Κρυσταλλική γκοφρέτα GaN

Καλύτερα προϊόντα

Υπόστρωμα ενιαίου κρυστάλλου GaN

Un Doped GaN Epitaxial Wafer

Υπόστρωμα GaN προσώπου Γ

ΚΙΝΑ Κρυσταλλική γκοφρέτα GaN

Επταξιακή πλάκα GaN απαραίτητη για την παραγωγή τσιπ υψηλής τάσης υψηλής συχνότητας

Τύπος::Επίπεδος σάπφειρος

Πολωνικά:Η ενιαία πλευρά γυάλισε (SSP)/διπλή πλευρά που γυαλίστηκε (DSP)

Διάσταση:50.8±0.2 mm (2in)/100±0.2 mm ((4in)/150 +0.2 mm (6in)
625um έως 675um 4 ίντσες Μπλε LED νιτρίδιο γαλλίου GaN Επιταξιακή πλάκα σε ζαφείρι SSP επίπεδο ζαφείρι

Ονομασία προϊόντος:γκοφρέτα των μπλε/πράσινων οδηγήσεων gaN--σαπφείρου 4inch

Τύπος:Επίπεδος σάπφειρος

Δάχος:650 ± 25μm
GaN 2 ιντσών νιτρικό γαλλίου μονοκρυσταλλικό υπόστρωμα

Ποσότητα παραγγελίας min:1

Συσκευασία λεπτομέρειες:Εσωτερική συσκευασία: ειδική συσκευασία για πλακίδια, εξωτερική συσκευασία: συσκευασία χαρτονιού, εν

Όροι πληρωμής:Τ/Τ
Μοναδικό Κρυστάλλιο Gan Epi Wafer Gallium Nitride Substrate 4 ίντσες

Ποσότητα παραγγελίας min:1

Συσκευασία λεπτομέρειες:Εσωτερική συσκευασία: ειδική συσκευασία για πλακίδια, εξωτερική συσκευασία: συσκευασία χαρτονιού, εν

Όροι πληρωμής:Τ/Τ
4 ίντσες Φε ντοπιζόμενο ανεξάρτητο υπόστρωμα GaN νιτρώδιο του γαλλίου

Ποσότητα παραγγελίας min:1

Συσκευασία λεπτομέρειες:Εσωτερική συσκευασία: ειδική συσκευασία για πλακίδια, εξωτερική συσκευασία: συσκευασία χαρτονιού, εν

Όροι πληρωμής:Τ/Τ

Page 6 of 6|< << 1 2 3 4 5 6 >> >|

Περιήγηση στις κατηγορίες：

Κρυσταλλική γκοφρέτα GaN

Υπόστρωμα ενιαίου κρυστάλλου GaN

Un Doped GaN Epitaxial Wafer

Υπόστρωμα GaN προσώπου Γ

ΚΙΝΑ Κρυσταλλική γκοφρέτα GaN

Επταξιακή πλάκα GaN απαραίτητη για την παραγωγή τσιπ υψηλής τάσης υψηλής συχνότητας

625um έως 675um 4 ίντσες Μπλε LED νιτρίδιο γαλλίου GaN Επιταξιακή πλάκα σε ζαφείρι SSP επίπεδο ζαφείρι

GaN 2 ιντσών νιτρικό γαλλίου μονοκρυσταλλικό υπόστρωμα

Μοναδικό Κρυστάλλιο Gan Epi Wafer Gallium Nitride Substrate 4 ίντσες

4 ίντσες Φε ντοπιζόμενο ανεξάρτητο υπόστρωμα GaN νιτρώδιο του γαλλίου

Κρυσταλλική γκοφρέτα GaN

2inch GaN κρυσταλλική γκοφρετών Γ ελεύθερη στάση τύπων Si προσώπου ναρκωμένη Φε

Ναρκωμένη Φε ειδική αντίσταση υποστρωμάτων GaN > 10 ⁶ Ω·Συσκευές εκατ. RF

Ελεύθερα υποστρώματα SI-GaN 2 ιντσών

Κρυσταλλική γκοφρέτα SIC

Beveling SiC Epitaxial Wafer 150,0 mm +0mm/-0,2mm 350,0um± 25,0 um

4H Crystal Form SiC Epitaxial Wafer Wafer Edge Beveling 350,0um ± 25,0um

Οπτικό πολωνικό Si-πρόσωπο CMP γ-προσώπου γκοφρετών ενιαίου κρυστάλλου SIC κρυσταλλικό