Αρχική Σελίδα Προϊόνταp type silicon substrate διαδικτυακός κατασκευαστής
Πιστοποίηση
ΚΙΝΑ Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. Πιστοποιήσεις
Είμαι Online Chat Now

p type silicon substrate διαδικτυακή κατασκευή

(81)
Αγορά Προσανατολισμός C/M0.2 κρυστάλλου υποστρωμάτων σαπφείρου Thk 430um σε απευθείας σύνδεση κατασκευαστής

Προσανατολισμός C/M0.2 κρυστάλλου υποστρωμάτων σαπφείρου Thk 430um

Thk 430μm Sapphire Substrate Wafer Crystal Orientation C/M0.2, OF Length (Mm) 16 LED Chip JDCD08-001-001 Diameter 50mm Sapphire substrate wafer , Thk 430μm, crystal orientation C/M0.2, OF length (mm) 16 LED ... Διαβάστε περισσότερα
2023-02-17 10:18:05
Αγορά Μια γκοφρέτα Thk 440um υποστρωμάτων σαπφείρου αεροπλάνων του μήκους (χιλ.) τσιπ 16 οδηγήσεων σε απευθείας σύνδεση κατασκευαστής

Μια γκοφρέτα Thk 440um υποστρωμάτων σαπφείρου αεροπλάνων του μήκους (χιλ.) τσιπ 16 οδηγήσεων

50mm Sapphire Substrate Wafer Thk 430μm OF Length (Mm) 16 LED Chip JDCD08-001-001 Diameter 50mm Sapphire substrate wafer , Thk 430μm, crystal orientation C/M0.2, OF length (mm) 16 LED chip,substrate material ... Διαβάστε περισσότερα
2022-09-27 16:24:09
Αγορά Ένα Πρόσωπο N Τύπου Ελεύθερο Υπόστρωμα GaN Μονόκρυσταλλο Γάλλιο Μη Ναρκωμένο σε απευθείας σύνδεση κατασκευαστής

Ένα Πρόσωπο N Τύπου Ελεύθερο Υπόστρωμα GaN Μονόκρυσταλλο Γάλλιο Μη Ναρκωμένο

5*10.5mm2 A-face Un-doped n-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity < 0.05 Ω·cm Power device/laser wafer Overview Power density is greatly improved in gallium nitride devices compared to ... Διαβάστε περισσότερα
2023-02-17 11:02:58
Αγορά Μ προσώπου GaN κρυσταλλικά υποστρώματα 325um TTV 10um GaN γκοφρετών ελεύθερα μόνιμα σε απευθείας σύνδεση κατασκευαστής

Μ προσώπου GaN κρυσταλλικά υποστρώματα 325um TTV 10um GaN γκοφρετών ελεύθερα μόνιμα

5*10.5mm2 M-face Un-doped n-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity < 0.1 Ω·cm Power device/laser wafer Overview Gallium Nitride (GaN) substrate is a high-quality single-crystal substrate. ... Διαβάστε περισσότερα
2022-10-08 17:04:46
Αγορά Οπτοηλεκτρονική Στίλβωση Sapphire Crystal Wafer R Τύπος σε απευθείας σύνδεση κατασκευαστής

Οπτοηλεκτρονική Στίλβωση Sapphire Crystal Wafer R Τύπος

Thk 430μm 50mm Sapphire Substrate Wafer Crystal Orientation C/M0.2, OF Length (Mm) 16 LED Chip JDCD08-001-001 Diameter 50mm Sapphire substrate wafer , Thk 430μm, crystal orientation C/M0.2, OF length (mm) 16 ... Διαβάστε περισσότερα
2023-02-17 11:22:48
Αγορά JDCD04-001-003 10x10mm2 100 ((Off 6°) Fe Doped Free Standing Ga2O3 Μοναδικό κρύσταλλο υπόστρωμα Κατηγορία προϊόντος Μοναδικό γυαλισμό σε απευθείας σύνδεση κατασκευαστής

JDCD04-001-003 10x10mm2 100 ((Off 6°) Fe Doped Free Standing Ga2O3 Μοναδικό κρύσταλλο υπόστρωμα Κατηγορία προϊόντος Μοναδικό γυαλισμό

10x10mm2 100(off 6°) Fe-doped free-standing Ga2O3 single crystal substrate Product grade single polishing Thickness 0.6~0.8mm FWHM<350arcsec,Ra≤5nm Optoelectronic devices, insulating layers of semiconductor ... Διαβάστε περισσότερα
2025-04-27 11:43:51
Αγορά 5x10mm2 GaN Epitaxial Wafer Un Doped SI Type σε απευθείας σύνδεση κατασκευαστής

5x10mm2 GaN Epitaxial Wafer Un Doped SI Type

5*10mm2 Free-Standing GaN Single Crystal Substrate (20-21)/(20-2-1) Un-Doped SI-Type 5*10mm2 SP-face (20-21)/(20-2-1) Un-doped SI-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity > 106 Ω·cm RF ... Διαβάστε περισσότερα
2024-10-29 11:49:57
Αγορά Οπτικές επικοινωνίες LED υποστρώματος αρσενιδίου γαλλίου σε απευθείας σύνδεση κατασκευαστής

Οπτικές επικοινωνίες LED υποστρώματος αρσενιδίου γαλλίου

2inch GaAs (100) Undoped Substrates Overview Gallium arsenide is used in the manufacture of light-emitting diode s (LEDs), which are found in optical communications and control systems. Gallium arsenide can ... Διαβάστε περισσότερα
2022-10-09 09:53:08
Αγορά 0,015ohm.cm έως 0,028ohm.cm κρύσταλλο καρβιδίου πυριτίου Τύπος N σε απευθείας σύνδεση κατασκευαστής

0,015ohm.cm έως 0,028ohm.cm κρύσταλλο καρβιδίου πυριτίου Τύπος N

0.015~0.028ohm.Cm SiC Seed Crystal 4" P Grade N-Type Orientation 4.0°±0.2° SiC Seed Crystal 4" PGrade SiC CRYSTAL is an ultra-high purity silicon carbide grain or powder, specially manufactured to achieve ... Διαβάστε περισσότερα
2022-09-27 17:01:16
Αγορά Αντίσταση κρυστάλλου καρβιδίου του πυριτίου 4&quot; βαθμού P 0,015ohm.cm έως 0,028ohm.cm σε απευθείας σύνδεση κατασκευαστής

Αντίσταση κρυστάλλου καρβιδίου του πυριτίου 4" βαθμού P 0,015ohm.cm έως 0,028ohm.cm

4" P Grade SiC Seed Crystal Resistivity 0.015~0.028ohm.Cm 32.5mm±2.0mm SiC Seed Crystal 4" PGrade SiC is an excellent thermal conductor. Heat will flow more readily through SiC than other semiconductor ... Διαβάστε περισσότερα
2022-09-27 17:35:24
Page 4 of 9|< 1 2 3 4 5 6 7 8 9 >|