Ζητήστε ένα απόσπασμα |
Αρχική Σελίδα Προϊόνταp type silicon substrate διαδικτυακός κατασκευαστής
Όλα τα Προϊόντα

Κρυσταλλική γκοφρέτα GaN

(65)

Κρυσταλλική γκοφρέτα SIC

(39)

GaAs Epi Wafer

(15)

Υποστρώματα διαμαντιών CVD

(15)

_γρήγορος θερμικός ανοπτώ σύστημα

(2)

Δοκιμαστής αισθητήρα εφέ Hall

(3)

Γκοφρέτα νιτριδίων αργιλίου

(21)

Τσιπ διόδων λέιζερ

(10)

Κρύσταλλο καρβιδίου του πυριτίου

(12)

Ga2O3 γκοφρέτα

(13)

γκοφρέτα πυριτίου

(26)

Γκοφρέτα σαπφείρου

(19)

Διαμορφωμένα υποστρώματα σαπφείρου

(10)

Τεφλόν κάτοχος γκοφρετών

(1)

Γκοφρέτα σε κύβους

(5)
Πιστοποίηση
ΚΙΝΑ Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. Πιστοποιήσεις
Είμαι Online Chat Now

p type silicon substrate διαδικτυακή κατασκευή

(81)
Αγορά Γκοφρέτα 380um 525um 625um ημιαγωγών πυριτίου του CZ σε απευθείας σύνδεση κατασκευαστής

Γκοφρέτα 380um 525um 625um ημιαγωγών πυριτίου του CZ
Επικοινωνία

Thickness(μm) 279 2-Inch Silicon Wafer Orientation ,, 2-Inch Silicon Wafer MEMS Devices, Integrated Circuits,Dedicated Substrates For Discrete Devices Overview Demand for semiconductors is seen as likely to ... Διαβάστε περισσότερα
2022-09-27 16:51:27
Αγορά TTV ≤ 10μm Α-πρόσωπο χωρίς ντόπινγκ N-τύπου ελεύθερο στάσιμο GaN μονοκρυσταλλικό υπόστρωμα Αντίσταση 0,1 Ω·cm Συσκευή ισχύος/λέιζερ W σε απευθείας σύνδεση κατασκευαστής

TTV ≤ 10μm Α-πρόσωπο χωρίς ντόπινγκ N-τύπου ελεύθερο στάσιμο GaN μονοκρυσταλλικό υπόστρωμα Αντίσταση 0,1 Ω·cm Συσκευή ισχύος/λέιζερ W
Επικοινωνία

5*10mm2 A-face Un-doped n-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity < 0.1 Ω·cm Power device/laser wafer Overview Gallium nitride (GaN) is a very hard, mechanically stable wide bandgap ... Διαβάστε περισσότερα
2025-04-27 11:43:51
Αγορά Ημι μονώνοντας υπόστρωμα 150mm τύπων 6inch 4H SIC Si επιπέδων Π σε απευθείας σύνδεση κατασκευαστής

Ημι μονώνοντας υπόστρωμα 150mm τύπων 6inch 4H SIC Si επιπέδων Π
Επικοινωνία

P-Level SI-Type 6inch 4H-SiC Semi insulating substrate 350.0±25.0μm MPD≤0.5/cm2 Resistivity≥1E9Ω·cm 6inch 4H-SiC substrate P-level SI-Type 350.0±25.0μm MPD≤0.5/cm2 Resistivity≥1E9Ω·cm for power and microwave ... Διαβάστε περισσότερα
2022-10-24 10:21:46
Αγορά 2 ′′ 6 ιντσών N τύπου GaN σε σαφείρινο επιταξιακό βάφρο για συσκευή LED Laser PIN σε απευθείας σύνδεση κατασκευαστής

2 ′′ 6 ιντσών N τύπου GaN σε σαφείρινο επιταξιακό βάφρο για συσκευή LED Laser PIN
Επικοινωνία

Description: Epiaxial wafers refer to products formed by growing a new single crystal layer on a single crystal substrate. Epiaxial wafers determine about 70% of the performance of devices and are important raw ... Διαβάστε περισσότερα
2024-12-06 17:48:43
Αγορά 350um 4H SiC υπόστρωμα σε απευθείας σύνδεση κατασκευαστής

350um 4H SiC υπόστρωμα
Επικοινωνία

6inch 4H-SiC Substrate N-Type P-SBD Grade 350.0±25.0μm MPD≤0.5/cm2 Resistivity 0.015Ω•Cm—0.025Ω•Cm For Power And Microw 6inch 4H-SiC substrate N-Type Overview Silicon carbide (SiC) is a non-oxide ceramic ... Διαβάστε περισσότερα
2022-10-09 16:57:57
Αγορά 5*10mm2 α-προσώπου Un-doped ειδική αντίσταση υποστρωμάτων ενιαίου κρυστάλλου GaN ν-τύπων??????????? &lt; 0,05 Ω·συσκευή/λέιζερ δύναμης εκατ. σε απευθείας σύνδεση κατασκευαστής

5*10mm2 α-προσώπου Un-doped ειδική αντίσταση υποστρωμάτων ενιαίου κρυστάλλου GaN ν-τύπων??????????? < 0,05 Ω·συσκευή/λέιζερ δύναμης εκατ.
Επικοινωνία

5*10mm2 A-face Un-doped n-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity < 0.05 Ω·cm Power device/laser wafer Overview Power density is greatly improved in gallium nitride devices compared to ... Διαβάστε περισσότερα
2025-04-04 22:43:36
Αγορά καρβίδιο 4 του πυριτίου ενιαίου κρυστάλλου 4H Politype» πρόσωπο Si βαθμού Π σε απευθείας σύνδεση κατασκευαστής

καρβίδιο 4 του πυριτίου ενιαίου κρυστάλλου 4H Politype» πρόσωπο Si βαθμού Π
Επικοινωνία

JDZJ01-001-001 SiC Seed Crystal 4" P Grade Si-Face 90°Cw.From Primary Flat±5° SiC Seed Crystal 4" PGrade The physical and electronic properties of SiC make it the foremost semiconductor material for short ... Διαβάστε περισσότερα
2022-09-27 17:01:35
Αγορά Αντικατάστατο AlGaN 4 ίντσες GaN στο Silicon HEMT Epi wafer νιτρίδιο γαλλίου GaN-on-Si σε απευθείας σύνδεση κατασκευαστής

Αντικατάστατο AlGaN 4 ίντσες GaN στο Silicon HEMT Epi wafer νιτρίδιο γαλλίου GaN-on-Si
Επικοινωνία

Introduction to GaN on Silicon HEMT Epi wafer Silicon based gallium nitride HEMT epitaxial wafer is a high electron mobility transistor (HEMT) epitaxial wafer based on gallium nitride (GaN) material. Its ... Διαβάστε περισσότερα
2024-12-06 17:33:44
Αγορά 6 ίντσες GaN σε πυρίτιο HEMT Epi Wafer Power Device Νιτρικό Γαλλίου GaN σε Si σε απευθείας σύνδεση κατασκευαστής

6 ίντσες GaN σε πυρίτιο HEMT Epi Wafer Power Device Νιτρικό Γαλλίου GaN σε Si
Επικοινωνία

Introduction to GaN on Silicon HEMT Epi wafer Silicon based gallium nitride HEMT epitaxial wafer is a high electron mobility transistor (HEMT) epitaxial wafer based on gallium nitride (GaN) material. Its ... Διαβάστε περισσότερα
2024-12-06 17:38:23
Αγορά GaN βιόλετ λέιζερ σε πυρίτιο 2 ίντσες GaN σε πυρίτιο HEMT Epi wafer UV LD Epi wafer σε απευθείας σύνδεση κατασκευαστής

GaN βιόλετ λέιζερ σε πυρίτιο 2 ίντσες GaN σε πυρίτιο HEMT Epi wafer UV LD Epi wafer
Επικοινωνία

Introduction to GaN on Silicon HEMT Epi wafer Silicon based gallium nitride HEMT epitaxial wafer is a high electron mobility transistor (HEMT) epitaxial wafer based on gallium nitride (GaN) material. Its ... Διαβάστε περισσότερα
2024-12-06 17:35:32
Page 6 of 9|< 1 2 3 4 5 6 7 8 9 >|
περίπου

Κρυσταλλική γκοφρέτα GaN

2inch GaN κρυσταλλική γκοφρετών Γ ελεύθερη στάση τύπων Si προσώπου ναρκωμένη Φε

Ναρκωμένη Φε ειδική αντίσταση υποστρωμάτων GaN > 10 ⁶ Ω·Συσκευές εκατ. RF

Ελεύθερα υποστρώματα SI-GaN 2 ιντσών

Κρυσταλλική γκοφρέτα SIC

Beveling SiC Epitaxial Wafer 150,0 mm +0mm/-0,2mm 350,0um± 25,0 um

4H Crystal Form SiC Epitaxial Wafer Wafer Edge Beveling 350,0um ± 25,0um

Οπτικό πολωνικό Si-πρόσωπο CMP γ-προσώπου γκοφρετών ενιαίου κρυστάλλου SIC κρυσταλλικό

Αφήστε μήνυμα

Πολιτική Απορρήτου | ΚΙΝΑ καλός Ποιότητα Κρυσταλλική γκοφρέτα GaN προμηθευτής. © 2023 - 2026 Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.. All Rights Reserved.