ΚΙΝΑ Κρυσταλλική γκοφρέτα GaN

5*10mm2 μ-προσώπου Un-Doped ειδική αντίσταση υποστρωμάτων ενιαίου κρυστάλλου GaN ν-τύπων??????????? < 0,05 Ω·συσκευή/λέιζερ δύναμης εκατ.

Διαστάσεις:5 X 10mm ²

Πάχος:350 ±25µm

TTV:≤ 10µm
5*10mm2 SP-προσώπου (10-11) Un-Doped ειδική αντίσταση υποστρωμάτων ενιαίου κρυστάλλου GaN Si-τύπων??????????? > 10 ⁶ Ω·Συσκευή εκατ. RF

Διαστάσεις:5 X 10mm ²

Πάχος:350 ±25µm

Προσανατολισμός:(10- 11) επίπεδο εκτός γωνίας προς τον άξονα Α 0 ±0,5° (10- 11) επίπεδο εκτός γωνίας προς τον άξονα
5*10mm2 α-προσώπου Un-doped ειδική αντίσταση υποστρωμάτων ενιαίου κρυστάλλου GaN ν-τύπων??????????? < 0,05 Ω·συσκευή/λέιζερ δύναμης εκατ.

Διαστάσεις:5 X 10mm ²

Πάχος:350 ±25µm

Προσανατολισμός:Ένα αεροπλάνο (11-20) από τη γωνία προς τον μ-άξονα 0 αεροπλάνο ±0.5° Α (11-20) από τη γωνία προς το
5*10mm2 SP-προσώπου (11-12) Un-Doped ειδική αντίσταση υποστρωμάτων ενιαίου κρυστάλλου GaN Si-τύπων??????????? > 10 ⁶ Ω·Συσκευή εκατ. RF

Διαστάσεις:5 X 10mm ²

Πάχος:350 ±25µm

Προσανατολισμός:(11-22) αεροπλάνο από τη γωνία προς τον μ-άξονα 0 (11-22) αεροπλάνο ±0.5° από τη γωνία προς τον γ-άξ
5*10mm2 α-προσώπου Un-Doped ειδική αντίσταση υποστρωμάτων ενιαίου κρυστάλλου GaN Si-τύπων??????????? > 10 ⁶ Ω·Γκοφρέτα συσκευών εκατ. RF

Διαστάσεις:5 X 10mm ²

Πάχος:350 ±25µm

TTV:≤ 10µm
αεροπλάνο υποστρωμάτων Γ ενιαίου κρυστάλλου 10*10.5mm2 GaN (0001) από τη γωνία προς τον μ-άξονα 0,35 ±0.15°

Διαστάσεις:10 x 10,5 mm²

Πάχος:350 ±25µm

Προσανατολισμός:Επίπεδο C (0001) εκτός γωνίας προς τον άξονα M 0,35 ±0,15°
Πάχος 350 ±25 µm 10 X 10,5 mm2 Ελεύθερα στάσιµα υποστρώµατα GaN

Όνομα προϊόντων:??????????? υποστρώματα GaN

Διαστάσεις:10 x 10,5 mm²

Πάχος:350 ±25µm
πάχος 350 ±25 µm TTV ≤ 10 µm υποστρωμάτων ενιαίου κρυστάλλου 10*10.5mm2 GaN

Όνομα προϊόντων:Κρυσταλλική γκοφρέτα GaN

Διαστάσεις:10*10,5 mm²

Πάχος:350 ±25µm
4 η ίντσα Si-ναρκωμένο ν-τύπος GaN των οδηγήσεων SSP Resistivity<0.05 Ω εκατ. γκοφρετών σαπφείρου, λέιζερ, ΚΑΡΦΏΝΕΙ την κρυσταλλική γκοφρέτα

Όνομα προϊόντων:Υποστρώματα GaN/Sapphire με Si-doped 4 ιντσών

Πάχος/πάχος STD:4.5 ± 0.5μm/< 3%

Προσανατολισμός:Επίπεδο C (0001) εκτός γωνίας προς τον άξονα Α 0,2 ± 0,1 °
Υποστρώματα GaN Τραχύτητα επιφάνειας προσώπου Ga < 0,2 nm (γυαλισμένο) ή < 0,3 nm (γυαλισμένο και επιφανειακή επεξεργασία για επιτάξιο)

Όνομα προϊόντων:Υπόστρωμα ενιαίου κρυστάλλου GaN

Διαστάσεις:10 x 10,5 mm²

Πάχος:350 ±25µm
AlGaN Buffer Πάχος 600nm 2 ιντσών Blue-LED GaN On Silicon Wafer

Διαστάσεις:2 ίντσες / 4 ίντσες

Πάχος απομονωτών AlGaN:600NM

Λέιζερ Longueur d'onde:455±10nm
2 ′′ 6 ιντσών N τύπου GaN σε σαφείρινο επιταξιακό βάφρο για συσκευή LED Laser PIN

Τύπος::Επίπεδος σάπφειρος

Πολωνικά:Η ενιαία πλευρά γυάλισε (SSP)/διπλή πλευρά που γυαλίστηκε (DSP)

Διάσταση:50.8±0.2 mm (2in)/100±0.2 mm ((4in)/150 +0.2 mm (6in)

Page 4 of 6|< << 1 2 3 4 5 6 >> >|

Κρυσταλλική γκοφρέτα GaN

Υπόστρωμα ενιαίου κρυστάλλου GaN

Un Doped GaN Epitaxial Wafer

Υπόστρωμα GaN προσώπου Γ

ΚΙΝΑ Κρυσταλλική γκοφρέτα GaN

5*10mm2 μ-προσώπου Un-Doped ειδική αντίσταση υποστρωμάτων ενιαίου κρυστάλλου GaN ν-τύπων??????????? < 0,05 Ω·συσκευή/λέιζερ δύναμης εκατ.

5*10mm2 SP-προσώπου (10-11) Un-Doped ειδική αντίσταση υποστρωμάτων ενιαίου κρυστάλλου GaN Si-τύπων??????????? > 10 ⁶ Ω·Συσκευή εκατ. RF

5*10mm2 α-προσώπου Un-doped ειδική αντίσταση υποστρωμάτων ενιαίου κρυστάλλου GaN ν-τύπων??????????? < 0,05 Ω·συσκευή/λέιζερ δύναμης εκατ.

5*10mm2 SP-προσώπου (11-12) Un-Doped ειδική αντίσταση υποστρωμάτων ενιαίου κρυστάλλου GaN Si-τύπων??????????? > 10 ⁶ Ω·Συσκευή εκατ. RF

5*10mm2 α-προσώπου Un-Doped ειδική αντίσταση υποστρωμάτων ενιαίου κρυστάλλου GaN Si-τύπων??????????? > 10 ⁶ Ω·Γκοφρέτα συσκευών εκατ. RF

αεροπλάνο υποστρωμάτων Γ ενιαίου κρυστάλλου 10*10.5mm2 GaN (0001) από τη γωνία προς τον μ-άξονα 0,35 ±0.15°

Πάχος 350 ±25 µm 10 X 10,5 mm2 Ελεύθερα στάσιµα υποστρώµατα GaN

πάχος 350 ±25 µm TTV ≤ 10 µm υποστρωμάτων ενιαίου κρυστάλλου 10*10.5mm2 GaN

4 η ίντσα Si-ναρκωμένο ν-τύπος GaN των οδηγήσεων SSP Resistivity<0.05 Ω εκατ. γκοφρετών σαπφείρου, λέιζερ, ΚΑΡΦΏΝΕΙ την κρυσταλλική γκοφρέτα

Υποστρώματα GaN Τραχύτητα επιφάνειας προσώπου Ga < 0,2 nm (γυαλισμένο) ή < 0,3 nm (γυαλισμένο και επιφανειακή επεξεργασία για επιτάξιο)

AlGaN Buffer Πάχος 600nm 2 ιντσών Blue-LED GaN On Silicon Wafer

2 ′′ 6 ιντσών N τύπου GaN σε σαφείρινο επιταξιακό βάφρο για συσκευή LED Laser PIN

Κρυσταλλική γκοφρέτα GaN

2inch GaN κρυσταλλική γκοφρετών Γ ελεύθερη στάση τύπων Si προσώπου ναρκωμένη Φε

Ναρκωμένη Φε ειδική αντίσταση υποστρωμάτων GaN > 10 ⁶ Ω·Συσκευές εκατ. RF

Ελεύθερα υποστρώματα SI-GaN 2 ιντσών

Κρυσταλλική γκοφρέτα SIC

Beveling SiC Epitaxial Wafer 150,0 mm +0mm/-0,2mm 350,0um± 25,0 um

4H Crystal Form SiC Epitaxial Wafer Wafer Edge Beveling 350,0um ± 25,0um

Οπτικό πολωνικό Si-πρόσωπο CMP γ-προσώπου γκοφρετών ενιαίου κρυστάλλου SIC κρυσταλλικό