Κρυσταλλική γκοφρέτα GaN

Καλύτερα προϊόντα

Υπόστρωμα ενιαίου κρυστάλλου GaN

Un Doped GaN Epitaxial Wafer

Υπόστρωμα GaN προσώπου Γ

ΚΙΝΑ Κρυσταλλική γκοφρέτα GaN

Flat Sapphire 4 Inch Blue LED GaN Epitaxial Wafer On Sapphire SSP

Όνομα προϊόντων:γκοφρέτα των μπλε/πράσινων οδηγήσεων gaN--σαπφείρου 4inch

Πάχος:650 ± 25μm

Προσανατολισμός:Αεροπλάνο Γ (0001) από τη γωνία προς τον μ-άξονα 0,2 ± 0.1°
Ανεξάρτητα υποστρώματα N GaN N Τραχύτητα επιφάνειας προσώπου 0,5um έως 1,5um

Όνομα προϊόντων:2-ίντσα??????????? υποστρώματα ν-GaN

Διαστάσεις:50.0 ±0.3mm

Στοιχείο:GaN-FS-γ-ν-C50-SSP
100mm κρυσταλλική γκοφρέτα GaN 4 μπλε οδηγήσεων ίντσας στο πάχος 5um SSP σαπφείρου - 6um

Τύπος:Επίπεδος σάπφειρος

Όνομα προϊόντων:γκοφρέτα των μπλε/πράσινων οδηγήσεων gaN--σαπφείρου 4inch

Πολωνικά:Η ενιαία πλευρά γυάλισε (SSP)/διπλή πλευρά που γυαλίστηκε (DSP)
12.5mm 2inch Ν GaN EPI Si γκοφρετών που ναρκώνεται???????????

Όνομα προϊόντων:2-ίντσα??????????? υποστρώματα ν-GaN

Διαστάσεις:50.0 ±0.3mm

Πάχος:400 ± 30μm
Επίπεδο ζαφείρι 4 ιντσών μπλε LED GaN Epitaxial Wafer C Plane

Τύπος:Επίπεδος σάπφειρος

Όνομα προϊόντων:γκοφρέτα των μπλε/πράσινων οδηγήσεων gaN--σαπφείρου 4inch

Πολωνικά:Η ενιαία πλευρά γυάλισε (SSP)/διπλή πλευρά που γυαλίστηκε (DSP)
Ένα Πρόσωπο N Τύπου Ελεύθερο Υπόστρωμα GaN Μονόκρυσταλλο Γάλλιο Μη Ναρκωμένο

Όνομα προϊόντων:Υπόστρωμα ενιαίου κρυστάλλου GaN

Διαστάσεις:5 X 10mm ²

Πάχος:350 ±25µm
4 ιντσών N-Type UID-Doped GaN On Sapphire Wafer SSP Resistivity＞0,5 Ω cm LED, Laser, Επιταξιακή γκοφρέτα PIN

Διαστάσεις:100 ± 0.2mm

Πάχος/πάχος STD:4.5 ± 0.5μm/< 3%

Προσανατολισμός:Επίπεδο C (0001) εκτός γωνίας προς τον άξονα Α 0,2 ± 0,1 °
4 ιντσών P-Type Mg-Doped GaN On Sapphire Wafer SSP Resistivity~10Ω Cm Επιταξιακή γκοφρέτα λέιζερ LED PIN

Διαστάσεις:100 ± 0.2mm

Όνομα προϊόντων:MG-ναρκωμένα 4-ίντσα υποστρώματα GaN/σαπφείρου

Τύπος διεξαγωγής:Π-τύπος
MG-ναρκωμένη 4-ίντσα κρυσταλλική γκοφρέτα ΚΑΡΦΙΤΣΏΝ λέιζερ των οδηγήσεων SSP Resistivity~10Ω εκατ. υποστρωμάτων GaN/σαπφείρου

Όνομα προϊόντων:MG-ναρκωμένα 4-ίντσα υποστρώματα GaN/σαπφείρου

Διαστάσεις:100 ± 0.2mm

Τύπος διεξαγωγής:Π-τύπος
2 ιντσών C-Face Fe-Doped SI-Type Free-Standing GaN Αντίσταση υποστρώματος μονού κρυστάλλου > 106 Ω·cm Συσκευές RF

Διαστάσεις:50.8 ± 1mm

Πάχος:350 ± 25μm

Προσανατολισμός επίπεδος:(1-100) ± 0.5˚, 16 ± 1mm
μπλε-οδηγημένο 2inch GaN στο λέιζερ 455±10nm Longueur D'Onde γκοφρετών πυριτίου

Όνομα προϊόντων:Μπλε-οδηγημένο GaN στην γκοφρέτα πυριτίου

Διαστάσεις:2 ίντσα

Πάχος απομονωτών AlGaN:400-600nm
Διάσταση 520±10nm πράσινος-οδηγημένο 2inch GaN στο στρώμα γκοφρετών πυριτίου 20nmContact

Όνομα προϊόντων:πράσινος-οδηγημένο 2-4inch GaN στο πυρίτιο

Μέγεθος:2 ίντσα, 4 ίντσα

Διάσταση:520±10nm

Page 3 of 6|< << 1 2 3 4 5 6 >> >|

Περιήγηση στις κατηγορίες：

Κρυσταλλική γκοφρέτα GaN

Υπόστρωμα ενιαίου κρυστάλλου GaN

Un Doped GaN Epitaxial Wafer

Υπόστρωμα GaN προσώπου Γ

ΚΙΝΑ Κρυσταλλική γκοφρέτα GaN

Flat Sapphire 4 Inch Blue LED GaN Epitaxial Wafer On Sapphire SSP

Ανεξάρτητα υποστρώματα N GaN N Τραχύτητα επιφάνειας προσώπου 0,5um έως 1,5um

100mm κρυσταλλική γκοφρέτα GaN 4 μπλε οδηγήσεων ίντσας στο πάχος 5um SSP σαπφείρου - 6um

12.5mm 2inch Ν GaN EPI Si γκοφρετών που ναρκώνεται???????????

Επίπεδο ζαφείρι 4 ιντσών μπλε LED GaN Epitaxial Wafer C Plane

Ένα Πρόσωπο N Τύπου Ελεύθερο Υπόστρωμα GaN Μονόκρυσταλλο Γάλλιο Μη Ναρκωμένο

4 ιντσών N-Type UID-Doped GaN On Sapphire Wafer SSP Resistivity＞0,5 Ω cm LED, Laser, Επιταξιακή γκοφρέτα PIN

4 ιντσών P-Type Mg-Doped GaN On Sapphire Wafer SSP Resistivity~10Ω Cm Επιταξιακή γκοφρέτα λέιζερ LED PIN

MG-ναρκωμένη 4-ίντσα κρυσταλλική γκοφρέτα ΚΑΡΦΙΤΣΏΝ λέιζερ των οδηγήσεων SSP Resistivity~10Ω εκατ. υποστρωμάτων GaN/σαπφείρου

2 ιντσών C-Face Fe-Doped SI-Type Free-Standing GaN Αντίσταση υποστρώματος μονού κρυστάλλου > 106 Ω·cm Συσκευές RF

μπλε-οδηγημένο 2inch GaN στο λέιζερ 455±10nm Longueur D'Onde γκοφρετών πυριτίου

Διάσταση 520±10nm πράσινος-οδηγημένο 2inch GaN στο στρώμα γκοφρετών πυριτίου 20nmContact

Κρυσταλλική γκοφρέτα GaN

2inch GaN κρυσταλλική γκοφρετών Γ ελεύθερη στάση τύπων Si προσώπου ναρκωμένη Φε

Ναρκωμένη Φε ειδική αντίσταση υποστρωμάτων GaN > 10 ⁶ Ω·Συσκευές εκατ. RF

Ελεύθερα υποστρώματα SI-GaN 2 ιντσών

Κρυσταλλική γκοφρέτα SIC

Beveling SiC Epitaxial Wafer 150,0 mm +0mm/-0,2mm 350,0um± 25,0 um

4H Crystal Form SiC Epitaxial Wafer Wafer Edge Beveling 350,0um ± 25,0um

Οπτικό πολωνικό Si-πρόσωπο CMP γ-προσώπου γκοφρετών ενιαίου κρυστάλλου SIC κρυσταλλικό