edge Beveling 350,0um ± 25,0um

Οπτικό πολωνικό Si-πρόσωπο CMP γ-προσώπου γκοφρετών ενιαίου κρυστάλλου SIC κρυσταλλικό

Αφήστε μήνυμα

Πολιτική Απορρήτου | ΚΙΝΑ καλός Ποιότητα Κρυσταλλική γκοφρέτα GaN προμηθευτής. © 2023 - 2026 Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.. All Rights Reserved.