Ζητήστε ένα απόσπασμα |
Αρχική Σελίδα Προϊόνταp type silicon substrate διαδικτυακός κατασκευαστής
Όλα τα Προϊόντα

Κρυσταλλική γκοφρέτα GaN

(65)

Κρυσταλλική γκοφρέτα SIC

(39)

GaAs Epi Wafer

(15)

Υποστρώματα διαμαντιών CVD

(15)

_γρήγορος θερμικός ανοπτώ σύστημα

(2)

Δοκιμαστής αισθητήρα εφέ Hall

(3)

Γκοφρέτα νιτριδίων αργιλίου

(21)

Τσιπ διόδων λέιζερ

(10)

Κρύσταλλο καρβιδίου του πυριτίου

(12)

Ga2O3 γκοφρέτα

(13)

γκοφρέτα πυριτίου

(26)

Γκοφρέτα σαπφείρου

(19)

Διαμορφωμένα υποστρώματα σαπφείρου

(10)

Τεφλόν κάτοχος γκοφρετών

(1)

Γκοφρέτα σε κύβους

(5)
Πιστοποίηση
ΚΙΝΑ Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. Πιστοποιήσεις
Είμαι Online Chat Now

p type silicon substrate διαδικτυακή κατασκευή

(81)
Αγορά 2 ίντσες GaN στο Σιλικόνιο Μπλε LD Epi Wafer GaN μπλε λέιζερ στο Σιλικόνιο σε απευθείας σύνδεση κατασκευαστής

2 ίντσες GaN στο Σιλικόνιο Μπλε LD Epi Wafer GaN μπλε λέιζερ στο Σιλικόνιο
Επικοινωνία

Introduction to GaN on Silicon HEMT Epi wafer Silicon based gallium nitride HEMT epitaxial wafer is a high electron mobility transistor (HEMT) epitaxial wafer based on gallium nitride (GaN) material. Its ... Διαβάστε περισσότερα
2024-12-06 17:35:32
Αγορά A Plane Surface Orientation Sapphire Wafer Mirror Polished EPI Ready σε απευθείας σύνδεση κατασκευαστής

A Plane Surface Orientation Sapphire Wafer Mirror Polished EPI Ready
Επικοινωνία

A-Plane(11-20) Surface Orientation Sapphire Wafer Front Surface Quality Mirror Polished,EPI-Ready JDCD08-001-001 Diameter 50mm Sapphire substrate wafer , Thk 430μm, crystal orientation C/M0.2, OF length (mm) 16 ... Διαβάστε περισσότερα
2023-02-17 10:18:27
Αγορά Ελεύθερη μόνιμη κρυσταλλική γκοφρέτα 50,8 χιλ. 350 του U/Si GaN um σε απευθείας σύνδεση κατασκευαστής

Ελεύθερη μόνιμη κρυσταλλική γκοφρέτα 50,8 χιλ. 350 του U/Si GaN um
Επικοινωνία

2-inch Free-standing U-GaN/SI-GaN Substrates 50.8 ± 1 mm 350 ± 25 μm 2inch C-face Un-doped n-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity < 0.1 Ω·cm Power device/laser wafer Overview GaN ... Διαβάστε περισσότερα
2022-10-08 17:12:14
Αγορά γκοφρέτα ημιαγωγών νιτριδίων γαλλίου 50.8mm ελεύθερη στάση 2 ίντσας σε απευθείας σύνδεση κατασκευαστής

γκοφρέτα ημιαγωγών νιτριδίων γαλλίου 50.8mm ελεύθερη στάση 2 ίντσας
Επικοινωνία

50.8 ± 1 mm 2-inch Free-standing U-GaN/SI-GaN Substrates (1-100) ± 0.5o, 16 ± 1 mm 2inch C-face Un-doped n-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity < 0.1 Ω·cm Power device/laser wafer ... Διαβάστε περισσότερα
2022-10-08 17:22:16
Αγορά MG-ναρκωμένη 4-ίντσα κρυσταλλική γκοφρέτα ΚΑΡΦΙΤΣΏΝ λέιζερ των οδηγήσεων SSP Resistivity~10Ω εκατ. υποστρωμάτων GaN/σαπφείρου σε απευθείας σύνδεση κατασκευαστής

MG-ναρκωμένη 4-ίντσα κρυσταλλική γκοφρέτα ΚΑΡΦΙΤΣΏΝ λέιζερ των οδηγήσεων SSP Resistivity~10Ω εκατ. υποστρωμάτων GaN/σαπφείρου
Επικοινωνία

4 inch P-type Mg-doped GaN on sapphire wafer SSP resistivity~10Ω cm LED, laser, PIN epitaxial wafer Why Use GaN Wafers? Gallium Nitride on sapphire is the ideal material for radio energy amplification. It ... Διαβάστε περισσότερα
2025-04-04 22:43:47
Αγορά γυαλισμένος EPI σαπφείρου 50mm έτοιμος τύπος ακρών Ρ γκοφρετών γκοφρετών R9 καθρέφτης σε απευθείας σύνδεση κατασκευαστής

γυαλισμένος EPI σαπφείρου 50mm έτοιμος τύπος ακρών Ρ γκοφρετών γκοφρετών R9 καθρέφτης
Επικοινωνία

High Purity Al2O3＞99.995% R9 Mirror Polished EPI-Ready Wafer edge R-type JDCD08-001-001 Diameter 50mm Sapphire substrate wafer , Thk 430μm, crystal orientation C/M0.2, OF length (mm) 16 LED chip,substrate ... Διαβάστε περισσότερα
2023-02-17 10:17:17
Αγορά 6inch κρυσταλλική γκοφρέτα SIC σε απευθείας σύνδεση κατασκευαστής

6inch κρυσταλλική γκοφρέτα SIC
Επικοινωνία

P-SBD Grade 6inch 4H-SiC substrate N-Type Off-Axis:4°toward ±0.5 ° 6inch 4H-SiC Substrate N-Type P-SBD Grade 350.0±25.0μM MPD≤0.5/Cm2 Resistivity 0.015Ω•Cm—0.025Ω•cm For Power And Microw 6inch 4H-SiC substrate ... Διαβάστε περισσότερα
2022-10-09 16:56:20
Αγορά 47,5 χιλ. ± 1,5 κρυσταλλική γκοφρέτα 150,0 χιλ. +0mm/-0.2mm παράλληλο to&lt;11-20&gt;±1° χιλ. SIC σε απευθείας σύνδεση κατασκευαστής

47,5 χιλ. ± 1,5 κρυσταλλική γκοφρέτα 150,0 χιλ. +0mm/-0.2mm παράλληλο to<11-20>±1° χιλ. SIC
Επικοινωνία

47.5 mm ± 1.5 mm SiC Epitaxial Wafer 150.0 mm +0mm/-0.2mm Parallel to±1° JDCD03-001-003 Overview Currently, there are two main types of SiC wafers. The first type is the polished wafer, which is a single ... Διαβάστε περισσότερα
2024-10-29 11:49:58
Αγορά 4H κρυσταλλική γκοφρέτα 0.015Ω SIC•εκατ.-0.025Ω•Εκατ. ≤4000/cm ² 150,0 χιλ. +0mm/-0.2mm σε απευθείας σύνδεση κατασκευαστής

4H κρυσταλλική γκοφρέτα 0.015Ω SIC•εκατ.-0.025Ω•Εκατ. ≤4000/cm ² 150,0 χιλ. +0mm/-0.2mm
Επικοινωνία

4H SiC Epitaxial Wafer 0.015Ω•cm—0.025Ω•cm ≤4000/cm2 150.0 mm +0mm/-0.2mm JDCD03-001-003 Overview The next type is beta silicon carbide. Beta SiC is produced at temperatures higher than 1700 degrees Celsius. ... Διαβάστε περισσότερα
2024-10-29 11:49:58
Αγορά 2 ιντσών συσκευή ισχύος υψηλής κινητικότητας ηλεκτρονίων τρανζίστορ επιταξιακή πλάκα σε απευθείας σύνδεση κατασκευαστής

2 ιντσών συσκευή ισχύος υψηλής κινητικότητας ηλεκτρονίων τρανζίστορ επιταξιακή πλάκα
Επικοινωνία

Introduction to GaN on Silicon HEMT Epi wafer Silicon based gallium nitride HEMT epitaxial wafer is a high electron mobility transistor (HEMT) epitaxial wafer based on gallium nitride (GaN) material. Its ... Διαβάστε περισσότερα
2024-12-06 17:41:10
Page 7 of 9|< 1 2 3 4 5 6 7 8 9 >|
περίπου

Κρυσταλλική γκοφρέτα GaN

2inch GaN κρυσταλλική γκοφρετών Γ ελεύθερη στάση τύπων Si προσώπου ναρκωμένη Φε

Ναρκωμένη Φε ειδική αντίσταση υποστρωμάτων GaN > 10 ⁶ Ω·Συσκευές εκατ. RF

Ελεύθερα υποστρώματα SI-GaN 2 ιντσών

Κρυσταλλική γκοφρέτα SIC

Beveling SiC Epitaxial Wafer 150,0 mm +0mm/-0,2mm 350,0um± 25,0 um

4H Crystal Form SiC Epitaxial Wafer Wafer Edge Beveling 350,0um ± 25,0um

Οπτικό πολωνικό Si-πρόσωπο CMP γ-προσώπου γκοφρετών ενιαίου κρυστάλλου SIC κρυσταλλικό

Αφήστε μήνυμα

Πολιτική Απορρήτου | ΚΙΝΑ καλός Ποιότητα Κρυσταλλική γκοφρέτα GaN προμηθευτής. © 2023 - 2026 Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.. All Rights Reserved.