ΚΙΝΑ Κρυσταλλική γκοφρέτα GaN

Μακροελαττωματική πυκνότητα 0cm−2 Μη ντοπαρισμένο τύπου SI ελεύθερο στάσιμο υπόστρωμα μονοκρυσταλλικού GaN για συσκευές ραδιοσυχνοτήτων 5*10mm2 M-Face

Διαστάσεις:5 X 10mm ²

Πάχος:350 ±25µm

Τόξο:- ΤΌΞΟ ≤ ≤ 10µm 10µm
TTV ≤ 10μm Α-πρόσωπο χωρίς ντόπινγκ N-τύπου ελεύθερο στάσιμο GaN μονοκρυσταλλικό υπόστρωμα Αντίσταση 0,1 Ω·cm Συσκευή ισχύος/λέιζερ W

Διαστάσεις:5 X 10mm ²

Πάχος:350 ±25 µm

Προσανατολισμός:Ένα αεροπλάνο (11-20) από τη γωνία προς τον μ-άξονα 0 αεροπλάνο ±0.5° Α (11-20) από τη γωνία προς το
10*10,5mm2 C-Face Fe-Doped SI-Type Free-Standing GaN Single Crystal Substrate Μακρό ελάττωμα πυκνότητα 0cm−2 TTV ≤ 10 μm Αντίσταση 106 Ω·Cm RF συσκευές Wafer

Διαστάσεις:10 x 10,5 mm²

Πάχος:350 ±25µm

TTV:≤ 10 µm
2 ίντσες πράσινο LED GaN σε κυψέλη πυριτίου Διάσταση 520±10nm

Όνομα προϊόντων:Πράσινος-οδηγημένο GaN στην γκοφρέτα πυριτίου

Μέγεθος:2 ίντσα 4 ίντσα

Δομή υποστρωμάτων:111) υποστρώματα 20nmContact layer/145nmpGaN/35nmAlGaN/~10nmGaN-QB/~3Si (
10 X 10,5 mm2 C Πρόσωπο Μη ντοπιζόμενο N τύπου Ανεξάρτητο στάσιμο GaN μονοκρυσταλλικό υπόστρωμα

Όνομα προϊόντων:Υπόστρωμα ενιαίου κρυστάλλου GaN

Διαστάσεις:10 x 10,5 mm²

Πάχος:350 ±25µm
10 X 10,5 mm2 Ελεύθερα στάσιμα υποστρώματα GaN - 10 μm ≤ BOW ≤ 10 μm

Όνομα προϊόντων:Κρυσταλλική γκοφρέτα GaN

Διαστάσεις:10 x 10,5 mm²

Πάχος:350 ±25µm
4 ιντσών N-Type UID-Doped GaN On Sapphire Wafer SSP Resistivity＞0,5 Ω cm LED, Laser, Επιταξιακή γκοφρέτα PIN

Διαστάσεις:100 ± 0.2mm

Πάχος/πάχος STD:4.5 ± 0.5μm/< 3%

Προσανατολισμός:Επίπεδο C (0001) εκτός γωνίας προς τον άξονα Α 0,2 ± 0,1 °
4 ιντσών P-Type Mg-Doped GaN On Sapphire Wafer SSP Resistivity~10Ω Cm Επιταξιακή γκοφρέτα λέιζερ LED PIN

Διαστάσεις:100 ± 0.2mm

Όνομα προϊόντων:MG-ναρκωμένα 4-ίντσα υποστρώματα GaN/σαπφείρου

Τύπος διεξαγωγής:Π-τύπος
MG-ναρκωμένη 4-ίντσα κρυσταλλική γκοφρέτα ΚΑΡΦΙΤΣΏΝ λέιζερ των οδηγήσεων SSP Resistivity~10Ω εκατ. υποστρωμάτων GaN/σαπφείρου

Όνομα προϊόντων:MG-ναρκωμένα 4-ίντσα υποστρώματα GaN/σαπφείρου

Διαστάσεις:100 ± 0.2mm

Τύπος διεξαγωγής:Π-τύπος
2 ιντσών C-Face Fe-Doped SI-Type Free-Standing GaN Αντίσταση υποστρώματος μονού κρυστάλλου > 106 Ω·cm Συσκευές RF

Διαστάσεις:50.8 ± 1mm

Πάχος:350 ± 25μm

Προσανατολισμός επίπεδος:(1-100) ± 0.5˚, 16 ± 1mm
μπλε-οδηγημένο 2inch GaN στο λέιζερ 455±10nm Longueur D'Onde γκοφρετών πυριτίου

Όνομα προϊόντων:Μπλε-οδηγημένο GaN στην γκοφρέτα πυριτίου

Διαστάσεις:2 ίντσα

Πάχος απομονωτών AlGaN:400-600nm
Διάσταση 520±10nm πράσινος-οδηγημένο 2inch GaN στο στρώμα γκοφρετών πυριτίου 20nmContact

Όνομα προϊόντων:πράσινος-οδηγημένο 2-4inch GaN στο πυρίτιο

Μέγεθος:2 ίντσα, 4 ίντσα

Διάσταση:520±10nm

Page 4 of 6|< << 1 2 3 4 5 6 >> >|

Κρυσταλλική γκοφρέτα GaN

Υπόστρωμα ενιαίου κρυστάλλου GaN

Un Doped GaN Epitaxial Wafer

Υπόστρωμα GaN προσώπου Γ

ΚΙΝΑ Κρυσταλλική γκοφρέτα GaN

Μακροελαττωματική πυκνότητα 0cm−2 Μη ντοπαρισμένο τύπου SI ελεύθερο στάσιμο υπόστρωμα μονοκρυσταλλικού GaN για συσκευές ραδιοσυχνοτήτων 5*10mm2 M-Face

TTV ≤ 10μm Α-πρόσωπο χωρίς ντόπινγκ N-τύπου ελεύθερο στάσιμο GaN μονοκρυσταλλικό υπόστρωμα Αντίσταση 0,1 Ω·cm Συσκευή ισχύος/λέιζερ W

10*10,5mm2 C-Face Fe-Doped SI-Type Free-Standing GaN Single Crystal Substrate Μακρό ελάττωμα πυκνότητα 0cm−2 TTV ≤ 10 μm Αντίσταση 106 Ω·Cm RF συσκευές Wafer

2 ίντσες πράσινο LED GaN σε κυψέλη πυριτίου Διάσταση 520±10nm

10 X 10,5 mm2 C Πρόσωπο Μη ντοπιζόμενο N τύπου Ανεξάρτητο στάσιμο GaN μονοκρυσταλλικό υπόστρωμα

10 X 10,5 mm2 Ελεύθερα στάσιμα υποστρώματα GaN - 10 μm ≤ BOW ≤ 10 μm

4 ιντσών N-Type UID-Doped GaN On Sapphire Wafer SSP Resistivity＞0,5 Ω cm LED, Laser, Επιταξιακή γκοφρέτα PIN

4 ιντσών P-Type Mg-Doped GaN On Sapphire Wafer SSP Resistivity~10Ω Cm Επιταξιακή γκοφρέτα λέιζερ LED PIN

MG-ναρκωμένη 4-ίντσα κρυσταλλική γκοφρέτα ΚΑΡΦΙΤΣΏΝ λέιζερ των οδηγήσεων SSP Resistivity~10Ω εκατ. υποστρωμάτων GaN/σαπφείρου

2 ιντσών C-Face Fe-Doped SI-Type Free-Standing GaN Αντίσταση υποστρώματος μονού κρυστάλλου > 106 Ω·cm Συσκευές RF

μπλε-οδηγημένο 2inch GaN στο λέιζερ 455±10nm Longueur D'Onde γκοφρετών πυριτίου

Διάσταση 520±10nm πράσινος-οδηγημένο 2inch GaN στο στρώμα γκοφρετών πυριτίου 20nmContact

Κρυσταλλική γκοφρέτα GaN

2inch GaN κρυσταλλική γκοφρετών Γ ελεύθερη στάση τύπων Si προσώπου ναρκωμένη Φε

Ναρκωμένη Φε ειδική αντίσταση υποστρωμάτων GaN > 10 ⁶ Ω·Συσκευές εκατ. RF

Ελεύθερα υποστρώματα SI-GaN 2 ιντσών

Κρυσταλλική γκοφρέτα SIC

Beveling SiC Epitaxial Wafer 150,0 mm +0mm/-0,2mm 350,0um± 25,0 um

4H Crystal Form SiC Epitaxial Wafer Wafer Edge Beveling 350,0um ± 25,0um

Οπτικό πολωνικό Si-πρόσωπο CMP γ-προσώπου γκοφρετών ενιαίου κρυστάλλου SIC κρυσταλλικό