Ζητήστε ένα απόσπασμα |
Αρχική Σελίδα Προϊόνταsemiconductor gallium arsenide wafer διαδικτυακός κατασκευαστής
Όλα τα Προϊόντα

Κρυσταλλική γκοφρέτα GaN

(65)

Κρυσταλλική γκοφρέτα SIC

(39)

GaAs Epi Wafer

(15)

Υποστρώματα διαμαντιών CVD

(15)

_γρήγορος θερμικός ανοπτώ σύστημα

(2)

Δοκιμαστής αισθητήρα εφέ Hall

(3)

Γκοφρέτα νιτριδίων αργιλίου

(21)

Τσιπ διόδων λέιζερ

(10)

Κρύσταλλο καρβιδίου του πυριτίου

(12)

Ga2O3 γκοφρέτα

(13)

γκοφρέτα πυριτίου

(26)

Γκοφρέτα σαπφείρου

(19)

Διαμορφωμένα υποστρώματα σαπφείρου

(10)

Τεφλόν κάτοχος γκοφρετών

(1)

Γκοφρέτα σε κύβους

(5)
Πιστοποίηση
ΚΙΝΑ Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. Πιστοποιήσεις
Είμαι Online Chat Now

semiconductor gallium arsenide wafer διαδικτυακή κατασκευή

(10)
Αγορά Σύνθεση ημιαγωγών 2 ιντσών GaAs Epi Wafer GaAs Si Wafer UKAS σε απευθείας σύνδεση κατασκευαστής

Σύνθεση ημιαγωγών 2 ιντσών GaAs Epi Wafer GaAs Si Wafer UKAS
Επικοινωνία

GaAs-Si Wafer 2inch GaAs (100) Undoped Substrates (100)15°±0.5° Off TowardA Overview Gallium arsenide (chemical formula GaAs) is a semiconductor compound used in some diode s, field-effect transistor s (FETs), ... Διαβάστε περισσότερα
2022-09-27 17:18:19
Αγορά GaAs 18mm GaAs γκοφρετών 2inch Si Undoped υποστρώματα VGF s-γ-ν σε απευθείας σύνδεση κατασκευαστής

GaAs 18mm GaAs γκοφρετών 2inch Si Undoped υποστρώματα VGF s-γ-ν
Επικοινωνία

2inch GaAs (100) Undoped Substrates Overview GaAs is often used as a substrate material for the epitaxial growth of other III-V semiconductors, including indium gallium arsenide, aluminum gallium arsenide and ... Διαβάστε περισσότερα
2022-10-09 09:53:40
Αγορά Επταξιακή πλάκα GaN απαραίτητη για την παραγωγή τσιπ υψηλής τάσης υψηλής συχνότητας σε απευθείας σύνδεση κατασκευαστής

Επταξιακή πλάκα GaN απαραίτητη για την παραγωγή τσιπ υψηλής τάσης υψηλής συχνότητας
Επικοινωνία

Description: Epiaxial wafers refer to products formed by growing a new single crystal layer on a single crystal substrate. Epiaxial wafers determine about 70% of the performance of devices and are important raw ... Διαβάστε περισσότερα
2024-12-06 17:47:04
Αγορά 2 ′′ 6 ιντσών N τύπου GaN σε σαφείρινο επιταξιακό βάφρο για συσκευή LED Laser PIN σε απευθείας σύνδεση κατασκευαστής

2 ′′ 6 ιντσών N τύπου GaN σε σαφείρινο επιταξιακό βάφρο για συσκευή LED Laser PIN
Επικοινωνία

Description: Epiaxial wafers refer to products formed by growing a new single crystal layer on a single crystal substrate. Epiaxial wafers determine about 70% of the performance of devices and are important raw ... Διαβάστε περισσότερα
2024-12-06 17:48:43
Αγορά 2 επίπεδο 260μm γκοφρετών Π ημιαγωγών ίντσας για τις συσκευές μικροκυμάτων συσκευών δύναμης σε απευθείας σύνδεση κατασκευαστής

2 επίπεδο 260μm γκοφρετών Π ημιαγωγών ίντσας για τις συσκευές μικροκυμάτων συσκευών δύναμης
Επικοινωνία

JDCD03-001-001 2-inch SiC substrate P-level 4H-N/SI260μm±25μm for power devices and microwave devices Overview The unique electronic and thermal properties of silicon carbide (SiC) make it ideally suited for ... Διαβάστε περισσότερα
2022-10-24 10:25:55
Αγορά 150,0 mm + 0 mm / -0,2 mm SiC Επιταξιακή Γκοφρέτα 4H Κρυσταλλική Μορφή σε απευθείας σύνδεση κατασκευαστής

150,0 mm + 0 mm / -0,2 mm SiC Επιταξιακή Γκοφρέτα 4H Κρυσταλλική Μορφή
Επικοινωνία

150.0 mm +0mm/-0.2mm Sic Epitaxial Wafer Off-Axis:4°Toward ±0.5 ° JDCD03-001-004 Overview A SiC wafer is a semiconductor made of silicon. Its flatness, thermal conductivity, and electrical conductivity make it ... Διαβάστε περισσότερα
2022-10-24 10:20:57
Αγορά 150,0mm +0mm/-0,2mm SiC Epitaxial Wafer 47,5mm ± 1,5mm σε απευθείας σύνδεση κατασκευαστής

150,0mm +0mm/-0,2mm SiC Epitaxial Wafer 47,5mm ± 1,5mm
Επικοινωνία

150.0mm +0mm/-0.2mm JDCD03-001-004 SiC Epitaxial Wafer 47.5 mm ± 1.5 mm Overview Because SiC has a high thermal conductivity, SiC dissipates heat more rapidly than other semiconductor materials. This enables ... Διαβάστε περισσότερα
2022-10-24 10:23:40
Αγορά Γκοφρέτα τύπου N 6 ιντσών P MOS Grade 4H SiC Υπόστρωμα 350,0 ± 25,0um σε απευθείας σύνδεση κατασκευαστής

Γκοφρέτα τύπου N 6 ιντσών P MOS Grade 4H SiC Υπόστρωμα 350,0 ± 25,0um
Επικοινωνία

6inch 4H-SiC substrate N-Type P-MOS Grade 350.0±25.0μm MPD≤0.2/cm2 Resistivity 0.015Ω•cm—0.025Ω•cm for power and microwave devices Overview SiC is used for the fabrication of very high-voltage and high-power ... Διαβάστε περισσότερα
2022-10-24 10:21:10
Αγορά JDCD10-001-002 2 ιντσών GaAs (100) Si ντοπιζόμενα υποστρώματα σε απευθείας σύνδεση κατασκευαστής

JDCD10-001-002 2 ιντσών GaAs (100) Si ντοπιζόμενα υποστρώματα
Επικοινωνία

2inch GaAs (100) Si-doped substrates Overview GaAs is often used as a substrate material for the epitaxial growth of other III-V semiconductors, including indium gallium arsenide, aluminum gallium arsenide and ... Διαβάστε περισσότερα
2025-04-27 11:43:51
Αγορά Σύστημα αναψύξης RTP-SA-8 για ταχεία θερμική επεξεργασία σε απευθείας σύνδεση κατασκευαστής

Σύστημα αναψύξης RTP-SA-8 για ταχεία θερμική επεξεργασία
Επικοινωνία

1.Basic configuration of equipment system 1.1outline The Rapid Thermal Processing is a vertical semi-automatic 8-inch wafer rapid annealing furnace, which uses two layers of infrared halogen lamps as heat ... Διαβάστε περισσότερα
2024-12-06 17:48:00
Page 1 of 1
περίπου

Κρυσταλλική γκοφρέτα GaN

2inch GaN κρυσταλλική γκοφρετών Γ ελεύθερη στάση τύπων Si προσώπου ναρκωμένη Φε

Ναρκωμένη Φε ειδική αντίσταση υποστρωμάτων GaN > 10 ⁶ Ω·Συσκευές εκατ. RF

Ελεύθερα υποστρώματα SI-GaN 2 ιντσών

Κρυσταλλική γκοφρέτα SIC

Beveling SiC Epitaxial Wafer 150,0 mm +0mm/-0,2mm 350,0um± 25,0 um

4H Crystal Form SiC Epitaxial Wafer Wafer Edge Beveling 350,0um ± 25,0um

Οπτικό πολωνικό Si-πρόσωπο CMP γ-προσώπου γκοφρετών ενιαίου κρυστάλλου SIC κρυσταλλικό

Αφήστε μήνυμα

Πολιτική Απορρήτου | ΚΙΝΑ καλός Ποιότητα Κρυσταλλική γκοφρέτα GaN προμηθευτής. © 2023 - 2026 Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.. All Rights Reserved.