Κρυσταλλική γκοφρέτα GaN

Καλύτερα προϊόντα

Υπόστρωμα ενιαίου κρυστάλλου GaN

Un Doped GaN Epitaxial Wafer

Υπόστρωμα GaN προσώπου Γ

ΚΙΝΑ Κρυσταλλική γκοφρέτα GaN

Επταξιακή πλάκα GaN απαραίτητη για την παραγωγή τσιπ υψηλής τάσης υψηλής συχνότητας

Τύπος::Επίπεδος σάπφειρος

Πολωνικά:Η ενιαία πλευρά γυάλισε (SSP)/διπλή πλευρά που γυαλίστηκε (DSP)

Διάσταση:50.8±0.2 mm (2in)/100±0.2 mm ((4in)/150 +0.2 mm (6in)
625um έως 675um 4 ίντσες Μπλε LED νιτρίδιο γαλλίου GaN Επιταξιακή πλάκα σε ζαφείρι SSP επίπεδο ζαφείρι

Ονομασία προϊόντος:γκοφρέτα των μπλε/πράσινων οδηγήσεων gaN--σαπφείρου 4inch

Τύπος:Επίπεδος σάπφειρος

Δάχος:650 ± 25μm
GaN 2 ιντσών νιτρικό γαλλίου μονοκρυσταλλικό υπόστρωμα

Ποσότητα παραγγελίας min:1

Συσκευασία λεπτομέρειες:Εσωτερική συσκευασία: ειδική συσκευασία για πλακίδια, εξωτερική συσκευασία: συσκευασία χαρτονιού, εν

Όροι πληρωμής:Τ/Τ
Μοναδικό Κρυστάλλιο Gan Epi Wafer Gallium Nitride Substrate 4 ίντσες

Ποσότητα παραγγελίας min:1

Συσκευασία λεπτομέρειες:Εσωτερική συσκευασία: ειδική συσκευασία για πλακίδια, εξωτερική συσκευασία: συσκευασία χαρτονιού, εν

Όροι πληρωμής:Τ/Τ
4 ίντσες Φε ντοπιζόμενο ανεξάρτητο υπόστρωμα GaN νιτρώδιο του γαλλίου

Ποσότητα παραγγελίας min:1

Συσκευασία λεπτομέρειες:Εσωτερική συσκευασία: ειδική συσκευασία για πλακίδια, εξωτερική συσκευασία: συσκευασία χαρτονιού, εν

Όροι πληρωμής:Τ/Τ
2 ιντσών Green-LED GaN On Silicon Wafer Διάσταση 520±10nm

Όνομα προϊόντων:Πράσινος-οδηγημένο GaN στην γκοφρέτα πυριτίου

Μέγεθος:2 ίντσα 4 ίντσα

Δομή υποστρωμάτων:111) υποστρώματα 20nmContact layer/145nmpGaN/35nmAlGaN/~10nmGaN-QB/~3Si (
5*10mm2 SP-προσώπου (20-21)/(20-2-1) Un-Doped ειδική αντίσταση υποστρωμάτων ενιαίου κρυστάλλου GaN ν-τύπων??????????? < 0,05 Ω·εκατ.

Διαστάσεις:5 X 10mm ²

Πάχος:350 ±25µm

TTV:≤ 10µm
5*10mm2 SP-προσώπου (11-12) Un-Doped ειδική αντίσταση υποστρωμάτων ενιαίου κρυστάλλου GaN ν-τύπων??????????? < 0,1 Ω·συσκευή δύναμης εκατ.

Διαστάσεις:5 X 10mm ²

Προσανατολισμός:(11-22) αεροπλάνο από τη γωνία προς τον μ-άξονα 0 (11-22) αεροπλάνο ±0.5° από τη γωνία προς τον γ-άξ

TTV:≤ 10µm
5*10mm2 SP-Face (11-12) Un-Doped N-Type Free-Standing GaN Αντίσταση υποστρώματος μονού κρυστάλλου

Διαστάσεις:5 X 10mm ²

Πάχος:350 ±25µm

Προσανατολισμός:(11-22) αεροπλάνο από τη γωνία προς τον μ-άξονα 0 (11-22) αεροπλάνο ±0.5° από τη γωνία προς τον γ-άξ
5*10mm2 μ-προσώπου Un-Doped ειδική αντίσταση υποστρωμάτων ενιαίου κρυστάλλου GaN Si-τύπων??????????? > 10 ⁶ Ω·Γκοφρέτα συσκευών εκατ. RF

Διαστάσεις:5 X 10mm ²

Πάχος:350 ±25µm

Τόξο:- ΤΌΞΟ ≤ ≤ 10µm 10µm
5*10mm2 SP-προσώπου (10-11) Un-Doped ειδική αντίσταση υποστρωμάτων ενιαίου κρυστάλλου GaN ν-τύπων??????????? < 0,05 Ω·εκατ.

Διαστάσεις:5 X 10mm ²

Πάχος:350 ±25µm

TTV:≤ 10µm
5*10mm2 SP-προσώπου (10-11) Un-Doped ειδική αντίσταση <0.1 Ω υποστρωμάτων ενιαίου κρυστάλλου GaN ν-τύπων??????????? ·συσκευή δύναμης εκατ.

Διαστάσεις:5 X 10mm ²

Πάχος:350 ±25µm

Προσανατολισμός:(10- 11) επίπεδο εκτός γωνίας προς τον άξονα Α 0 ±0,5° (10- 11) επίπεδο εκτός γωνίας προς τον άξονα

Page 5 of 6|< << 1 2 3 4 5 6 >> >|

Περιήγηση στις κατηγορίες：

Κρυσταλλική γκοφρέτα GaN

Υπόστρωμα ενιαίου κρυστάλλου GaN

Un Doped GaN Epitaxial Wafer

Υπόστρωμα GaN προσώπου Γ

ΚΙΝΑ Κρυσταλλική γκοφρέτα GaN

Επταξιακή πλάκα GaN απαραίτητη για την παραγωγή τσιπ υψηλής τάσης υψηλής συχνότητας

625um έως 675um 4 ίντσες Μπλε LED νιτρίδιο γαλλίου GaN Επιταξιακή πλάκα σε ζαφείρι SSP επίπεδο ζαφείρι

GaN 2 ιντσών νιτρικό γαλλίου μονοκρυσταλλικό υπόστρωμα

Μοναδικό Κρυστάλλιο Gan Epi Wafer Gallium Nitride Substrate 4 ίντσες

4 ίντσες Φε ντοπιζόμενο ανεξάρτητο υπόστρωμα GaN νιτρώδιο του γαλλίου

2 ιντσών Green-LED GaN On Silicon Wafer Διάσταση 520±10nm

5*10mm2 SP-προσώπου (20-21)/(20-2-1) Un-Doped ειδική αντίσταση υποστρωμάτων ενιαίου κρυστάλλου GaN ν-τύπων??????????? < 0,05 Ω·εκατ.

5*10mm2 SP-προσώπου (11-12) Un-Doped ειδική αντίσταση υποστρωμάτων ενιαίου κρυστάλλου GaN ν-τύπων??????????? < 0,1 Ω·συσκευή δύναμης εκατ.

5*10mm2 SP-Face (11-12) Un-Doped N-Type Free-Standing GaN Αντίσταση υποστρώματος μονού κρυστάλλου

5*10mm2 μ-προσώπου Un-Doped ειδική αντίσταση υποστρωμάτων ενιαίου κρυστάλλου GaN Si-τύπων??????????? > 10 ⁶ Ω·Γκοφρέτα συσκευών εκατ. RF

5*10mm2 SP-προσώπου (10-11) Un-Doped ειδική αντίσταση υποστρωμάτων ενιαίου κρυστάλλου GaN ν-τύπων??????????? < 0,05 Ω·εκατ.

5*10mm2 SP-προσώπου (10-11) Un-Doped ειδική αντίσταση <0.1 Ω υποστρωμάτων ενιαίου κρυστάλλου GaN ν-τύπων??????????? ·συσκευή δύναμης εκατ.

Κρυσταλλική γκοφρέτα GaN

2inch GaN κρυσταλλική γκοφρετών Γ ελεύθερη στάση τύπων Si προσώπου ναρκωμένη Φε

Ναρκωμένη Φε ειδική αντίσταση υποστρωμάτων GaN > 10 ⁶ Ω·Συσκευές εκατ. RF

Ελεύθερα υποστρώματα SI-GaN 2 ιντσών

Κρυσταλλική γκοφρέτα SIC

Beveling SiC Epitaxial Wafer 150,0 mm +0mm/-0,2mm 350,0um± 25,0 um

4H Crystal Form SiC Epitaxial Wafer Wafer Edge Beveling 350,0um ± 25,0um

Οπτικό πολωνικό Si-πρόσωπο CMP γ-προσώπου γκοφρετών ενιαίου κρυστάλλου SIC κρυσταλλικό