Ζητήστε ένα απόσπασμα |
Αρχική Σελίδα Προϊόνταp type silicon substrate διαδικτυακός κατασκευαστής
Όλα τα Προϊόντα

Κρυσταλλική γκοφρέτα GaN

(65)

Κρυσταλλική γκοφρέτα SIC

(39)

GaAs Epi Wafer

(15)

Υποστρώματα διαμαντιών CVD

(15)

_γρήγορος θερμικός ανοπτώ σύστημα

(2)

Δοκιμαστής αισθητήρα εφέ Hall

(3)

Γκοφρέτα νιτριδίων αργιλίου

(21)

Τσιπ διόδων λέιζερ

(10)

Κρύσταλλο καρβιδίου του πυριτίου

(12)

Ga2O3 γκοφρέτα

(13)

γκοφρέτα πυριτίου

(26)

Γκοφρέτα σαπφείρου

(19)

Διαμορφωμένα υποστρώματα σαπφείρου

(10)

Τεφλόν κάτοχος γκοφρετών

(1)

Γκοφρέτα σε κύβους

(5)
Πιστοποίηση
ΚΙΝΑ Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. Πιστοποιήσεις
Είμαι Online Chat Now

p type silicon substrate διαδικτυακή κατασκευή

(81)
Αγορά κρύσταλλο 4» βαθμός Politype 4H καρβιδίου του πυριτίου 100.0mm Π σε απευθείας σύνδεση κατασκευαστής

κρύσταλλο 4» βαθμός Politype 4H καρβιδίου του πυριτίου 100.0mm Π
Επικοινωνία

100.0mm±0.5mm SiC Seed Crystal 4" P Grade 4.0°±0.2° Politype 4H SiC Seed Crystal 4" PGrade SiC can withstand a voltage gradient (or electric field) over eight times greater than than Si or GaAs without ... Διαβάστε περισσότερα
2022-10-09 10:12:00
Αγορά κρύσταλλο 4» βαθμός 18.0mm καρβιδίου του πυριτίου 100.0mm Π σε απευθείας σύνδεση κατασκευαστής

κρύσταλλο 4» βαθμός 18.0mm καρβιδίου του πυριτίου 100.0mm Π
Επικοινωνία

100.0mm±0.5mm SiC Seed Crystal 4" P Grade 0.015~0.028ohm.cm 18.0mm±2.0mm SiC Seed Crystal 4" PGrade Electronic devices formed in SiC can operate at extremely high temperatures without suffering from intrinsic ... Διαβάστε περισσότερα
2022-09-27 17:01:26
Αγορά Αρχικό επίπεδο μήκος 32.5mm κρύσταλλο 4» βαθμός 100.0mm καρβιδίου του πυριτίου Π σε απευθείας σύνδεση κατασκευαστής

Αρχικό επίπεδο μήκος 32.5mm κρύσταλλο 4» βαθμός 100.0mm καρβιδίου του πυριτίου Π
Επικοινωνία

Primary Flat Lengh 32.5mm±2.0mm SiC Seed Crystal 4" P Grade 100.0mm±0.5mm 0.015~0.028ohm.cm SiC Seed Crystal 4" PGrade SiC can withstand a voltage gradient (or electric field) over eight times greater than than ... Διαβάστε περισσότερα
2022-09-27 17:01:05
Αγορά Ιδιαίτερα υποστρώματα P/E P/P Ε Si συσκευών/Π.Χ. επιφάνεια /G που τελειώνουν σε απευθείας σύνδεση κατασκευαστής

Ιδιαίτερα υποστρώματα P/E P/P Ε Si συσκευών/Π.Χ. επιφάνεια /G που τελειώνουν
Επικοινωνία

Discrete Devices 2-Inch Silicon Wafer P/E,P/P,E/E,G/G Surface Finished 2-Inch Silicon Wafer MEMS Devices, Integrated Circuits,Dedicated Substrates For Discrete Devices Overview Silicon is the second most common ... Διαβάστε περισσότερα
2022-09-27 16:53:50
Αγορά Υπόστρωμα 6 ιντσών 4H SiC N Τύπος P SBD Βαθμού 350μm σε απευθείας σύνδεση κατασκευαστής

Υπόστρωμα 6 ιντσών 4H SiC N Τύπος P SBD Βαθμού 350μm
Επικοινωνία

6inch 4H-SiC substrate N-Type P-SBD Grade 350.0±25.0μm MPD≤0.5/cm2 Resistivity 0.015Ω•cm—0.025Ω•cm for power and microwave devices Overview SiC boules (crystals) are grown, machined into ingots, and then sliced ... Διαβάστε περισσότερα
2022-10-24 10:23:04
Αγορά 5x10mm2 SP-Face 10-11 Ανεξάρτητο ελεύθερο υπόστρωμα GaN μονοκρυσταλλικού τύπου N χωρίς ντόπιση με TTV ≤ 10μm Αντίσταση 0,05 Ω·cm σε απευθείας σύνδεση κατασκευαστής

5x10mm2 SP-Face 10-11 Ανεξάρτητο ελεύθερο υπόστρωμα GaN μονοκρυσταλλικού τύπου N χωρίς ντόπιση με TTV ≤ 10μm Αντίσταση 0,05 Ω·cm
Επικοινωνία

5*10mm2 SP-face (10-11) Un-doped n-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity < 0.05 Ω·cm Power device/laser wafer Overview GaN has many serious advantages over silicon, being more power ... Διαβάστε περισσότερα
2025-04-27 11:43:51
Αγορά 5*10mm2 SP-προσώπου (10-11) Un-Doped ειδική αντίσταση υποστρωμάτων ενιαίου κρυστάλλου GaN Si-τύπων??????????? &gt; 10 ⁶ Ω·Συσκευή εκατ. RF σε απευθείας σύνδεση κατασκευαστής

5*10mm2 SP-προσώπου (10-11) Un-Doped ειδική αντίσταση υποστρωμάτων ενιαίου κρυστάλλου GaN Si-τύπων??????????? > 10 ⁶ Ω·Συσκευή εκατ. RF
Επικοινωνία

5*10mm2 SP-face (10-11) Un-doped SI-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity > 106 Ω·cm RF devices wafer Now a new material called Gallium Nitride (GaN) has the potential to replace silicon ... Διαβάστε περισσότερα
2025-04-04 22:43:36
Αγορά Γκοφρέτα πυριτίου του CZ μεθόδου αύξησης 5» προσανατολισμός &lt;1-0-0&gt;, &lt;1-1-1&gt;, &lt;1-1-0&gt; σε απευθείας σύνδεση κατασκευαστής

Γκοφρέτα πυριτίου του CZ μεθόδου αύξησης 5» προσανατολισμός <1-0-0>, <1-1-1>, <1-1-0>
Επικοινωνία

Growth Method CZ Silicon Wafer Orientation ,, 2-Inch Silicon Wafer MEMS Devices, Integrated Circuits,Dedicated Substrates For Discrete Devices Overview Silicon wafers after cutting have sharp edges, and they ... Διαβάστε περισσότερα
2022-09-27 16:53:40
Αγορά 350 ± 25μm πάχος Ανεξάρτητο μονοκρυσταλλικό υπόστρωμα GaN τύπου N χωρίς ντόπινγκ με TTV ≤ 10μm και αντοχή 0,1 Ω·cm σε απευθείας σύνδεση κατασκευαστής

350 ± 25μm πάχος Ανεξάρτητο μονοκρυσταλλικό υπόστρωμα GaN τύπου N χωρίς ντόπινγκ με TTV ≤ 10μm και αντοχή 0,1 Ω·cm
Επικοινωνία

5*10mm2 SP-face (20-21)/(20-2-1) Un-doped n-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity < 0.1 Ω·cm Power device/laser wafer Overview Gallium Nitride (GaN) substrate is a high-quality single... Διαβάστε περισσότερα
2025-04-27 11:43:51
Αγορά » Γκοφρέτα πυριτίου πρωταρχικά 2 τυποποιημένο &lt;10 μm μέγιστο Capabilities&lt;5um σε απευθείας σύνδεση κατασκευαστής

» Γκοφρέτα πυριτίου πρωταρχικά 2 τυποποιημένο <10 μm μέγιστο Capabilities<5um
Επικοινωνία

Prime 2" Silicon Wafer TTV(μm) Standard Διαβάστε περισσότερα
2022-09-27 16:52:11
Page 5 of 9|< 1 2 3 4 5 6 7 8 9 >|
περίπου

Κρυσταλλική γκοφρέτα GaN

2inch GaN κρυσταλλική γκοφρετών Γ ελεύθερη στάση τύπων Si προσώπου ναρκωμένη Φε

Ναρκωμένη Φε ειδική αντίσταση υποστρωμάτων GaN > 10 ⁶ Ω·Συσκευές εκατ. RF

Ελεύθερα υποστρώματα SI-GaN 2 ιντσών

Κρυσταλλική γκοφρέτα SIC

Beveling SiC Epitaxial Wafer 150,0 mm +0mm/-0,2mm 350,0um± 25,0 um

4H Crystal Form SiC Epitaxial Wafer Wafer Edge Beveling 350,0um ± 25,0um

Οπτικό πολωνικό Si-πρόσωπο CMP γ-προσώπου γκοφρετών ενιαίου κρυστάλλου SIC κρυσταλλικό

Αφήστε μήνυμα

Πολιτική Απορρήτου | ΚΙΝΑ καλός Ποιότητα Κρυσταλλική γκοφρέτα GaN προμηθευτής. © 2023 - 2026 Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.. All Rights Reserved.