ΚΙΝΑ Κρυσταλλική γκοφρέτα GaN

Flat Sapphire 4 Inch Blue LED GaN Epitaxial Wafer On Sapphire SSP

Όνομα προϊόντων:γκοφρέτα των μπλε/πράσινων οδηγήσεων gaN--σαπφείρου 4inch

Πάχος:650 ± 25μm

Προσανατολισμός:Αεροπλάνο Γ (0001) από τη γωνία προς τον μ-άξονα 0,2 ± 0.1°
Ανεξάρτητα υποστρώματα N GaN N Τραχύτητα επιφάνειας προσώπου 0,5um έως 1,5um

Όνομα προϊόντων:2-ίντσα??????????? υποστρώματα ν-GaN

Διαστάσεις:50.0 ±0.3mm

Στοιχείο:GaN-FS-γ-ν-C50-SSP
100mm κρυσταλλική γκοφρέτα GaN 4 μπλε οδηγήσεων ίντσας στο πάχος 5um SSP σαπφείρου - 6um

Τύπος:Επίπεδος σάπφειρος

Όνομα προϊόντων:γκοφρέτα των μπλε/πράσινων οδηγήσεων gaN--σαπφείρου 4inch

Πολωνικά:Η ενιαία πλευρά γυάλισε (SSP)/διπλή πλευρά που γυαλίστηκε (DSP)
12.5mm 2inch Ν GaN EPI Si γκοφρετών που ναρκώνεται???????????

Όνομα προϊόντων:2-ίντσα??????????? υποστρώματα ν-GaN

Διαστάσεις:50.0 ±0.3mm

Πάχος:400 ± 30μm
Επίπεδο ζαφείρι 4 ιντσών μπλε LED GaN Epitaxial Wafer C Plane

Τύπος:Επίπεδος σάπφειρος

Όνομα προϊόντων:γκοφρέτα των μπλε/πράσινων οδηγήσεων gaN--σαπφείρου 4inch

Πολωνικά:Η ενιαία πλευρά γυάλισε (SSP)/διπλή πλευρά που γυαλίστηκε (DSP)
Ένα Πρόσωπο N Τύπου Ελεύθερο Υπόστρωμα GaN Μονόκρυσταλλο Γάλλιο Μη Ναρκωμένο

Όνομα προϊόντων:Υπόστρωμα ενιαίου κρυστάλλου GaN

Διαστάσεις:5 X 10mm ²

Πάχος:350 ±25µm
5*10mm2 SP-Face Un-Doped N-Type Free-Standing GaN Single Crystal Substrate 20-21 / 20-2-1 10mm2 Αντίσταση 0,05 Ω·cm

Διαστάσεις:5 X 10mm ²

Πάχος:350 ±25µm

TTV:≤ 10µm
350 ± 25μm πάχος Ανεξάρτητο μονοκρυσταλλικό υπόστρωμα GaN τύπου N χωρίς ντόπινγκ με TTV ≤ 10μm και αντοχή 0,1 Ω·cm

Διαστάσεις:5 X 10mm ²

Πάχος:350 ±25µm

TTV:≤ 10µm
SP-Face 11-12 μη ντοπιζόμενος N-τύπος ελεύθερος GaN μονοκρυσταλλικός υπόστρωμα Αντίσταση 0,05 Ω·cm Μακρό ελάττωμα Πυκνότητα 0cm−2

Διαστάσεις:5 X 10mm ²

Πάχος:350 ±25µm

Προσανατολισμός:(11-22) αεροπλάνο από τη γωνία προς τον μ-άξονα 0 (11-22) αεροπλάνο ±0.5° από τη γωνία προς τον γ-άξ
Συσκευή ισχύος 5x10mm2 Ανεξάρτητο ελεύθερο υπόστρωμα μονοκρυσταλλικού GaN τύπου N χωρίς ντόπινγκ με αντίσταση 0,1 Ω·cm και BOW εντός 10μm

Διαστάσεις:5 X 10mm ²

Προσανατολισμός:(11-22) αεροπλάνο από τη γωνία προς τον μ-άξονα 0 (11-22) αεροπλάνο ±0.5° από τη γωνία προς τον γ-άξ

TTV:≤ 10µm
5x10mm2 SP-Face 10-11 Ανεξάρτητο ελεύθερο υπόστρωμα GaN μονοκρυσταλλικού τύπου N χωρίς ντόπιση με TTV ≤ 10μm Αντίσταση 0,05 Ω·cm

Διαστάσεις:5 X 10mm ²

Πάχος:350 ±25µm

TTV:≤ 10µm
5*10mm2 SP-Face 10-11 Μη ντοπιζόμενο N-τύπου ελεύθερο στάσιμο GaN μονοκρυσταλλικό υπόστρωμα 0,1 Ω·cm Αντίσταση για συσκευή ισχύος

Διαστάσεις:5 X 10mm ²

Πάχος:350 ±25µm

Προσανατολισμός:(10- 11) επίπεδο εκτός γωνίας προς τον άξονα Α 0 ±0,5° (10- 11) επίπεδο εκτός γωνίας προς τον άξονα

Page 3 of 6|< << 1 2 3 4 5 6 >> >|

Κρυσταλλική γκοφρέτα GaN

Υπόστρωμα ενιαίου κρυστάλλου GaN

Un Doped GaN Epitaxial Wafer

Υπόστρωμα GaN προσώπου Γ

ΚΙΝΑ Κρυσταλλική γκοφρέτα GaN

Flat Sapphire 4 Inch Blue LED GaN Epitaxial Wafer On Sapphire SSP

Ανεξάρτητα υποστρώματα N GaN N Τραχύτητα επιφάνειας προσώπου 0,5um έως 1,5um

100mm κρυσταλλική γκοφρέτα GaN 4 μπλε οδηγήσεων ίντσας στο πάχος 5um SSP σαπφείρου - 6um

12.5mm 2inch Ν GaN EPI Si γκοφρετών που ναρκώνεται???????????

Επίπεδο ζαφείρι 4 ιντσών μπλε LED GaN Epitaxial Wafer C Plane

Ένα Πρόσωπο N Τύπου Ελεύθερο Υπόστρωμα GaN Μονόκρυσταλλο Γάλλιο Μη Ναρκωμένο

5*10mm2 SP-Face Un-Doped N-Type Free-Standing GaN Single Crystal Substrate 20-21 / 20-2-1 10mm2 Αντίσταση 0,05 Ω·cm

350 ± 25μm πάχος Ανεξάρτητο μονοκρυσταλλικό υπόστρωμα GaN τύπου N χωρίς ντόπινγκ με TTV ≤ 10μm και αντοχή 0,1 Ω·cm

SP-Face 11-12 μη ντοπιζόμενος N-τύπος ελεύθερος GaN μονοκρυσταλλικός υπόστρωμα Αντίσταση 0,05 Ω·cm Μακρό ελάττωμα Πυκνότητα 0cm−2

Συσκευή ισχύος 5x10mm2 Ανεξάρτητο ελεύθερο υπόστρωμα μονοκρυσταλλικού GaN τύπου N χωρίς ντόπινγκ με αντίσταση 0,1 Ω·cm και BOW εντός 10μm

5x10mm2 SP-Face 10-11 Ανεξάρτητο ελεύθερο υπόστρωμα GaN μονοκρυσταλλικού τύπου N χωρίς ντόπιση με TTV ≤ 10μm Αντίσταση 0,05 Ω·cm

5*10mm2 SP-Face 10-11 Μη ντοπιζόμενο N-τύπου ελεύθερο στάσιμο GaN μονοκρυσταλλικό υπόστρωμα 0,1 Ω·cm Αντίσταση για συσκευή ισχύος

Κρυσταλλική γκοφρέτα GaN

2inch GaN κρυσταλλική γκοφρετών Γ ελεύθερη στάση τύπων Si προσώπου ναρκωμένη Φε

Ναρκωμένη Φε ειδική αντίσταση υποστρωμάτων GaN > 10 ⁶ Ω·Συσκευές εκατ. RF

Ελεύθερα υποστρώματα SI-GaN 2 ιντσών

Κρυσταλλική γκοφρέτα SIC

Beveling SiC Epitaxial Wafer 150,0 mm +0mm/-0,2mm 350,0um± 25,0 um

4H Crystal Form SiC Epitaxial Wafer Wafer Edge Beveling 350,0um ± 25,0um

Οπτικό πολωνικό Si-πρόσωπο CMP γ-προσώπου γκοφρετών ενιαίου κρυστάλλου SIC κρυσταλλικό